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已有的實驗結(jié)果表明,硅硼氮陶瓷材料具有非晶態(tài)的微觀結(jié)構(gòu),并且可在六方相氮化硅(β-Si3N4)的基礎(chǔ)上得到較好理論模型.本文通過同樣方法建立硅硼氮陶瓷材料的理論模型,并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行分子動力學(xué)與密度泛函理論結(jié)合的計算研究,得到其高溫下光學(xué)性質(zhì)的顯著變化.與氮化硅(Si3N4)的光學(xué)性質(zhì)比較分析后發(fā)現(xiàn),低溫下SiBN陶瓷對可見光甚至紫外及高頻光吸收顯著,而高溫下呈現(xiàn)對微米波的較好吸收和其他波段小于0.3的吸收系數(shù);低溫下SiBN陶瓷的反射系數(shù)全波段接近0.1,而高溫下其反射系數(shù)可小至1%;單晶Si3N4的光學(xué)性質(zhì)則隨溫度升高幾乎不發(fā)生變化.這一結(jié)果表明SiBN陶瓷作為高溫激光隱形材料的可能,也為非晶材料光電應(yīng)用指出一個新的方向.
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已有的實驗結(jié)果表明,硅硼氮陶瓷材料具有非晶態(tài)的微觀結(jié)構(gòu),并且可在六方相氮化硅(β-Si3N4)的基礎(chǔ)上得到較好理論模型.本文通過同樣方法建立硅硼氮陶瓷材料的理論模型,并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行分子動力學(xué)與密度泛函理論結(jié)合的計算研究,得到其高溫下光學(xué)性質(zhì)的顯著變化.與氮化硅(Si3N4)的光學(xué)性質(zhì)比較分析后發(fā)現(xiàn),低溫下SiBN陶瓷對可見光甚至紫外及高頻光吸收顯著,而高溫下呈現(xiàn)對微米波的較好吸收和其他波段小于0.3的吸收系數(shù);低溫下SiBN陶瓷的反射系數(shù)全波段接近0.1,而高溫下其反射系數(shù)可小至1%;單晶Si3N4的光學(xué)性質(zhì)則隨溫度升高幾乎不發(fā)生變化.這一結(jié)果表明SiBN陶瓷作為高溫激光隱形材料的可能,也為非晶材料光電應(yīng)用指出一個新的方向.
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