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硅晶體能帶結(jié)構(gòu)的第一性原理計算 班級:材料科學(xué)與工程 3班 學(xué)號:3015208064 姓名:黃慧明 一、實驗?zāi)康?通過實際操作初步的了解和掌握 Materials Studio,基本掌握 CASTEP模塊 的操作步驟。通過學(xué)習(xí) Materials Studio 軟件,能夠獨立的進(jìn)行簡單的固體結(jié) 構(gòu)模型的構(gòu)造和相關(guān)電子結(jié)構(gòu)的計算和分析。 加深對課堂知識的直觀認(rèn)識, 包括 能帶結(jié)構(gòu)和相關(guān)的基本概念等。 二、實驗原理 第一性原理的理論計算的主要理論基礎(chǔ)是量子力學(xué)的基本方程和相對論效 應(yīng),在第一性原理發(fā)展過程中,相繼提出變分原理、泡利不相容原理、密度泛函 理論等。其基本思路就是它的基本思想, 是將多原子構(gòu)成的實際體系理解為由電 子和原子構(gòu)成的多粒子系統(tǒng), 運用量子力學(xué)等基本物理原理最大限度的對問題進(jìn) 行“非經(jīng)驗”處理。在第一性原理的計算過程中運用了三個近似:非相對論近似 (忽略了電子運動的相對論
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利用Bitter粉紋法觀察了未經(jīng)磁化、受力程度不同的無取向硅鋼片試件的磁疇結(jié)構(gòu),對比分析了應(yīng)力對磁疇及磁場值△B的影響。結(jié)果表明:無取向硅鋼試件在未受力或應(yīng)力集中較小時,晶粒內(nèi)磁疇以180°劍狀疇為主,同一晶粒內(nèi)疇壁相互平行;隨著應(yīng)力集中程度增加,疇壁長度和間距發(fā)生改變,出現(xiàn)了迷宮疇,并且隨著應(yīng)力集中程度越大,迷宮疇的數(shù)量越多,表面磁場值△B越大。試驗為探討磁記憶檢測的微觀機(jī)理提供了依據(jù)。
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