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更新時(shí)間：2024.12.29
硼硅酸鹽玻璃晶片激光標(biāo)識(shí)的制作技術(shù)

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晶片標(biāo)識(shí)碼的手寫方式存在不美觀、字體邊緣玻璃蹦渣及劃痕深等缺點(diǎn)。某些MEMS工藝玻璃-Si鍵合片需KOH腐蝕。采用手寫,KOH通過玻璃片標(biāo)碼部位侵入晶片正面而腐蝕器件結(jié)構(gòu)。因此,采用波長(zhǎng)10640 nm CO2激光器針對(duì)玻璃晶片進(jìn)行激光標(biāo)識(shí)制作的打標(biāo)工藝。研究中分別改變激光平均輸出功率、脈沖頻率及掃描速度,借助目視、金相顯微鏡及動(dòng)態(tài)三維光學(xué)輪廓儀來(lái)觀察標(biāo)識(shí)碼的清晰度、是否產(chǎn)生裂紋及字體凸起程度,了解它們與上述參數(shù)間相互對(duì)應(yīng)關(guān)系。重點(diǎn)解決清晰度與凸起高度的矛盾,從而得到清晰、無(wú)裂紋且凸起高度滿足后續(xù)半導(dǎo)體納米級(jí)加工工藝要求的激光標(biāo)碼技術(shù)。結(jié)果表明:脈沖頻率對(duì)清晰度、裂紋產(chǎn)生及凸起高度無(wú)顯著影響;平均功率與清晰度及凸起程度呈正比例關(guān)系,與裂紋產(chǎn)生無(wú)相關(guān)性;掃描速度與清晰度、裂紋產(chǎn)生的可能性及凸起高度呈反比關(guān)系。采用40%平均功率,20 k Hz頻率,150 mm/s掃描速度及單線字體(JCZ Single Line)進(jìn)行標(biāo)刻時(shí),標(biāo)識(shí)碼在目視及鏡檢下清晰可視,無(wú)微細(xì)裂紋,輪廓儀測(cè)量結(jié)果顯示字跡凸起高度為185 nm。應(yīng)用上述條件標(biāo)碼的玻璃片與Si鍵合并在KOH中腐蝕5 h后無(wú)KOH進(jìn)入晶片正面的現(xiàn)象發(fā)生。

紫外激光標(biāo)記空氣開關(guān)的工藝研究

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激光器的打標(biāo)速度、頻率、填充間隔、電流、離焦量等工藝參數(shù)直接影響空氣開關(guān)的打標(biāo)效果。實(shí)驗(yàn)根據(jù)5因素4水平正交表L16(45)改變激光工藝參數(shù),利用分光測(cè)色計(jì)和二維碼掃描器對(duì)激光標(biāo)記分別進(jìn)行色差和讀碼率的測(cè)量,通過正交分析法和極差法研究激光工藝參數(shù)對(duì)打標(biāo)效果的影響。研究表明:色差與讀碼率的數(shù)據(jù)趨于正比關(guān)系,并且存在一個(gè)閾值色差;當(dāng)激光參數(shù)的速度為1 000mm/s、頻率為20～30kHz、填充間隔為0.04mm、電流為28A、離焦量為-1mm時(shí),在空氣開關(guān)上打標(biāo)出點(diǎn)密度合適、色差對(duì)比度高、易于讀取的二維碼。

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