大功率IGBT模塊串聯(lián)動(dòng)態(tài)均壓

實(shí)用標(biāo)準(zhǔn) 文案大全 大功率igbt模塊變流器用水冷散熱器介紹 水冷散熱器服務(wù)對(duì)象： ?各類(lèi)型igbt模塊、晶閘管是在變頻、變流領(lǐng)域的實(shí)現(xiàn)變頻、變流功能的核心元器件。 ?水冷散熱器主要功能是對(duì)各類(lèi)igbt變頻器型igbt模塊、晶閘管、以及部分電阻進(jìn)行 水冷散熱保護(hù)。 為何需要散熱？ ?單個(gè)大功率igbt模塊、晶閘管在工作中發(fā)熱量最大可達(dá)到2kw以上。 ?igbt中核心溫度在達(dá)到150°（新型180°）時(shí)將被燒毀，甚至爆炸。 ?必要對(duì)功率元件進(jìn)行散熱保護(hù)！ 工業(yè)運(yùn)用中的散熱方式： 實(shí)用標(biāo)準(zhǔn) 文案大全 各種散熱形式效能比較： 基于對(duì)流換熱系數(shù)的不同散熱方案效果比較： 冷板工藝與分類(lèi)介紹： 水冷板常用加工工藝分類(lèi)： 實(shí)用標(biāo)準(zhǔn) 文案大全 ?埋管式 工藝： —折彎銅管或不銹鋼管 —鑄造工藝將水管埋入 —cnc外型加工 特點(diǎn)： —工藝簡(jiǎn)單 —批量生產(chǎn)低成本 —性能低下

介紹了龐巴迪運(yùn)輸裝備公司（bombardiertransportation）生產(chǎn)的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、工作原理以及在不同種類(lèi)機(jī)車(chē)上的應(yīng)用情況。

介紹了龐巴迪運(yùn)輸裝備公司(bombardiertransportation)生產(chǎn)的mitractc3300大功率牽引變流器及其變型產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、工作原理以及在不同種類(lèi)機(jī)車(chē)上的應(yīng)用情況。

基于結(jié)構(gòu)函數(shù)理論,對(duì)同一管殼與基板的不同界面熱性能進(jìn)行研究,發(fā)現(xiàn)積分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線(xiàn)出現(xiàn)分離,通過(guò)分離點(diǎn)可確定igbt模塊內(nèi)部pn結(jié)與基板外殼之間的熱阻值;通過(guò)此方法,還可確定同一管殼采用不同接觸面材料的熱特性,并可依此對(duì)igbt所用涂覆導(dǎo)熱材料進(jìn)行選型。研究表明,結(jié)構(gòu)函數(shù)理論是分析大功率igbt器件熱特性的一種有效方法。

大功率集成模塊化LED路燈演示

測(cè)試方法（晶川）：萬(wàn)用表只能測(cè)量不全面：若igbt損壞一般可以測(cè) 出；但是若igbt是好的，它無(wú)法肯定是好的。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即損壞。 （ge表示g接正表筆，e接負(fù)表筆；其他雷同） igbt的ec之間接有二極管，所以為導(dǎo)通態(tài)，電壓為0.34v左右。 若想完整測(cè)試igbt需要用晶體管圖示儀。 igbt損壞：ge,eg,ce,gc,cg任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù)，即損壞。（ge 表示g接正表筆，e接負(fù)表筆；其他雷同） 新igbt 紅表筆-黑表筆電阻檔二極管檔 1-2無(wú)窮大斷路 2-1無(wú)窮大斷路 4-3無(wú)窮大斷路 3-4無(wú)窮大斷路 8-10無(wú)窮大斷路 10-80.447mω0.324 9-8無(wú)窮大斷路 8-90.448mω0.324 5-4無(wú)窮大斷路 4-5無(wú)窮

25kA12kV兩單元IGBT模塊

國(guó)際整流器公司推出全新mtp隔離式開(kāi)關(guān)模塊系列,專(zhuān)為大電流工業(yè)電源而設(shè)計(jì),適用于高頻弧焊機(jī)及不間斷電源。它以氮化鋁陶瓷層進(jìn)行絕緣,在結(jié)點(diǎn)與外殼間發(fā)揮更佳導(dǎo)熱性能。該絕緣層的熱傳導(dǎo)性(冷卻能力)比用于同類(lèi)器件的氧化鋁基板高出7倍之多。新模塊系列的額定電壓為600v和1200v,把高速igbt和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi),有助于節(jié)省空間和降低組裝成本,可取代分立式解決方案。在該系列器件中,50mt060uls是一款全絕緣低側(cè)斬波模塊,內(nèi)含一個(gè)ir超快igbt和一個(gè)具超軟逆恢復(fù)電流特性的hexfred二極管;50mtobowh是一款全絕緣半橋式模式,雙igbt設(shè)計(jì)可有效控制功率耗散和電流分配。此外,ir還提供兩款1200vmtp開(kāi)關(guān)模塊:全絕緣的20mt120uf全橋式及40mt120uh半橋式模塊。它們可直接連接到大多數(shù)三相系統(tǒng)的直流總線(xiàn)。

