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設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了5 mm(U頻段)單刀雙擲(Single Pole Double Throw,SPDT)開關(guān)模塊。該開關(guān)模塊采用鰭線并聯(lián)PIN二極管電路結(jié)構(gòu)形式,通過采用一種全新的高隔離度措施,獲得高隔離、低插損開關(guān)特性。經(jīng)加工測(cè)試,開關(guān)模塊在50~56 GHz頻帶內(nèi)隔離度大于50 dB,插損小于2.3 dB。該模塊已應(yīng)用于5 mm射頻組件中。
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以0.25μm GaAs PHEMT為基礎(chǔ),介紹了微波單片集成電路開關(guān)模型的設(shè)計(jì)、測(cè)試及建模過程,并以此平臺(tái)開展了單刀雙擲開關(guān)芯片的設(shè)計(jì)與研制。討論了PHEMT開關(guān)建模的重要性,解決了建模中的關(guān)鍵問題,包括開關(guān)的設(shè)計(jì)、測(cè)試系統(tǒng)的校準(zhǔn)、模型參數(shù)的提取,建立了毫米波范圍內(nèi)高精度的等效電路模型。單刀雙擲開關(guān)的設(shè)計(jì)采用了并聯(lián)式反射型電路拓?fù)?開關(guān)的測(cè)試采用了微波探針在片測(cè)試系統(tǒng),在18~30 GHz獲得了優(yōu)異的電性能,插入損耗IL≤1.5 dB,輸入/輸出駐波比VSWR≤1.5∶1,關(guān)斷狀態(tài)下的隔離度ISO≥30 dB,芯片尺寸為1.2 mm×1.8 mm×0.1 mm。
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