高壓模機(jī)型盤

SOI(Silicon On Insulator)高壓集成電路(High Voltage Integrated Circuit,HVIC)因其具有高速、低功耗、抗輻照以及易于隔離等優(yōu)點而得以廣泛應(yīng)用。作為SOIHVIC的核心器件,SOI橫向高壓器件較低的縱向擊穿電壓,限制了其在高壓功率集成電路中的應(yīng)用。為此,國內(nèi)外眾多學(xué)者提出了一系列新結(jié)構(gòu)以提高SOI橫向高壓器件的縱向耐壓。但迄今為止,SOI橫向高壓器件均采用SiO2作為埋層,且實用SOI器件擊穿電壓不超過600V;同時,就SOI橫向器件的電場分布和耐壓解析模型而言,現(xiàn)有的模型僅針對具有均勻厚度埋氧層和均勻厚度漂移區(qū)的SOI器件建立,而且沒有一個統(tǒng)一的理論來指導(dǎo)SOI橫向高壓器件的縱向耐壓設(shè)計。筆者圍繞SOI橫向高壓器件的耐壓問題,從耐壓理論、器件結(jié)構(gòu)和耐壓解析模型幾方面進(jìn)行了研究。基于SOI器件介質(zhì)層電場臨界化的思想,提出介質(zhì)電場增強(qiáng)ENDIF(Enhanced Dielectric LayerField)理論。在ENDIF理論指導(dǎo)下,提出三類SOI橫向高壓器件新結(jié)構(gòu),建立相應(yīng)的耐壓解析模型,并進(jìn)行實驗。(1)ENDIF理論對現(xiàn)有典型橫向SOI高壓器件的縱向耐壓機(jī)理統(tǒng)一化ENDIF理論的思想是通過增強(qiáng)埋層電場而提高SOI橫向器件的縱向耐壓。ENDIF理論給出了增強(qiáng)埋層電場的三種途徑:采用低εr(相對介電常數(shù))介質(zhì)埋層、薄SOI層和在漂移區(qū)/埋層界面引入電荷,并獲得了一維近似下埋層電場和器件耐壓的解析式。ENDIF理論可對現(xiàn)有典型SOI橫向高壓器件的縱向耐壓機(jī)理統(tǒng)一化,它突破了傳統(tǒng)SOI橫向器件縱向耐壓的理論極限,是優(yōu)化設(shè)計SOI橫向高壓器件縱向耐壓的普適理論。(2)基于ENDIF理論,提出以下三類SOI橫向高壓器件新結(jié)構(gòu),并進(jìn)行理論和實驗研究①首次提出低εr型介質(zhì)埋層SOI高壓器件新型結(jié)構(gòu)及其耐壓解析模型低εr型介質(zhì)埋層SOI高壓器件包括低εr介質(zhì)埋層SOI高壓器件、變εr介質(zhì)埋層SOI高壓器件和低εr介質(zhì)埋層PSOI(PartialSOI)高壓器件。該類器件首次將低介電系數(shù)且高臨界擊穿電場的介質(zhì)引入埋層或部分埋層,利用低εr介質(zhì)增強(qiáng)埋層電場、變εr介質(zhì)調(diào)制埋層和漂移區(qū)電場而提高器件耐壓。通過求解二維Poisson方程,并考慮變εr介質(zhì)對埋層和漂移區(qū)電場的調(diào)制作用,建立了變εr介質(zhì)埋層SOI器件的耐壓模型,由此獲得RESURF判據(jù)。此模型和RESURF判據(jù)適用于變厚度埋層SOI器件和均勻介質(zhì)埋層SOI器件,是變介質(zhì)埋層SOI器件(包括變εr和變厚度介質(zhì)埋層SOI器件)和均勻介質(zhì)埋層SOI器件的統(tǒng)一耐壓模型。借助解析模型和二維器件仿真軟件MEDICI研究了器件電場分布和擊穿電壓與結(jié)構(gòu)參數(shù)之間的關(guān)系。