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半導(dǎo)體材料7半導(dǎo)體照明工程材料
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第 30 卷第 3 期 硅 酸 鹽 學(xué) 報(bào) Vol. 30 , No. 3 2 0 0 2 年 6 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J une , 2 00 2 綜合評(píng)述 寬帶隙半導(dǎo)體材料 SiC研究進(jìn)展及其應(yīng)用 王玉霞,何海平,湯洪高 (中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)材料科學(xué)與工程系 , 合肥 230026 ) 摘 要 :SiC 是第 3代寬帶隙半導(dǎo)體的核心材料之一 , 具有極為優(yōu)良的物理化學(xué)性能 , 應(yīng)用前景十分廣闊 . 本文綜合介紹 SiC的基本特性 , 材 料的生長(zhǎng)技術(shù) (包括體單晶生長(zhǎng)和薄膜外延生長(zhǎng)技術(shù) ) , SiC基器件的研發(fā)現(xiàn)狀 , 應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景 . 同時(shí)還介紹了作者用脈沖激光淀積法 在 Si襯底上制備出單晶 4H - SiC薄膜的研究結(jié)果 . 關(guān)鍵詞 : 碳化硅 ; 體單晶生長(zhǎng) ; 薄膜 ; 器件 中圖分類號(hào) : TN
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專題概述
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