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在紅外集成光電系統(tǒng)中,暗電流及其噪聲作為衡量探測(cè)器性能的關(guān)鍵指標(biāo),在工程上對(duì)其進(jìn)行實(shí)際測(cè)試具有重要的意義。從工程角度提出了紅外探測(cè)器暗電流的測(cè)試及分析方法。其主要思想是在紅外成像系統(tǒng)中,通過(guò)改變黑體溫度及積分時(shí)間,得到不同的擬和曲線,進(jìn)而通過(guò)本文提出的方法計(jì)算出探測(cè)器的暗電流。
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PMT參數(shù)優(yōu)劣對(duì)閃爍體探測(cè)器性能至關(guān)重要。依據(jù)PMT的工作原理,建立PMT單光電子響應(yīng)(SER)函數(shù),搭建實(shí)驗(yàn)裝置,完成PMT響應(yīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)試,在常溫環(huán)境下測(cè)試了濱松CR194 PMT暗電流和單光電子信號(hào)。數(shù)字信號(hào)利用Roofit、Origin軟件進(jìn)行處理,得到暗電流和單光電子幅度值隨高壓變化的曲線圖。分析圖表,可得結(jié)論:在600~1 200 V之間,CR194 PMT暗電流響應(yīng)幅度值或SER幅度值隨工作電壓的增加而增加。電壓為1 000 V時(shí),PMT的穩(wěn)定性最好,1 000 V為實(shí)驗(yàn)的最佳工作電壓。
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