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超高頻加熱裝置用于建筑材料熱處理(燒成)是一項(xiàng)新工藝,本文介紹它的原理裝置與結(jié)構(gòu),及其在實(shí)際生產(chǎn)中應(yīng)用。
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基于0.5μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于超高頻段射頻識(shí)別系統(tǒng)讀卡器接收前端的低噪聲放大器.該電路采用帶有源極退化的單端共源共柵結(jié)構(gòu),借助Cadence仿真環(huán)境完成了電路的仿真分析.仿真結(jié)果表明,在中心工作頻率922.5 MHz上,電路具有良好的性能,各指標(biāo)分別為:噪聲系數(shù)(NF)0.828 4 dB,輸出增益(S21)23.37 dB,輸入反射系數(shù)(S11)-36.65 dB,輸出反射系數(shù)(S22)-58.03 dB,反相隔離(S12)-44.79 dB,三階交調(diào)點(diǎn)(IIP3)-13.157 2 dBm.
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