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更新時間:2024.12.29
芯片設計和制造對銅絲鍵合工藝的影響分析

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芯片設計和制造對銅絲鍵合工藝的影響分析 【摘 要】 以實際案例為基礎分析, 從三極管芯片設計和制造上解決銅絲鍵 合工藝容易造成芯片彈坑損傷的問題。 【關鍵詞】 銅絲鍵合 彈坑 芯片結構 1 概要 在半導體銅絲鍵合工藝中討論最多的都是在封裝鍵合領域內討論如何改進 設備,材料和工藝方法去匹配銅絲工藝, 提升銅絲工藝的可靠性和實用性, 但很 少有討論在芯片設計和制造方面能做多少改進。 本文重點分析芯片設計制造對銅 絲工藝的的影響。 從銅絲鍵合工藝主要的失效分析統(tǒng)計來看, 銅絲工藝在鋁層彈坑損傷上要比 金絲工藝嚴重得多。 彈坑損傷在封裝工藝上總存在工藝寬容度窄, 控制難度高的 問題,容易影響三極管的良品率和可靠性。 所以改進的目標就定在如何能把芯片 鍵合區(qū)設計成能經受住銅絲鍵合高強度沖擊而又不容易發(fā)生彈坑損傷或是能夠 緩沖銅絲鍵合沖擊應力的鍵合區(qū)結構上。 2 鍵合區(qū)鋁層的分析 鍵合區(qū)鋁層是的主要作

12位單斜式線性放電ADC芯片設計

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隨著新型探測器的不斷發(fā)展,對讀出電子學的密集度和集成度要求越來越高。論文以傳統(tǒng)線性放電ADC為基礎,針對多通道讀出芯片的高集成度要求,完成了12bit線性放電ADC模擬部分的ASIC設計,同時通過片外FPGA對其進行控制,兼顧測量和調試上的需求。

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