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更新時(shí)間：2024.12.22
MOS管的構(gòu)造及MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)

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MOS 管的構(gòu)造及 MOS 管種類(lèi)和結(jié)構(gòu) 隨著社會(huì)的進(jìn)步和發(fā)展， MOS 管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，薩科微電子 SLKOR 作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅 SiC 產(chǎn)品的“碳化硅專(zhuān)家”，必須來(lái)科普一下這方面的知 識(shí)。 MOS 即 MOSFET 的簡(jiǎn)寫(xiě)，全稱(chēng)是金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 就是利用輸入回路的電場(chǎng)效 應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。 MOS 管的構(gòu)造、原理、特性、符號(hào)規(guī)則和封 裝種類(lèi)等，大致如下。 1、MOS 管的構(gòu)造： MOS 管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的 P 型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝 制作兩個(gè)高摻雜濃度的 N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極 D 和源極 S。然 后在漏極和源極之間的 P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（ Si02）絕緣層膜，在再 這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極 G。這就構(gòu)成了一個(gè) N 溝道（NPN 型）增強(qiáng) 型 MOS 管

mos管設(shè)計(jì)

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1.共源放大器： 0V C3 10u RL 40k 0A 0V RD 50k 90.49uA 0V C1 10u Vsig 1Vac 0Vdc 0A 0V V2 5Vdc 90.49uA C2 10uM1 M2N6659 0A 90.49uA 0 0V 0 i 0V RG 10MEG 0A 0 0 475.4mV Rsig 1MEG0A 0 Vo -1.833V V1 5Vdc 90.49uA Vi 5.000V RS 35k 90.49uA 由圖可知 MOS管偏置點(diǎn)電壓 VGS=1.833V ,電流 ID=90.49uA ， 由 output 中 的數(shù)據(jù)知 Vt=1.8V . Ro=3.5M Ω可求得跨 導(dǎo) gm=2ID/(VGS-Vt)=5.484mA/V. 可 求 增 益 Gv=gm*(Ro||RD||RL ） *RG/(RG+Rsig)=109.09V/V; Av=gm*(Ro|

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