帶有Bragg反射鏡的諧振腔增強(qiáng)型Si光電探測器

通過在硅pin結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn),采用硅p+pin結(jié)構(gòu),研制出650nm增強(qiáng)型光電探測器。詳細(xì)介紹了器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制作工藝。對(duì)器件響應(yīng)度、暗電流和響應(yīng)速度等參數(shù)進(jìn)行計(jì)算與分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,器件響應(yīng)度達(dá)0.448a/w(λ=650nm),暗電流達(dá)到0.1na(vr=10v),上升時(shí)間達(dá)到3.2ns。

增加一層單層的納米級(jí)微粒,就能顯著地改變物質(zhì)結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)。最近我們提供了一個(gè)實(shí)際例子:在薄薄的硅在絕緣層上(soi)的光電探測器上,增加一層納米微粒的銀(ag)層,其光學(xué)吸收能力(吸收波長λ≈800nm)會(huì)增加大約20倍。圖1上部表示soi樣品的幾何圖形以及納米微粒層的一張掃描電子顯微鏡(sem)成像圖,微粒的平均直徑d=108nm。這種光電探測器是由一個(gè)p-n結(jié)所組成的,而

光電探測器原理及應(yīng)用

光電探測器概述

常用光電探測器

allen-bradley公司推出一種稱為“10000系列光電開關(guān)”的新穎光電探測器。這種探測器的某些特性,例如接收功率的數(shù)字顯示以及對(duì)被測目標(biāo)的學(xué)習(xí)功能,使得這種探測器使用起來特別簡便和可靠。調(diào)節(jié)參數(shù)隨時(shí)由一個(gè)基于模糊邏

常用光電探測器簡介

shine-youtechnologyco.,ltd addr:3f,bld.5,shangshainnovativescience&techpark,futian,shenzhen,china,518048 tel:+86-755-29812573email:info@shine-you.comhttp://www.***.*** 微型封裝（minican）ingaaspin光電探測器 特點(diǎn)： 微型封裝，封裝尺寸≤2.41mm 高響應(yīng) 工作電壓5v 超低暗電流 單針腳密封 工作溫度-40～+85℃ 應(yīng)用： 光纖通信 數(shù)據(jù)/圖像傳輸 光纖傳感 光測量儀器儀表 最大額定值： 工作溫度（℃）-40～+125 存儲(chǔ)溫度（℃）-50～+125 正向電流（ma）4/8 反向電壓（v）≥

photoconductivedetector利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種光探測器件.隨著電子科學(xué)技術(shù)的日趨成熟,光電探測器的應(yīng)用將更加廣泛.本文闡述了光電探測器的發(fā)展、工作原理、結(jié)構(gòu)、種類及應(yīng)用.

采用寬帶隙半導(dǎo)體材料sic,進(jìn)行紫外光電探測器的制備?；跈C(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性考慮,增透抗反膜的制備采用sio2+al2o3工藝,同時(shí)對(duì)其表面鈍化層和增透抗反膜工藝進(jìn)行了研究討論。

要正確選擇光電探測器，首先要對(duì)探測器的原理和參數(shù)有所了解。 1.光電探測器 光電二極管和普通二極管一樣，也是由pn結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體，也具有單方向?qū)щ娦裕?但是在電路中它不作為整流元件，而是把光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的光電傳感器件。 普通二極管在反向電壓工作時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)，只能流過微弱的反向電流，光電二極 管在設(shè)計(jì)和制作時(shí)盡量使pn結(jié)的面積相較大，以便接收入射光。光電二極管在反向電壓工 作下的，沒有光照時(shí)，反向電流極其微弱，叫暗電流；有光照時(shí)，反向電流迅速增加到幾十 微安，稱為光電流。光的強(qiáng)度越大，反向電流也越大。光的變化引起光電二極管電流變化， 這就可以把光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，稱為光電傳感器件。 2.紅外探測器 光電探測器的應(yīng)用大多集中在紅外波段，關(guān)于選擇紅外波段的原因在這里就不再冗 余了，需要特別指出的是60年代激光的出現(xiàn)極大地影響了紅外技術(shù)的發(fā)展，很多重要的激 光器件都在紅外波段，

