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更新時(shí)間：2024.12.29
微電子科學(xué)技術(shù)和集成電路產(chǎn)業(yè) 第六章 對(duì)發(fā)展我國集成電路產(chǎn)業(yè)和微電子科學(xué)技術(shù)戰(zhàn)略措施的六點(diǎn)建議

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發(fā)展我國集成電路的措施歸納起來主要是兩句話:一是產(chǎn)業(yè)群的建設(shè)——集成電路產(chǎn)業(yè)在中國,主要靠機(jī)制創(chuàng)新、優(yōu)惠政策和投資環(huán)境建設(shè);二是核心競(jìng)爭(zhēng)力的提高——建設(shè)中國的集成電路產(chǎn)業(yè),關(guān)鍵在發(fā)展自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)?？茖W(xué)研究和人才培養(yǎng)主要靠國家的集中投入。具體的措施包括以下六個(gè)方面:1.優(yōu)先發(fā)展設(shè)計(jì)業(yè),大力開發(fā)集成電路產(chǎn)品,把設(shè)計(jì)業(yè)建設(shè)成為高效益、高效率的規(guī)模

東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院考研復(fù)習(xí)大綱

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《電子技術(shù)基礎(chǔ)》 考試大綱 一、電子電路基礎(chǔ)部分： 第一章半導(dǎo)體器件概述 1． 熟悉二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管的伏安特性、開關(guān)特性。 2． 熟悉二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管及理想運(yùn)放的主要參數(shù)，包括靜態(tài) 參數(shù)、動(dòng)態(tài)參數(shù)和極限參數(shù)。 3．掌握三極管、場(chǎng)效應(yīng)管的微變等效電路模型及理想運(yùn)放的電路模型。 第二章基本運(yùn)算電路 1． 掌握 TTL與非門電路原理、分析其電壓傳輸特性和主要參數(shù)，熟悉 其它形式的 TTL與非門電路。 2．熟悉 CMOS門電路的電壓傳輸特性、 特點(diǎn)及參數(shù)，掌握 CMOS傳輸門。 3． 掌握理想運(yùn)放組成的基本線性運(yùn)算電路，包括比例、求和、微分、 積分、對(duì)數(shù)運(yùn)算等。 第三章基本放大電路 1． 掌握三極管、場(chǎng)效應(yīng)管的基本偏置方法，包括分壓式偏置、電流源 偏置，了解其它偏置方式。 2． 掌握共基、共射、共集、共源、共漏五種基本組態(tài)放大電路的靜態(tài) 及動(dòng)態(tài)分析計(jì)算方法。 3． 了解基本放大電路

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