造價(jià)通
更新時(shí)間：2025.03.15
用于晶體生長(zhǎng)的地基無容器懸浮技術(shù)

格式：pdf

大?。?span class="single-tag-height">429KB

頁數(shù)： 6頁

空間微重力環(huán)境下幾乎無對(duì)流和沉降,可為晶體生長(zhǎng)提供一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定和均一的理想環(huán)境,易于得到尺寸較大的高質(zhì)量單晶。但是,空間結(jié)晶實(shí)驗(yàn)成功率低,費(fèi)用昂貴,實(shí)驗(yàn)機(jī)會(huì)受限。因此,研發(fā)各種空間微重力環(huán)境地基模擬技術(shù)具有重要意義。目前可用于晶體生長(zhǎng)的地基無容器懸浮技術(shù)主要有空氣動(dòng)力懸浮、靜電懸浮、電磁懸浮、液體界面懸浮、超聲懸浮和磁場(chǎng)懸浮技術(shù)等。這些地基模擬技術(shù)可實(shí)現(xiàn)晶體的無容器懸浮生長(zhǎng),避免器壁對(duì)晶體生長(zhǎng)的不良影響,提高晶體質(zhì)量,為解決X射線單晶衍射技術(shù)中的瓶頸問題提供新途徑,還可為在地基進(jìn)行結(jié)晶動(dòng)力學(xué)和機(jī)理研究提供簡(jiǎn)單易行的方法。從技術(shù)原理、優(yōu)勢(shì)、缺陷及在結(jié)晶(特別是蛋白質(zhì)結(jié)晶)中的應(yīng)用4個(gè)方面對(duì)這些技術(shù)逐一進(jìn)行了介紹和評(píng)述。重點(diǎn)介紹了液體界面懸浮、超聲懸浮和磁場(chǎng)懸浮技術(shù)這3種用于蛋白質(zhì)晶體生長(zhǎng)的較為成熟的地基無容器懸浮技術(shù)。

14.晶體生長(zhǎng)的界面形態(tài)

格式：pdf

大?。?span class="single-tag-height">30KB

頁數(shù)： 5頁

四，晶體生長(zhǎng)的界面形狀 晶體的形態(tài)問題是一個(gè)十分復(fù)雜而未能徹底解決的問題 自然界中存在的各式各樣美麗的雪晶就體現(xiàn)了形態(tài)的復(fù)雜性 影響晶體形態(tài)的因素： 晶體的形態(tài)不僅與其 生長(zhǎng)機(jī)制有關(guān)，螺型位錯(cuò)在界面的露頭處所形成的生長(zhǎng)蜷線 令人信服地證明了這一點(diǎn)， 而且還與界面的微觀結(jié)構(gòu) 、界面前沿的溫度分布及生 長(zhǎng)動(dòng)力學(xué) 等很多因素有關(guān)。 鑒于問題的復(fù)雜性 鑒于問題的復(fù)雜性，下面僅就界面的 微觀結(jié)構(gòu)和界面前沿溫度分布 的幾種典型情 況敘述力如下： 一 在正的溫度梯度下生長(zhǎng)時(shí)界面形態(tài)： 結(jié)晶潛熱散失： 在這種條件下，結(jié)晶潛熱只能通過已結(jié)晶的固相和型壁散失， 相界面推移速度： 相界面向液相中的推移速度受其散熱速率的控制。 根據(jù)界面微觀結(jié)構(gòu)的不同晶體形態(tài)有兩種類型： 規(guī)則的幾何外形和平面長(zhǎng)大方式 A 正溫度梯度光滑界面的情況 正溫度梯度下的光滑界面： 對(duì)于具有光滑界面的晶體來說， 其顯微界面為某一品體學(xué)小平面

熱門知識(shí)

晶體生長(zhǎng)

精華知識(shí)

晶體生長(zhǎng)

最新知識(shí)

晶體生長(zhǎng)
點(diǎn)擊加載更多>>

相關(guān)問答

晶體生長(zhǎng)
點(diǎn)擊加載更多>>
專題概述
晶體生長(zhǎng)相關(guān)專題

分類檢索：