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更新時(shí)間：2025.03.15
20KV柱上真空斷路器技術(shù)參數(shù)(精)

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20kV 戶外柱上真空斷路器技術(shù)規(guī)范 1范圍 本技術(shù)規(guī)范規(guī)定了 20kV 戶外柱上真空斷路器的使用條件、 主要技術(shù)參數(shù)、 功能設(shè)計(jì)、 結(jié)構(gòu)、 性能、安裝和試驗(yàn)等方面的技術(shù)要求。 本技術(shù)規(guī)范適用于江蘇省電力公司 20kV 系統(tǒng)所需的 20kV 戶外柱上真空斷路 器。 本技術(shù)規(guī)范提出的是最低限度的技術(shù)要求 , 并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定 , 也未 充分引述有 關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文 , 設(shè)備生產(chǎn)廠家應(yīng)提供符合本技術(shù)規(guī)范、 國(guó)家標(biāo) 準(zhǔn)、 電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)以及 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。 本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與設(shè)備生產(chǎn)廠家所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不一致時(shí) ,按較高 標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。 20kV 系統(tǒng)中性點(diǎn)接地方式分為二類 ,Ⅰ類 :中性點(diǎn)經(jīng)低電阻接地系統(tǒng) ;Ⅱ 類 :中性點(diǎn)經(jīng)消弧 線圈接地或不接地系統(tǒng)。 2規(guī)范性引用文件 本標(biāo)準(zhǔn)引用了下列標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)條文 , 當(dāng)這些標(biāo)準(zhǔn)修訂后 , 使用本標(biāo)準(zhǔn)者應(yīng)引用下 列標(biāo)準(zhǔn)最新 版

10KV真空斷路器原理

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一、真空的絕緣特性 真空具有很強(qiáng)的絕緣特性，在真空斷路器中，氣體非常稀薄，氣體分子的自由 行程相對(duì)較大，發(fā)生相互碰撞的幾率很小，因此，碰撞游離不是真空間隙擊穿的主 要原因，而在高強(qiáng)電場(chǎng)作用下由電極析出的金屬質(zhì)點(diǎn)才是引起絕緣破壞的主要因素。 真空間隙中的絕緣強(qiáng)度不僅與間隙的大小，電場(chǎng)的均勻程度有關(guān)，而且受電極 材料的性質(zhì)及表面狀況的影響較大。真空間隙在較小的距離間隙（ 2—3毫米）情 況下，有比高壓力空氣與 SF6氣體高的絕緣特性，這就是真空斷路器的觸頭開(kāi)距一 般不大的原因。 電極材料對(duì)擊穿電壓的影響主要表現(xiàn)在材料的機(jī)械強(qiáng)度（抗拉強(qiáng)度）和金屬材 料的熔點(diǎn)上?？估瓘?qiáng)度和熔點(diǎn)越高，電極在真空下的絕緣強(qiáng)度越高。 實(shí)驗(yàn)表明，真空度越高，氣體間隙的擊穿電壓越高，但在 10-4 托以上，就基本 保持不變了，所以，要保持真空滅弧室的絕緣強(qiáng)度，其真空度應(yīng)不低于 10-4 托。 二、真空中電弧的形成與熄滅

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