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更新時間：2024.12.28
五位RFMEMS開關(guān)延遲線移相器

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文章編號 ：1005-6122（2011）02-0084-04 五位 RF MEMS 開關(guān)延遲線移相器 * 金 鈴 （南京電子技術(shù)研究所 ，南京 210013） 摘 要： 設(shè)計(jì)并研制了一種 6 ～11GHz、超寬帶 5 位 RF MEMS 開關(guān)延遲線移相器 ，器件實(shí)現(xiàn)了 5 位延遲 ：λ、 2λ、4λ、8λ、16λ。該器件采用微帶混合介質(zhì)多層板技術(shù) ，分 4層制作 ，尺寸為 45mm×20 mm。整個器件包括 20個 RF MEMS懸臂梁開關(guān) ，用 60 ～75V 的靜電壓驅(qū)動 。6 ～11GHz 頻帶內(nèi) ，對 32 個相移態(tài)的測試結(jié)果表明 ：一般回波損耗 S11 ＜－10dB，各狀態(tài)平均插入損耗為 －8 ～－10dB；中心頻率處 ，器件可實(shí)現(xiàn)的最大延遲位時延為 1680ps，總時延為 3255ps。 關(guān)鍵詞 ： 開關(guān)延遲線移相器 ，微機(jī)電系統(tǒng) （MEMS），懸臂梁開關(guān) ，微波混合介質(zhì)多層

交直流隔離的分布式MEMS移相器設(shè)計(jì)

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設(shè)計(jì)了一種五位分布式微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)移相器,通過分析對比傳統(tǒng)分布式MEMS移相器加載直流偏置的兩種方式,提出了一種新的直流偏置的加載方式,能解決傳統(tǒng)方式帶來的交直流干擾和引線繁雜問題,同時工藝容易實(shí)現(xiàn)。采用ADS軟件對移相器進(jìn)行級聯(lián)仿真,優(yōu)化了微波性能參數(shù),仿真得出移相器在35 GHz時移相精確度小于3°,移相器的插入損耗小于0.5 dB,回波損耗大于23 dB。給出了五位分布式MEMS移相器的工藝流程,同時驗(yàn)證了所設(shè)計(jì)加載直流偏置方式工藝簡單的優(yōu)勢。

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