毫米波單刀雙擲開關(guān)的設(shè)計(jì)與制作
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4.5
以0.25μm GaAs PHEMT為基礎(chǔ),介紹了微波單片集成電路開關(guān)模型的設(shè)計(jì)、測試及建模過程,并以此平臺開展了單刀雙擲開關(guān)芯片的設(shè)計(jì)與研制。討論了PHEMT開關(guān)建模的重要性,解決了建模中的關(guān)鍵問題,包括開關(guān)的設(shè)計(jì)、測試系統(tǒng)的校準(zhǔn)、模型參數(shù)的提取,建立了毫米波范圍內(nèi)高精度的等效電路模型。單刀雙擲開關(guān)的設(shè)計(jì)采用了并聯(lián)式反射型電路拓?fù)?開關(guān)的測試采用了微波探針在片測試系統(tǒng),在18~30 GHz獲得了優(yōu)異的電性能,插入損耗IL≤1.5 dB,輸入/輸出駐波比VSWR≤1.5∶1,關(guān)斷狀態(tài)下的隔離度ISO≥30 dB,芯片尺寸為1.2 mm×1.8 mm×0.1 mm。
帶有直流偏置的毫米波單刀雙擲開關(guān)仿真與設(shè)計(jì)
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采用階躍阻抗傳輸線和扇形微帶短截線,實(shí)現(xiàn)了單刀雙擲開關(guān)的直流偏置,使直流支路與毫米波支路之間的隔離度大于30db,帶寬超過25%,在中心頻率30ghz附近回波損耗大于40db。采用這種直流偏置電路和pin梁式引線二極管,基于ltcc工藝對單刀雙擲開關(guān)串聯(lián)結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真。設(shè)計(jì)結(jié)果表明在28.5~31.5ghz頻率范圍內(nèi),串聯(lián)開關(guān)的插入損耗小于1.5db,回波損耗大于15db,隔離度大于20db。
巧用單刀雙擲開關(guān)
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巧用單刀雙擲開關(guān)
5 mm高隔離鰭線單刀雙擲開關(guān)
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4.3
設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了5mm(u頻段)單刀雙擲(singlepoledoublethrow,spdt)開關(guān)模塊。該開關(guān)模塊采用鰭線并聯(lián)pin二極管電路結(jié)構(gòu)形式,通過采用一種全新的高隔離度措施,獲得高隔離、低插損開關(guān)特性。經(jīng)加工測試,開關(guān)模塊在50~56ghz頻帶內(nèi)隔離度大于50db,插損小于2.3db。該模塊已應(yīng)用于5mm射頻組件中。
東芝推出新型GaAsMESFET單刀雙擲開關(guān)
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東芝公司推出一種新的小型低斷面gaasmesfet、單刀雙擲開關(guān)。這種小型開關(guān)非常適用于多波段/多模蜂窩天線開關(guān)組件、藍(lán)牙組件和無線局域網(wǎng)。上述gaasmesfetmmic1ghz下插損0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔離24db。其功率性能優(yōu)良,25ghz下1db壓縮功率(p1db)為17dbm,對于極小型低斷面封裝而言,上述功率性能是非常之好了。這種tg2217ctb型單刀雙擲開關(guān)采用甚小低斷面無引線6針芯片級封
寬帶pin二極管單刀雙擲開關(guān)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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4.4
