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更新時(shí)間:2025.01.05
超大規(guī)模集成電路的可制造性設(shè)計(jì)

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以Synopsys推出的TCAD軟件TSUPREM-Ⅳ和Medici為藍(lán)本,結(jié)合100nm柵長(zhǎng)PMOSFET的可制造性聯(lián)機(jī)仿真與優(yōu)化實(shí)例,闡述了超大規(guī)模集成電路DFM階段所進(jìn)行的工藝級(jí)、器件物理特性級(jí)優(yōu)化及工藝參數(shù)的提取。

超大規(guī)模集成電路可靠性設(shè)計(jì)與測(cè)試技術(shù)的新進(jìn)展

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隨著芯片制造工藝的不斷發(fā)展,超大規(guī)模集成電路集成度不斷提高,體積不斷縮小.納米工藝一方面帶來(lái)產(chǎn)品規(guī)模、產(chǎn)品性能的提升,另一方面帶來(lái)了產(chǎn)品可靠性,不可信制造和測(cè)試效率、測(cè)試覆蓋率等諸多問(wèn)題.為應(yīng)對(duì)這些問(wèn)題,設(shè)計(jì)工程師和測(cè)試工程師研發(fā)了很多新的方法,分析了超大規(guī)模集成電路在可靠性設(shè)計(jì)和測(cè)試技術(shù)發(fā)展的最新進(jìn)展,最后指出了VLSI可靠性設(shè)計(jì)和測(cè)試技術(shù)的發(fā)展方向.

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