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更新時(shí)間:2024.12.28
日本電氣公司開發(fā)新一代半導(dǎo)體存儲器的關(guān)鍵技術(shù)

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據(jù)日本《電子材料》1992年第2期報(bào)道,日本電氣公司為了能在90年代中期實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)256M和64M等半導(dǎo)體快速存儲器,率先開發(fā)出4種類型存儲單元的關(guān)鍵技術(shù),1991年12月在美國華盛頓召開的IEDM會議上公開發(fā)表。研制的主要技術(shù)有:

半導(dǎo)體探測器

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