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更新時(shí)間:2024.12.28
一種施密特觸發(fā)器型壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與仿真

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傳統(tǒng)施密特型壓控振蕩器存在輸入電壓下限值較高、最高振蕩頻率較低等缺點(diǎn)。針對(duì)這兩個(gè)問題,文中介紹了一種具有新型充放電電路結(jié)構(gòu)的施密特型壓控振蕩器,并在0.18μm工藝下對(duì)電路進(jìn)行了仿真。結(jié)果表明,相對(duì)于傳統(tǒng)施密特型壓控振蕩器,新型振蕩器輸入電壓下限值有所下降,且最高振蕩頻率也有明顯提升。

為調(diào)諧器設(shè)計(jì)的帶自動(dòng)幅度控制1·1GHz差分壓控振蕩器(英文)

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為集成調(diào)諧器接收機(jī)芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)了一個(gè)帶自動(dòng)幅度控制回路的差分結(jié)構(gòu)電容電感壓控振蕩器.通過采用pMOS管作為有源負(fù)阻使振蕩器諧振回路可以直接接地電平,減小了寄生效應(yīng),擴(kuò)大了頻率調(diào)諧的線性及其范圍.采用的自動(dòng)幅度控制AAC回路具有元件少,噪聲低,控制靈敏,調(diào)節(jié)容易,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單及設(shè)計(jì)方便的優(yōu)點(diǎn),并保證振蕩器電路的性能最小地依賴于環(huán)境和制造工藝參數(shù)的變化.所設(shè)計(jì)的壓控振蕩器采用新加坡特許50GHz 0.35μmSi Ge BiCMOS工藝流片,經(jīng)測(cè)試在1MHz頻率偏移處達(dá)到了-127.27dBc/Hz的相位噪聲性能,具有寬的(990~1140MHz)和線性(調(diào)諧增益32.4MHz/V)的頻率調(diào)諧曲線.整個(gè)振蕩器電路在5V的供電電壓下僅消耗6.6mA的電流,可以滿足調(diào)諧器的應(yīng)用需要.

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