結(jié)果表明,變εr介質(zhì)埋層SOI高壓器件的埋層電場和器件耐壓可比常規(guī)SOI器件分別提高一倍和83%,當(dāng)源端埋層為高熱導(dǎo)率的Si3N4而不是SiO2時,埋層電場和器件耐壓分別提高73%和58%,且器件最高溫度降低51%。解析結(jié)果和仿真結(jié)果吻合較好。②提出并成功研制電荷型介質(zhì)場增強(qiáng)SOI高壓器件筆者提出的電荷型介質(zhì)場增強(qiáng)SOI高壓器件包括:(a)雙面電荷槽SOI高壓器件和電荷槽PSOI高壓器件,其在埋氧層的一側(cè)或兩側(cè)形成介質(zhì)槽。根據(jù)ENDIF理論,槽內(nèi)束縛的電荷將增強(qiáng)埋層電場,進(jìn)而提高器件耐壓。電荷槽PSOI高壓器件在提高耐壓的基礎(chǔ)上還能降低自熱效應(yīng);(b)復(fù)合埋層SOI高壓器件,其埋層由兩層氧化物及其間多晶硅構(gòu)成。該器件不僅利用兩層埋氧承受耐壓,而且多晶硅下界面的電荷增強(qiáng)第二埋氧層的電場,因而器件耐壓提高。開發(fā)了基于SDB(Silicon Direct Bonding)技術(shù)的非平面埋氧層SOI材料的制備工藝,并研制出730V的雙面電荷槽SOILDMOS和760V的復(fù)合埋層SOI器件,前者埋層電場從常規(guī)結(jié)構(gòu)的低于120V/μm提高到300V/μm,后者第二埋氧層電場增至400V/μm以上。③提出薄硅層階梯漂移區(qū)SOI高壓器件新結(jié)構(gòu)并建立其耐壓解析模型該器件的漂移區(qū)厚度從源到漏階梯增加。其原理是:在階梯處引入新的電場峰,新電場峰調(diào)制漂移區(qū)電場并增強(qiáng)埋層電場,從而提高器件耐壓。通過求解Poisson方程,建立階梯漂移區(qū)SOI器件耐壓解析模型。借助解析模型和數(shù)值仿真,研究了器件結(jié)構(gòu)參數(shù)對電場分布和擊穿電壓的影響。結(jié)果表明:對tI=3μm,tS=0.5μm的2階梯SOI器件,耐壓比常規(guī)SOI結(jié)構(gòu)提高一倍,且保持較低的導(dǎo)通電阻。仿真結(jié)果證實了解析模型的正確性。

電機(jī)型號參數(shù)大全，再也不怕看不懂型號了 電動機(jī)型號是便于使用、 設(shè)計、制造等部門進(jìn)行業(yè)務(wù)聯(lián)系和簡化技術(shù)文件中 產(chǎn)品名稱、規(guī)格、型式等敘述而引用的一種代號。 下面為大家介紹電動機(jī)型號含 義等信息。 一、電動機(jī)型號組成及含義 ? 由電機(jī)類型代號、電機(jī)特點代號、設(shè)計序號和勵磁方式代號等四個小節(jié)順序組成。 1、類型代號是表征電機(jī)的各種類型而采用的漢語拼音字母。 比如：異步電動機(jī) ?Y?同步電動機(jī) ?T 同步發(fā)電機(jī) ?TF?直流電動機(jī) ?Z 直流發(fā)電機(jī) ?ZF 2、特點代號是表征電機(jī)的性能、結(jié)構(gòu)或用途，也采用漢語拼音字母表示。 比如：隔爆型用 B 表示?YB 軸流通風(fēng)機(jī)上用 ?YT 電磁制動式 ?YEJ ?變頻調(diào)速式 ?YVP 變極多速式 ?YD?起重機(jī)用 ?YZD 等。 3、設(shè)計序號是指電機(jī)產(chǎn)品設(shè)計的順序，用阿拉伯?dāng)?shù)字表示。對于第一次設(shè)計的 產(chǎn)品不標(biāo)注設(shè)計序號，對系列產(chǎn)品所派生的產(chǎn)品按設(shè)計的順序標(biāo)