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更新時間:2024.12.29
鍺硅合金Y分支器的研制

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本文介紹采用半導體平面工藝研制的Y 分支器。為減少分支處的幅射損耗,并考慮分支器波導耦合長度,Y 分支器的分支角度設(shè)計值為2 度。Y 分支器的波導結(jié)構(gòu)依據(jù)大截面理論決定。經(jīng)激光測量系統(tǒng)測試,分支器角度輻射損耗值為2dB。

日開發(fā)出嵌入鍺量子點的硅基LED

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據(jù)有關(guān)媒體報道,近日,日本東京都市大學綜合研究所研究人員成功開發(fā)出采用鍺(Ge)量子點的硅發(fā)光元件。

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