大功率igbt(絕緣柵雙極晶體管)在現(xiàn)代廣播、雷達(dá)發(fā)射機(jī),特別是全固態(tài)調(diào)制器、高壓開(kāi)關(guān)電源中得到廣泛應(yīng)用。本文介紹了一種用于大功率psm短波發(fā)射機(jī)全固態(tài)調(diào)制器的雙功率模塊測(cè)量與控制電路,該雙功率模塊控制采用微處理器和可編程邏輯芯片設(shè)計(jì),因此具有工作電壓低、損耗小等特點(diǎn)。

大功率集成模塊化LED路燈演示-資料

大功率電源模塊的散熱設(shè)計(jì) 摘要：用傳統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)理論及經(jīng)驗(yàn)公式對(duì)電源模塊內(nèi)的四個(gè)50w大功率管進(jìn)行了散熱設(shè)計(jì)，應(yīng)用熱分 析軟件icepak對(duì)理論計(jì)算進(jìn)行了校核,并對(duì)方案進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。 關(guān)鍵詞：功率管散熱；散熱器；熱分析軟件；icepak 1引言 電源模塊內(nèi)有四個(gè)功率管（在同一平面上，分成兩排），其兩兩間距為60mm，管徑φ20mm，每一功率 管的發(fā)熱功率為50w。周?chē)h(huán)境溫度：+50℃。要求設(shè)計(jì)一150mm×200mm的平板肋片式散熱器。?? 根據(jù)熱設(shè)計(jì)基本理論，功率器件耗散的熱量為： 式中，δt為功率管結(jié)溫與周?chē)h(huán)境溫度之差，℃；rt為總熱阻，℃/w。 其中，rtj為功率管的內(nèi)熱阻；rtp為器件殼體直接向周?chē)h(huán)境的換熱熱阻；rtc為功率管與散熱器安裝面之間 的接觸熱阻；rtf為散熱器熱阻。旨在盡量減小rtc和r

介紹一種工業(yè)用2.5ka/1.2kv兩單元igbt模塊。在該大電流器件中,p端到n端的內(nèi)部連線(xiàn)電感非常小。半導(dǎo)體硅片的巧妙布局有效地提高了模塊的散熱能力,采用鋁底板直接連接絕緣基板來(lái)提高熱循環(huán)能力。對(duì)于這種底板面積較大的器件,為了獲得更好的底板和散熱片之間的熱接觸,底板被分成幾段。2.5ka/1.2kv兩單元igbt模塊的封裝同樣適用于1.8ka/1.7v兩單元igbt模塊。

英飛凌公司生產(chǎn)的3.3kvigbt模塊已被客戶(hù)廣泛使用,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)在許多方面都有別于1.7kv和1.2kvigbt模塊,文章對(duì)該驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)進(jìn)行分析,以助于更好地應(yīng)用該款igbt模塊。

由于線(xiàn)路雜散電感的存在,igbt(insulatedgatebipolartransistor)開(kāi)通關(guān)斷時(shí)將在開(kāi)關(guān)管兩端產(chǎn)生電壓尖峰。為了研究其的影響,需要對(duì)線(xiàn)路雜散電感進(jìn)行抽取。為此,本文提出一種基于igbt開(kāi)關(guān)瞬態(tài)電壓、電流波形的雜散參數(shù)抽取方法。在igbt的開(kāi)通過(guò)程中,考慮了igbt反并聯(lián)二極管的反向恢復(fù)過(guò)程,并且利用由該過(guò)程引起電壓尖峰進(jìn)行線(xiàn)路的雜散電感的抽取;在igbt的關(guān)斷過(guò)程中,通過(guò)對(duì)關(guān)斷波形進(jìn)行了更詳細(xì)的分析,給出更精確的線(xiàn)路雜散電感的抽取方法。最后,將該方法應(yīng)用于一臺(tái)75kva的單相逆變器,實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明了本方法的有效性與正確性。

copyright?2012aptelectronicsltd. allrightsreserved. 內(nèi)容更新恕不另行通知. 晶科電子（廣州）有限公司www.***.*** 廣州市南沙區(qū)環(huán)市大道南33號(hào) tel:020-34684299fax:020-346849771 apt-pak-ds37v2.0. 目錄 產(chǎn)品特點(diǎn)...................................................................................................................................................................1 產(chǎn)品介紹...........................................

