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更新時間:2024.12.22
開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

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本文研究了開關(guān)電源中MOSFET漏源極電壓電磁干擾的頻譜特性,通過提取MOSFET漏源極時域電壓信號的特征參數(shù), 對其波形進行了仿真,分析了該信號電磁干擾的頻譜特點,并分別研究了信號中各參數(shù)對頻譜的影響,Matlab仿真表明,該研究結(jié)果對解決電磁干擾問題具有很好的參考和利用價值。

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