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更新時(shí)間：2025.01.04
C波段大功率單刀四擲收發(fā)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)

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采用電磁場(chǎng)分析方法,研究在大功率工作條件下臺(tái)面結(jié)構(gòu)PIN二極管管芯的工作模式,提取相應(yīng)的S參數(shù),以優(yōu)化并聯(lián)式開(kāi)關(guān)電路的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),分析開(kāi)關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的電性能,以及大信號(hào)下的功率損耗,研制出了C波段大功率單刀四擲開(kāi)關(guān)。在5.1~5.7GHz頻帶內(nèi),測(cè)得開(kāi)關(guān)小信號(hào)插損小于0.67dB、駐波比小于1.2、隔離度優(yōu)于55dB、開(kāi)通時(shí)間優(yōu)于380ns、關(guān)斷時(shí)間優(yōu)于230ns;大信號(hào)插損小于1.1dB、檢波延遲時(shí)間優(yōu)于118ns,設(shè)計(jì)指標(biāo)滿足了工程應(yīng)用的要求。

一種單端匹配式PIN單刀單擲功率開(kāi)關(guān)芯片

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采用PIN二極管工藝技術(shù),設(shè)計(jì)、制作了一種微波單端匹配式PIN單刀單擲功率開(kāi)關(guān)芯片,并給出了詳細(xì)測(cè)試曲線。該開(kāi)關(guān)由四級(jí)PIN二極管組成,采用單端匹配結(jié)構(gòu)。工作頻率8～10GHz,整個(gè)帶內(nèi)插入損耗小于0.7dB,輸出端口駐波比小于1.4:1,輸入端口開(kāi)關(guān)態(tài)駐波比均小于1.4:1,在9GHz點(diǎn)頻下測(cè)得1dB壓縮點(diǎn)輸入功率大于31dBm,芯片內(nèi)部集成偏置電路,采用+5V/-5V供電,在+5V工作條件下,電流20mA。該芯片面積為2.0mm×1.4mm。

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