采用兩個(gè)pin二極管設(shè)計(jì)、仿真,制作了一個(gè)8~20ghz并聯(lián)結(jié)構(gòu)的高功率容量的單刀雙擲開關(guān)。首先通過采用一個(gè)新的電路結(jié)構(gòu),該電路結(jié)構(gòu)除了傳統(tǒng)的并聯(lián)pin單刀雙擲開關(guān)結(jié)構(gòu)外,還有微帶線匹配電路部分,克服了并聯(lián)結(jié)構(gòu)單刀雙擲開關(guān)難以實(shí)現(xiàn)大的帶寬的缺點(diǎn)。然后選擇合適的二極管,根據(jù)其參數(shù),建立開路、短路等效電路模型;利用ansoftdesigner軟件對電路進(jìn)行了仿真和優(yōu)化。最后根據(jù)優(yōu)化結(jié)果制作并測試了單刀雙擲開關(guān)。該單刀雙擲開關(guān)插入損耗在頻率8~20ghz內(nèi)小于1.7db,在頻率8~15ghz內(nèi)小于1.5db;開關(guān)隔離度在整個(gè)頻帶內(nèi)大于21db;在14ghz耐功率容量大于10w(cw)。
一種新型RF MEMS單刀雙擲開關(guān)的設(shè)計(jì)與仿真
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4.7
本文介紹了一種利用單驅(qū)動電壓控制通路選擇的新型rfmems單刀雙擲開關(guān),利用三維仿真軟件ansofthfss和ansys進(jìn)行仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)該開關(guān)的性能。仿真結(jié)果表明:驅(qū)動電壓為22v,開關(guān)時(shí)間為22μs,在中心頻率30ghz處,開關(guān)處于down狀態(tài)下的插入損耗為0.42db,回波損耗為43db,隔離度為29db;而當(dāng)開關(guān)處于up狀態(tài)的插入損耗為0.53db,回波損耗為19db,隔離度為28db,該開關(guān)的性能仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)達(dá)到理想情況。。
單刀雙擲開關(guān)在自動增益控制電路中的應(yīng)用
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4.5
自動增益控制電路(agc)是微波接收機(jī)中常用的一種電路。為了提高器件使用效率,優(yōu)化端口駐波匹配,可以使用單刀雙擲開關(guān)來實(shí)現(xiàn)agc電路。單刀雙擲開關(guān)采用pin二極管制作,其插入損耗小、隔離度較高、并且端口駐波較好。該開關(guān)采用串并聯(lián)電路方式,并利用ansoft公司的serenade軟件對其進(jìn)行仿真優(yōu)化,電路基板使用rogers的rt5880板材。經(jīng)過實(shí)際測試,該agc電路的工作頻率為9.5~10.5ghz,正常支路插損小于4db,帶內(nèi)平坦度0.5db,輸入輸出駐波比小于1.6。
雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)的設(shè)計(jì)
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4.3
西安電子科技大學(xué) 碩士學(xué)位論文 雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)的設(shè)計(jì) 姓名:黃麗芳 申請學(xué)位級別:碩士 專業(yè):微電子學(xué)與固體電子學(xué) 指導(dǎo)教師:賈護(hù)軍 20090101 雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)的設(shè)計(jì) 作者:黃麗芳 學(xué)位授予單位:西安電子科技大學(xué) 本文鏈接:http://d.g.wanfangdata.com.cn/thesis_y1556615.aspx 下載時(shí)間:2010年4月14日
單刀雙擲N型射頻同軸繼電器的設(shè)計(jì)
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4.5
對單刀雙擲射頻同軸繼電器的工作原理和主要技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了介紹,重點(diǎn)闡述了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、ttl電路控制系統(tǒng)、電磁系統(tǒng)及射頻傳輸切換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法,對同類產(chǎn)品的設(shè)計(jì)具有一定的參考意義。
