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更新時(shí)間:2024.12.28
電離輻射防護(hù)涂料的研究

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電離輻射防護(hù)涂料的研究

反熔絲FPGA電路瞬時(shí)電離輻射效應(yīng)及加固設(shè)計(jì)

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針對(duì)反熔絲FPGA電路,在"強(qiáng)光一號(hào)"加速器上進(jìn)行了瞬時(shí)電離輻射試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)γ射線瞬時(shí)電離輻射會(huì)導(dǎo)致FPGA內(nèi)部寄存器清零,使FPGA運(yùn)行狀態(tài)被初始化。為了解決該問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種"FPGA+FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)+特殊時(shí)序讀寫軟件"的加固電路,通過(guò)γ射線瞬時(shí)電離輻射試驗(yàn)證明:該加固電路實(shí)現(xiàn)了瞬時(shí)電離輻射狀態(tài)下FPGA內(nèi)部重要數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)保存與恢復(fù),成功規(guī)避了FPGA電路的瞬時(shí)電離輻射效應(yīng)。

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