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更新時(shí)間：2024.12.29

頭條 LED光功率如何受電流影響

LED并不是電流越大發(fā)光量越大，它有一個(gè)臨界點(diǎn)，超過這個(gè)臨界點(diǎn)以后你就是再增加電流也不會(huì)增加發(fā)光量，只會(huì)消耗功率增加溫度。所以在制led燈的時(shí)候一定要找好這個(gè)臨界點(diǎn)，以達(dá)到最隹效率...

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本文從實(shí)驗(yàn)測(cè)量和數(shù)值模擬兩個(gè)方面研究了不同波形、幅值及直流偏置下紋波電流對(duì)LED光效的影響。研究了LED的droop因子和電壓電流曲線,用數(shù)值方法模擬紋波電流對(duì)LED光效的影響,并設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)測(cè)量紋波電流對(duì)LED光效的實(shí)際影響。根據(jù)LED的droop效應(yīng),載流子溢出使LED外量子效率下降,是紋波電流使LED光效下降的物理機(jī)理。

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MOCVD生長溫度控制p型InGaN形貌和電學(xué)特性提高LED光功率

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利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上生長了InGaN∶Mg薄膜,通過改變外延生長溫度優(yōu)化p型InGaN∶Mg表面形貌和電學(xué)特性。在800℃,InGaN的空穴濃度為1.9×1019cm-3,電阻率較低,通過原子力顯微鏡觀察到粗化的樣品表面有很多圓丘,其均方根粗糙度是所有樣品中最高的,綜合粗化的表面和優(yōu)化電學(xué)特性的p-InGaN接觸層的LED光功率提高23%。

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