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摻Tm3+光纖激光器在工業(yè)、醫(yī)療、科技及軍事領域具有重要應用前景。光纖布拉格光柵(FBG)是構成光纖激光器的重要元件。但摻Tm3+光纖不具備光敏性,利用紫外脈沖激光很難在其中刻寫FBG,即使采用增敏技術提高其光敏性,獲得的FBG的折射率調制量也很小,尚不能滿足應用要求,阻礙了摻Tm3+光纖激光器全光纖化的發(fā)展。以相位掩模法的基本原理為基礎,從理論上分析了以飛秒激光為刻寫光源的技術要點,總結出與傳統(tǒng)紫外激光刻寫技術之間的差異及需要注意的問題。建立了飛秒激光相位掩模法刻寫光纖光柵的實驗系統(tǒng),利用飛秒激光相位掩模法在非光敏光纖上刻寫B(tài)ragg光柵,在非光敏摻Tm3+硅基光纖上獲得了衍射階次為二的光纖Bragg光柵,并給出了顯微鏡下觀察到的光柵結構。實驗結果證明:飛秒激光可以將FBG刻寫入非光敏性硅基光纖,并且具有成柵時間短的優(yōu)點。
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柔性聚酯膜襯底薄膜電池通過激光刻蝕等工藝形成集成串聯(lián),激光刻蝕柔性薄膜太陽電池復合背反射層(Ag/ZnO)是其中的重要工藝。首先對聚酰亞胺(PI)、Ag、ZnO材料的光學特性進行了分析,然后采用1 064nm脈沖激光與532nm脈沖激光分別對柔性薄膜太陽電池復合背反射層進行刻蝕研究。通過改變重復頻率、激光功率、掃描速度和焦點位置等參數(shù),分析了激光刻蝕物理機制,獲得了好的刻蝕效果。結果表明,1 064nm納秒脈沖激光更適合刻蝕柔性PI襯底復合背反射層Ag/ZnO,在激光功率860mW、刻蝕速度800mm/s和重復頻率50kHz下,獲得了底部平整、兩側無尖峰的刻線,刻線寬為32μm,滿足柔性薄膜太陽電池集成串聯(lián)組件的制備工藝要求。