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絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的串聯(lián)使用是一種較為有效的提高耐壓的方法。作為電感儲能型脈沖功率系統(tǒng)中的主斷路開關(guān),IGBT串聯(lián)組合會在開關(guān)的動作瞬間在各串聯(lián)模塊兩端出現(xiàn)動態(tài)不均壓的現(xiàn)象。工程應(yīng)用中,各串聯(lián)IGBT柵極驅(qū)動信號的不同步是導(dǎo)致動態(tài)不均壓的主要原因。文中分別從負載側(cè)被動均壓和柵極側(cè)主動均壓對驅(qū)動信號的同步性補償作用進行了理論分析和實驗驗證,結(jié)果表明均可以達到很好的動態(tài)均壓效果。在此基礎(chǔ)上提出利用阻容二極管有源均壓法實現(xiàn)多個IGBT模塊的串聯(lián)應(yīng)用,仿真驗證了該方法在3個IGBT串聯(lián)應(yīng)用中的可行性。對工程實際應(yīng)用具有一定的參考意義。
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