單刀雙擲(也稱單開雙控)開關(guān)在照明電路中的應(yīng)用
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4.7
單刀雙擲(也稱單開雙控)開關(guān) 在照明電路中的應(yīng)用 江蘇省泗陽縣李口中學(xué)沈正中 照明電路中的墻面板開關(guān),一般有單(一)開單(一)控開關(guān) (也稱單刀單擲開關(guān))、雙(兩)開單(一)控開關(guān)、三開單(一) 控開關(guān)、四開單(一)控開關(guān)、單(一)開雙控開關(guān)(也稱單刀 雙擲開關(guān))、雙(兩)開雙(兩)控開關(guān)、三開雙(兩)控開關(guān)、 四開雙(兩)控開關(guān),這里的“單(一)開、雙(兩)開、三開、 四開”是指開關(guān)的個(gè)數(shù)。 雙控開關(guān)可以作單控開關(guān)用,但單控開關(guān)不能作雙控開關(guān)用。 單開雙控開關(guān)接線原理圖如下: 單開雙控實(shí)物接線圖如下: 下圖是單開雙控開關(guān)的實(shí)物圖 下圖是雙開雙控開關(guān)的實(shí)物: 注意,雙控開關(guān)有3、6、9、12、,,個(gè)接線孔的,買開關(guān)時(shí) 要看清楚。 一開雙控開關(guān)有四種接法,見下圖。 上圖中的四種接法雖然能達(dá)到控制燈的開與關(guān),但前兩種不太安 全,不建議使用這兩種方法。因?yàn)闊絷P(guān)掉后,燈的兩邊(有可能)
單刀雙擲(也稱單開雙控)開關(guān)在照明電路中的應(yīng)用
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4.4
單刀雙擲(也稱單開雙控)開關(guān) 在照明電路中的應(yīng)用 江蘇省泗陽縣李口中學(xué)沈正中 照明電路中的墻面板開關(guān),一般有單(一)開單(一)控開關(guān) (也稱
C波段大功率單刀四擲收發(fā)開關(guān)的設(shè)計(jì)
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4.5
采用電磁場分析方法,研究在大功率工作條件下臺面結(jié)構(gòu)pin二極管管芯的工作模式,提取相應(yīng)的s參數(shù),以優(yōu)化并聯(lián)式開關(guān)電路的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),分析開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的電性能,以及大信號下的功率損耗,研制出了c波段大功率單刀四擲開關(guān)。在5.1~5.7ghz頻帶內(nèi),測得開關(guān)小信號插損小于0.67db、駐波比小于1.2、隔離度優(yōu)于55db、開通時(shí)間優(yōu)于380ns、關(guān)斷時(shí)間優(yōu)于230ns;大信號插損小于1.1db、檢波延遲時(shí)間優(yōu)于118ns,設(shè)計(jì)指標(biāo)滿足了工程應(yīng)用的要求。
毫米波平面縫隙單脈沖天線設(shè)計(jì)
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4.4
根據(jù)等效原理和縫隙表面的邊界條件,應(yīng)用矩量法,通過求解計(jì)算天線陣面中并聯(lián)輻射縫隙的自導(dǎo)納,完成了一個(gè)ka波段平面縫隙單脈沖天線的設(shè)計(jì)。理論與實(shí)驗(yàn)的對比結(jié)果表明,該設(shè)計(jì)較好地達(dá)到了要求。
毫米波平板隙縫陣天線工藝設(shè)計(jì)與制造
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4.5
毫米波平板隙縫陣天線具有增益高、副瓣低、體積小和質(zhì)量輕等優(yōu)點(diǎn),是毫米波雷達(dá)的關(guān)鍵設(shè)備。針對其多層、空腔、薄壁的復(fù)雜結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和加工精度高、封裝性好的工藝要求,結(jié)合集成工藝設(shè)計(jì),應(yīng)用cad/cam一體化技術(shù)和精密連接技術(shù),實(shí)現(xiàn)了天線的高技戰(zhàn)術(shù)性能要求。
一種單端匹配式PIN單刀單擲功率開關(guān)芯片
