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更新時間：2024.12.28
半導(dǎo)體(電子)及太陽能電池材料的多晶硅

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半導(dǎo)體 (電子 )及太陽能電池材料的多晶硅 一、概要 1、從鍺到硅 鍺：融點(diǎn) 960℃ 用石英或炭的容器來熔化。 硅：融點(diǎn) 1420℃ 炭和石英反應(yīng)生成。（沸點(diǎn)： 2355℃） 最初半導(dǎo)體的產(chǎn)生從生產(chǎn)使用方便的鍺材料開始的， 隨著技術(shù)進(jìn)步，開始使用了特別顯 著性質(zhì)的硅（從 1965年的硅的生產(chǎn)量超過了鍺的生產(chǎn)量） ，用于太陽能電池就從這時開始的。 2、硅的特性 半導(dǎo)體：導(dǎo)體、絕緣物的中間導(dǎo)電物。 導(dǎo)電：有 P型與 N 型。根據(jù)溫度有所變化， P型 N 型的結(jié)合。（P 型：空穴； N 型：電 子） 常溫下，本征半導(dǎo)體硅的電導(dǎo)率是 230000Ω·cm，1100℃時為 0.01Ω·cm.純度為 9個 9 時為 100Ω·cm，10個 9時為 1000Ω·cm。所含雜質(zhì)越多，導(dǎo)電性越好。 3、高純度多晶硅的技術(shù)變化 進(jìn)入 1950年開始工業(yè)性生產(chǎn)（美國 Du-pont）日本是從進(jìn)入 1960年代

利用硅光電池測量硅單晶半導(dǎo)體材料的禁帶寬度

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以白熾燈為光源照射單晶硅光電池,測量在硅光電池前加不同截止波長的濾色片時的短路電流.通過短路電流和截止波長的關(guān)系,經(jīng)擬合得到單晶硅材料的長波限,再利用半導(dǎo)體材料的長波限與半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg的關(guān)系,即Eg=hc/λ,計(jì)算得出其禁帶寬度.

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