微米_納米尺度的材料力學(xué)性能測試
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適于納米尺度集成電路技術(shù)的雙柵/多柵MOS器件的研究
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隨著集成電路的發(fā)展,器件尺寸進入納米尺度領(lǐng)域,器件性能受到諸多挑戰(zhàn).針對納米CMOS器件存在的問題,從可集成性考慮,基于由上而下途徑,從新型雙柵/多柵器件結(jié)構(gòu)角度介紹新型非對稱梯度低摻雜漏垂直溝道雙柵MOS器件以及新型圍柵納米線MOS器件的研制及特性分析,為下幾代集成電路技術(shù)的器件研究提供良好的思路.
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