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4.8
采用pin二極管工藝技術(shù),設(shè)計(jì)、制作了一種微波單端匹配式pin單刀單擲功率開關(guān)芯片,并給出了詳細(xì)測試曲線。該開關(guān)由四級pin二極管組成,采用單端匹配結(jié)構(gòu)。工作頻率8~10ghz,整個(gè)帶內(nèi)插入損耗小于0.7db,輸出端口駐波比小于1.4:1,輸入端口開關(guān)態(tài)駐波比均小于1.4:1,在9ghz點(diǎn)頻下測得1db壓縮點(diǎn)輸入功率大于31dbm,芯片內(nèi)部集成偏置電路,采用+5v/-5v供電,在+5v工作條件下,電流20ma。該芯片面積為2.0mm×1.4mm。
1~26.5GHz GaAs PIN單刀單擲開關(guān)單片
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4.6
采用gaaspin二極管,完成1~26.5ghz的單刀單擲開關(guān)單片的設(shè)計(jì)、制作。spst開關(guān)單片帶內(nèi)插損小于0.5db,駐波優(yōu)于1.1,隔離度大于27db,在10~26.5ghz,隔離度大于37db。開關(guān)單片采用mocvd生長的gaas縱向pin二極管材料結(jié)構(gòu),76mmgaas圓片工藝加工制作。
一種基于MMIC技術(shù)的S波段GaAs單刀單擲開關(guān)
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4.3
射頻開關(guān)作為一個(gè)系統(tǒng)的重要組成部分其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的指標(biāo)和功能。其中插入損耗和隔離度以及開關(guān)速度是射頻開關(guān)最重要的幾個(gè)指標(biāo)。在實(shí)際測試中,s波段脈沖信號源需要產(chǎn)生快前沿的窄脈沖信號。在此基于上述需求,利用了射頻開關(guān)模塊設(shè)計(jì)的基本原理,并結(jié)合了pcb上微帶線的特性阻抗分析,且設(shè)計(jì)了合適的開關(guān)驅(qū)動電路,最終設(shè)計(jì)出一種高隔離度,低插入損耗,高速射頻開關(guān),開關(guān)控制電壓為(0,-5v)。在頻率2~4ghz的條件下,插入損耗小于1.7db,隔離度大于48db,結(jié)果滿足設(shè)計(jì)要求。
單刀雙開關(guān)
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4.7
單刀雙開關(guān) 開關(guān)中單刀雙擲與單刀單擲有什么區(qū)別? 船形開關(guān)分類:單刀單擲:1個(gè)動觸點(diǎn)和1個(gè)靜觸點(diǎn)。只有1通道/— 單刀雙擲:1個(gè)動觸點(diǎn)和2個(gè)靜觸點(diǎn),—/—(可分別接通兩邊的靜觸 點(diǎn))雙刀單擲,2個(gè)動觸點(diǎn)和2個(gè)靜觸點(diǎn),有2個(gè)通道‖雙刀雙擲,2 個(gè)動觸點(diǎn)和4個(gè)靜觸點(diǎn),有4個(gè)通道〓(可分別接通兩邊的2個(gè)靜觸 點(diǎn)))參考:... 單刀雙擲開關(guān)怎么接 首先要認(rèn)清單刀雙擲開關(guān)的動端和不動端,動端就是所謂的“刀”, 它應(yīng)該連接電源的進(jìn)線,也就是來電的一端,一般也是與開關(guān)的手柄 相連的一端;另外的兩端就是電源輸出的兩端,也就是所謂的不動端, 它們是與用電設(shè)備相連的。單刀雙擲開關(guān)的作用,一是可以控制電源 向兩個(gè)不同的方向... 單刀雙擲開關(guān)初中物理題 你問對我啦。單刀開關(guān)的兩端分別接r0和rx,r0,rx另兩端接在一 起把電流表接在干路,總開關(guān)接在
雙刀雙擲開關(guān)
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4.7
雙刀雙擲開關(guān) 1、概念。 雙刀雙擲開關(guān),雙刀顧名思義指的是可動的導(dǎo)電刀閘片有兩片。兩片刀閘片 上接有電源;當(dāng)?shù)堕l片切到上端與靜刀口接通時(shí)則為其供電,此時(shí)下靜刀口 則無電。當(dāng)?shù)堕l片切到下端的靜刀口接通時(shí)則此路供電,此時(shí)上靜刀口則無 電,這種用法是一路電源為兩路用電線路不同時(shí)供電的用法。還有一種用法 就是刀閘片連接的是用電側(cè)的線路而上下靜刀口則分別接入兩路電源,通過 動刀片與不同的靜刀口接通實(shí)現(xiàn)兩路電源為一條線路供電。 2、實(shí)物圖 3、有六個(gè)接線端,分別為1.2.3和4.5.6.其中2和4為公共端。 4、幾種電路圖 5、實(shí)際應(yīng)用電路
