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更新時間：2024.12.22
14.晶體生長的界面形態(tài)

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四，晶體生長的界面形狀 晶體的形態(tài)問題是一個十分復雜而未能徹底解決的問題 自然界中存在的各式各樣美麗的雪晶就體現(xiàn)了形態(tài)的復雜性 影響晶體形態(tài)的因素： 晶體的形態(tài)不僅與其 生長機制有關，螺型位錯在界面的露頭處所形成的生長蜷線 令人信服地證明了這一點， 而且還與界面的微觀結構 、界面前沿的溫度分布及生 長動力學 等很多因素有關。 鑒于問題的復雜性 鑒于問題的復雜性，下面僅就界面的 微觀結構和界面前沿溫度分布 的幾種典型情 況敘述力如下： 一 在正的溫度梯度下生長時界面形態(tài)： 結晶潛熱散失： 在這種條件下，結晶潛熱只能通過已結晶的固相和型壁散失， 相界面推移速度： 相界面向液相中的推移速度受其散熱速率的控制。 根據(jù)界面微觀結構的不同晶體形態(tài)有兩種類型： 規(guī)則的幾何外形和平面長大方式 A 正溫度梯度光滑界面的情況 正溫度梯度下的光滑界面： 對于具有光滑界面的晶體來說， 其顯微界面為某一品體學小平面

用于晶體生長的地基無容器懸浮技術

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空間微重力環(huán)境下幾乎無對流和沉降,可為晶體生長提供一個相對穩(wěn)定和均一的理想環(huán)境,易于得到尺寸較大的高質量單晶。但是,空間結晶實驗成功率低,費用昂貴,實驗機會受限。因此,研發(fā)各種空間微重力環(huán)境地基模擬技術具有重要意義。目前可用于晶體生長的地基無容器懸浮技術主要有空氣動力懸浮、靜電懸浮、電磁懸浮、液體界面懸浮、超聲懸浮和磁場懸浮技術等。這些地基模擬技術可實現(xiàn)晶體的無容器懸浮生長,避免器壁對晶體生長的不良影響,提高晶體質量,為解決X射線單晶衍射技術中的瓶頸問題提供新途徑,還可為在地基進行結晶動力學和機理研究提供簡單易行的方法。從技術原理、優(yōu)勢、缺陷及在結晶(特別是蛋白質結晶)中的應用4個方面對這些技術逐一進行了介紹和評述。重點介紹了液體界面懸浮、超聲懸浮和磁場懸浮技術這3種用于蛋白質晶體生長的較為成熟的地基無容器懸浮技術。

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