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更新時(shí)間：2024.12.29
大功率LED封裝工藝系列之焊線篇

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大功率 LED封裝工藝系列之焊線篇 大功率 LED封裝工藝系列之焊線篇 一、基礎(chǔ)知識(shí) 1. 目的 在壓力、熱量和超聲波能量的共同作用下，使金絲在芯片電極和外引線 鍵合區(qū)之間形成 良好的歐姆接觸，完成內(nèi)外引線的連接。 2. 技術(shù)要求 2.1 金絲與芯片電極、引線框架鍵合區(qū)間的連接牢固 2.2 金絲拉力： 25μm金絲 F最小>5CN,F平均 >6CN: 32μm金絲 F最 小>8CN,F平均>10CN。 2.3 焊點(diǎn)要求 2.3.1 金絲鍵合后第一、第二焊點(diǎn)如圖（ 1）、圖（ 2） 2.3.2 金球及契形大小說(shuō)明 金球直徑 A: ф25um金絲： 60-75um，即為 Ф 的 2.4-3.0 倍； 球型厚度 H：ф25um金絲： 15-20um，即為 Ф 的 0.6-0.8 倍； 契形長(zhǎng)度 D: ф25um金絲： 70-85um，即為 Ф 的 2.8-3.4 倍； 2.3.3 金球根部不能有

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大功率 LED 封裝工藝系列之焊線篇 一、基礎(chǔ)知識(shí) 1. 目的 在壓力、熱量和超聲波能量的共同作用下，使金絲在芯片電極和外引線鍵合 區(qū)之間形成 良好的歐姆接觸，完成內(nèi)外引線的連接。 2. 技術(shù)要求 2.1 金絲與芯片電極、引線框架鍵合區(qū)間的連接牢固 2.2 金絲拉力： 25μm金絲 F 最小>5CN,F 平均>6CN: 32μm金絲 F 最小 >8CN,F 平均>10CN。 2.3 焊點(diǎn)要求 2.3.1 金絲鍵合后第一、第二焊點(diǎn)如圖（ 1）、圖（ 2） 2.3.2 金球及契形大小說(shuō)明 金球直徑 A: ф25um金絲：60-75um ，即為 Ф的 2.4-3.0 倍； 球型厚度 H：ф25um金絲： 15-20um ，即為 Ф的 0.6-0.8 倍； 契形長(zhǎng)度 D: ф25um金絲：70-85um ，即為 Ф的 2.8-3.4 倍； 2.3.3 金球根部不能有明顯的損傷或變細(xì)的現(xiàn)象，契形處不

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