Custom MMIC公司宣布推出新型DC-26GHz單刀雙擲開關(guān)
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4.7
custommmic公司是單片微波集成電路開發(fā)商,最近在其標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品序列中又添加了一種新的單刀雙擲開關(guān)-cmd230。據(jù)稱,這是該公司單刀雙擲開關(guān)中插入損耗最小的,為1.4db。cmd230是以芯片形式存在的通用寬帶高隔離反射的mmicspdt。帶寬涵蓋dc-26ghz,具有低的插入損耗(1.4db),輸入ip3為37dbm,13ghz時(shí)具
毫米波超寬帶大功率單片單刀雙擲開關(guān)
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4.6
采用gaaspin工藝設(shè)計(jì)和制作了毫米波超寬帶大功率單刀雙擲開關(guān)單片集成電路。在gaaspin二極管建模階段充分考慮寄生效應(yīng)對模型的影響,獲得高精度模型;在電路設(shè)計(jì)階段采用gaaspin二極管單級并聯(lián)結(jié)構(gòu),提高功率特性;在工藝加工階段調(diào)整p+層、n+層的摻雜濃度和i層的厚度,獲得低損耗、高功率特性的gaaspin二極管;最終制備的單刀雙擲開關(guān)芯片在片測試表明,在25~40ghz范圍內(nèi)插入損耗小于1.0db,隔離度大于25db,輸入輸出電壓駐波比小于2.0∶1,具有優(yōu)異的寬帶小信號特性;35ghz下承受功率高達(dá)34dbm,具有非常好的功率特性。
基于ARM的毫米波天線自動對準(zhǔn)平臺系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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4.8
在毫米波中繼通信設(shè)備中,為提高對準(zhǔn)精度,縮短對準(zhǔn)時(shí)間,滿足快速反應(yīng)的要求,并結(jié)合毫米波波瓣窄,方向性強(qiáng)的特點(diǎn),創(chuàng)造性地提出了毫米波天線自動對準(zhǔn)平臺系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。在天線對準(zhǔn)過程中,將復(fù)雜的的空間搜索轉(zhuǎn)換成兩個(gè)簡單的水平和垂直搜索,簡化了搜索控制算法。采用基于arm的32位微處理器lpc2294進(jìn)行控制,用步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動平臺和毫米波設(shè)備轉(zhuǎn)動,實(shí)現(xiàn)毫米波通信設(shè)備的快速準(zhǔn)確對準(zhǔn)。毫米波中繼通信設(shè)備在國內(nèi)還處于研發(fā)改進(jìn)階段,所以該對準(zhǔn)平臺系統(tǒng)具有極大的參考意義。
聲光控開關(guān)設(shè)計(jì)與制作
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4.4
聲光控開關(guān)設(shè)計(jì)與制作
雙0.5Ω單極/單擲和單極/雙擲開關(guān)
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4.5
isl54062是雙0.5ωspdt開關(guān),具有低導(dǎo)通電阻和低壓操作的特點(diǎn),可處理信號輸入上的負(fù)電壓信號。其工作電壓為+1.8v~+6.5v,可傳送低于正電壓軌、最大擺幅達(dá)6.5v的信號。isl54062和該系列的其他產(chǎn)品,包括isl54063和isl54064,帶有intersil的“咔噠”聲消除電路。
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職位:工程勞務(wù)員(預(yù)算員)
擅長專業(yè):土建 安裝 裝飾 市政 園林