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)4月14日?qǐng)?bào)道,西班牙和美國科學(xué)家合作研制出一種基于石墨烯的光電探測器轉(zhuǎn)化儀,其能在不到50飛秒(飛秒為千萬億分之一秒)的時(shí)間內(nèi)將光轉(zhuǎn)化為電信號(hào),幾乎接近光電轉(zhuǎn)化速度的極限,將大力助推多個(gè)領(lǐng)域的發(fā)展。高效的光電轉(zhuǎn)化技術(shù),因?yàn)槟茏尮馑鶖y帶的信息轉(zhuǎn)化成可在電子電路中進(jìn)行處理的電信號(hào),在從照相機(jī)到太陽能電池等多個(gè)關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用,也是數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用的重要支撐。盡管石墨烯是一種擁有

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研制了一種gaas基波長可調(diào)諧共振腔增強(qiáng)型探測器.采用分子束外延設(shè)備生長in_(0.25)ga_(0.75)as/gaas量子阱作為器件的有源區(qū),無偏壓時(shí)器件的響應(yīng)峰波長在1071nm,器件在21v的直流調(diào)諧電壓下,實(shí)現(xiàn)了波長大于23nm的調(diào)諧.統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明,當(dāng)調(diào)諧電壓大于5v時(shí),調(diào)諧電壓與響應(yīng)波長之間具有穩(wěn)定、精確的對(duì)應(yīng)關(guān)系,且近似線性調(diào)諧,同時(shí)對(duì)器件響應(yīng)峰的特性進(jìn)行了理論分析.

4-3光電探測器的放大電路

光電探測器是光電系統(tǒng)的核心組成部分,其性能直接影響著光電系統(tǒng)的性能。該文通過用探測器的脈沖響應(yīng)特性測量響應(yīng)時(shí)間,利用探測器的幅頻特性確定其響應(yīng)時(shí)間。該文分析了光電探測器的響應(yīng)度不僅與信號(hào)光的波長有關(guān),而且與信號(hào)光的調(diào)制頻率有關(guān),在提出測量探測器響應(yīng)時(shí)間的方法的同時(shí)分析了誤差的產(chǎn)生原因和解決辦法。

紅外光電探測器的設(shè)計(jì)

近來獲得極大發(fā)展的諧振腔光電探測器具有引人注目的波長選擇特性，并且實(shí)現(xiàn)了器件量子效率與帶寬的渡越時(shí)間分量之間的解耦。

光電探測器件-光電子探測成像器件的設(shè)計(jì)

最小標(biāo)準(zhǔn)模型(msm)結(jié)構(gòu)的光電探測器主要分為光導(dǎo)型和肖特基型兩種。制備得到了肖特基型的氮化鎵(gan)msm結(jié)構(gòu)紫外光電探測器,采用這種結(jié)構(gòu)的器件主要是因?yàn)槠浒惦娏鞯?、響?yīng)時(shí)間快、響應(yīng)度大、寄生電容小等優(yōu)點(diǎn)。msm形狀的叉指電極是通過傳統(tǒng)的紫外光刻和濕法刻蝕得到的,并采用au作為金屬電極。得到的肖特基型gan紫外光電探測器的暗電流在1v偏壓下為3.5na,器件在1v偏壓下的最大響應(yīng)度值出現(xiàn)在362nm處,大小為0.12a/w,器件的上升時(shí)間小于10ns,下降時(shí)間為210ns。并對(duì)器件響應(yīng)時(shí)間的影響因素進(jìn)行了深入的分析。

意義：石墨烯是一種新型的二維材料，可以認(rèn)為它是以六角點(diǎn)陣排列的單層碳原子。研究人員已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在石墨烯頂部放置了兩個(gè)彼此非?？拷慕饘倬€，并在這一結(jié)構(gòu)上施加光照，可以產(chǎn)生電能。這一簡單裝置已用于太陽能電池。但這類前景廣闊的設(shè)備進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用還有一個(gè)主要障礙：效率低。由于石墨烯是世界上最薄的材料，幾乎不吸收光（約3％），

平衡零拍探測技術(shù)具有低噪聲和高靈敏度的特性,是量子噪聲譜測量的主要方法之一。采用基爾霍夫定律,設(shè)計(jì)并研究了一種具有兩級(jí)放大的平衡零拍光電探測器。由兩個(gè)性能匹配的光電管相減產(chǎn)生的光電流經(jīng)過一級(jí)跨阻放大后差分輸出,再經(jīng)過二級(jí)差分放大電路進(jìn)行放大輸出。結(jié)果表明,探測器飽和功率為5mw,信號(hào)響應(yīng)帶寬約140mhz。當(dāng)入射光功率為2mw、分析頻率小于30mhz時(shí),探測的光學(xué)噪聲功率高于探測器電子噪聲10db以上。在20mhz附近,該探測器的共模抑制比達(dá)55db。