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文章基于LED芯片和LED單燈的工作原理和制程工藝,探討了LED芯片封裝以后正向電壓VF升高和降低的常見原因,并提出了改善措施。對于GaN基雙電極芯片,由于芯片工藝制程或后續(xù)封裝工藝因素,造成芯片表面鍍層(ITO或Ni/Au)與P-GaN外延層之間的結(jié)合被破壞,歐姆接觸電阻變大。對于GaAs基單電極芯片,由于封裝材料和工藝因素,導(dǎo)致芯片背金(N-electrode)與銀膠,或銀膠與支架之間的接觸電阻變大,從而LED正向電壓VF升高。LED正向電壓VF降低最常見的原因為芯片PN結(jié)被ESD或外界大電流損傷或軟擊穿,反向漏電過大,失去了二極管固有的I-V特性。
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