根據(jù)808nm大功率半導(dǎo)體激光列陣(lda)的遠(yuǎn)場(chǎng)光場(chǎng)的分布特點(diǎn),利用多模光纖柱透鏡和光束轉(zhuǎn)換裝置對(duì)808nm半導(dǎo)體激光列陣的發(fā)散角進(jìn)行壓縮整形,通過(guò)聚焦準(zhǔn)直透鏡將激光束耦合進(jìn)入芯徑為400μm的光纖,實(shí)現(xiàn)了30w的功率輸出,其中最大耦合效率大于80%,光纖的數(shù)值孔徑(na)為0.22。通過(guò)分析其輸出光斑和輸出曲線(xiàn),表明lda與光纖耦合系統(tǒng)不僅從各個(gè)方向同時(shí)壓縮了激光束的發(fā)散角,有效地實(shí)現(xiàn)了對(duì)激光束的整形、壓縮,而且性能穩(wěn)定,可靠實(shí)用。

模塊化高精度大功率高壓電源并聯(lián)技術(shù) 呂富勇1,李永新1,王　芹2,金　江3,劉　偉1 (1.南京理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,南京210094;2.南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,南京210016; 3.華中科技大學(xué)電子與信息工程系,武漢430074) 摘　要:為實(shí)現(xiàn)多模塊大功率高壓電源均流并聯(lián)擴(kuò)容技術(shù),用固定相對(duì)相位偏移的脈沖頻率調(diào)制法,將多個(gè)高壓 大功率串聯(lián)諧振逆變模塊并聯(lián);并通過(guò)優(yōu)化控制補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)及合理接地設(shè)計(jì),解決并聯(lián)系統(tǒng)自激和高壓打火損 壞控制電路難題。實(shí)驗(yàn)表明用該法實(shí)現(xiàn)高壓電源的模塊化并聯(lián)擴(kuò)容,簡(jiǎn)單可靠且并聯(lián)模塊越多電源紋波水平越 小;無(wú)需內(nèi)置電流控制環(huán),模塊間也能得到滿(mǎn)意的均流效果;在脈沖負(fù)載和電阻負(fù)載條件下,均具有好的動(dòng)態(tài)特性。 關(guān)鍵詞:并聯(lián);均流;固定相位偏移;串聯(lián)諧振;高壓

由動(dòng)態(tài)電壓不均衡引起的器件擊穿致使串聯(lián)失敗是串聯(lián)的關(guān)鍵問(wèn)題。傳統(tǒng)無(wú)源緩沖電路是以犧牲絕緣柵雙極晶體管(igbt)快速性換取電壓均衡,igbt損耗大。建立功率端與驅(qū)動(dòng)端反饋的新型剩余電流動(dòng)作保護(hù)器(rcd)動(dòng)態(tài)均壓電路替代傳統(tǒng)無(wú)源緩沖電路,對(duì)電路的均壓效果和串聯(lián)igbt開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行仿真分析。試驗(yàn)驗(yàn)證了該動(dòng)態(tài)均壓電路在igbt串聯(lián)運(yùn)行時(shí)能很好地抑制其驅(qū)動(dòng)信號(hào)不同步造成的動(dòng)態(tài)電壓不均衡,確保了電壓源換流器的安全運(yùn)行。

介紹了一款針對(duì)igbt的使用特點(diǎn)而設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源，專(zhuān)為igbt驅(qū)動(dòng)芯片供電。重點(diǎn)分析了igbt工作的特點(diǎn)，及對(duì)供電電源的特殊要求，以及如何設(shè)計(jì)一款適用于igbt工作系統(tǒng)的電源模塊，并給出了實(shí)測(cè)參數(shù)。

IR推出運(yùn)行于更低溫度的高速隔離式整流器IGBT模塊

本文分析了開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流的閉環(huán)控制,通過(guò)閉環(huán)控制的理論分析,提出了閉環(huán)控制的規(guī)則,有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

本文分析了開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流的閉環(huán)控制,通過(guò)閉環(huán)控制的理論分析,提出了閉環(huán)控制的規(guī)則,有利于提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。