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爐管工藝 引言 IC 行業(yè)所用的爐管目前主要是垂直式的（水平式的已經(jīng)很少用了） ，按使用 壓力不同分為常壓爐管和低壓爐管。常壓爐管主要用于熱氧化制程，熱退火， BPSG熱回流，熱烘烤，合金等諸方面。 低壓爐管則主要用于 LPCVD 沉積工藝， 包括多晶硅的形成，氮化硅的形成， HTO 和 TEOS等；HTO 和 TEOS都是用來 生成二氧化硅的。本篇主要介紹爐管的基本知識及有關(guān)工藝。 §1. 常壓爐管工藝 硅表面上總是覆蓋著一層二氧化硅，即使是剛剛解理的硅，在室溫下，只要 在空氣中一暴露就會在表面上形成幾個原子層的氧化膜。 當(dāng)我們把硅晶片暴露在 高溫且含氧的環(huán)境里一段時間之后， 硅晶片的表面會生長 （grow）一層與硅附著 性良好，且具有高度穩(wěn)定的化學(xué)性和電絕緣性的二氧化硅—— SiO2。正因為二氧 化硅具有這樣好的性質(zhì)，它在硅半導(dǎo)體元件中的應(yīng)用非常廣泛。 根據(jù)不同的需要， 二氧化硅被用于
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