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采用磁控濺射法制備CdZnTe先驅(qū)薄膜/金屬Al膜的層疊結(jié)構(gòu),利用鋁誘導(dǎo)技術(shù)制備CdZnTe薄膜。通過原子力顯微鏡、X射線衍射、Raman光譜儀和半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng),研究了鋁膜濺射功率對鋁誘導(dǎo)CdZnTe薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響。結(jié)果表明:隨著鋁膜濺射功率的增加,鋁誘導(dǎo)CdZnTe薄膜表面的薄膜結(jié)晶質(zhì)量、晶粒尺寸和薄膜電阻率先增大后減小。鋁誘導(dǎo)晶化的效果與鋁膜濺射功率有關(guān),當(dāng)鋁膜濺射功率達到100 W,CdZnTe薄膜的晶化誘導(dǎo)效果最顯著,薄膜結(jié)晶質(zhì)量最好,晶粒尺寸最大。
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高形狀精度要求與形狀易變性之間的矛盾是限制大尺寸空間薄膜結(jié)構(gòu)空間應(yīng)用的主要技術(shù)瓶頸之一。本文主要從技術(shù)層面論述大尺寸空間薄膜結(jié)構(gòu)形狀保持和振動抑制的方法。首先,闡述薄膜結(jié)構(gòu)形狀誤差源及形狀控制必要性分析;然后,論述國內(nèi)外空間薄膜結(jié)構(gòu)形狀控制的研究現(xiàn)狀,包括控制方案、傳感器及執(zhí)行器;最后,提出大尺寸空間薄膜結(jié)構(gòu)形狀控制的關(guān)鍵技術(shù)。
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