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86RCD吸收電路的影響和設(shè)計(jì)方法(定性分析)

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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路

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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之 MOS管反峰及 RCD吸收回路 技術(shù)分類： 電源技術(shù) 電源網(wǎng) 對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的 條件面前做出選擇， 那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話 題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主 MOS管最大反峰， 又要 RCD吸收回路功耗最?。?在討論前我們先做幾個(gè)假設(shè)： ① 開(kāi)關(guān)電源的工作頻率范圍 :20~200KHZ； ② RCD中的二極管正向?qū)〞r(shí)間很短（一般為幾十納 秒）； ③ 在調(diào)整 RCD回路前主變壓器和 MOS管，輸出線路的參 數(shù)已經(jīng)完全確定。 有了以上幾個(gè)假設(shè)我們就可以先進(jìn)行計(jì)算： 一﹑首先對(duì) MOS管的 VD進(jìn)行分段： ⅰ，輸入的直流電壓 VDC； ⅱ，次級(jí)反射初級(jí)的 VOR； ⅲ，主 MOS管 VD余量 VDS； ⅳ，RCD吸收有效電壓 VRCD1。 二﹑對(duì)于以上主 MOS管 VD的幾部分進(jìn)行計(jì)算： ⅰ，輸入的直流電壓 VDC。 在計(jì)算

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