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更新時(shí)間：2024.12.28
發(fā)光LED的原理及特性詳解(精)

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發(fā)光 LED 的原理及特性詳解 （一） LED 發(fā)光原理 -Ⅳ族化合物，如 GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導(dǎo)體制成的，其核 心是 PN 結(jié)。因此它具有一般 P-N 結(jié)的 I-N 特性，即正向?qū)?，反?有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由 N 區(qū)注入 P區(qū)，空穴由 P區(qū)注入 N 區(qū)。進(jìn)入對(duì)方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部 分與多數(shù)載流子（多子）復(fù)合而發(fā)光，如圖 1所示。 假設(shè)發(fā)光是在 P 區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合 發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個(gè)中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復(fù) 合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復(fù)合量相對(duì)于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大，光量子效率越高。由于 復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在靠近 PN 結(jié)面數(shù) μm 以內(nèi)產(chǎn)生。理論和實(shí)

小尺寸反射型3色發(fā)光貼片LED開發(fā)成功

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2012年4月17日,日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社近日面向移動(dòng)設(shè)備和娛樂(lè)設(shè)備等,成功開發(fā)出1.8 mm×1.6 mm小尺寸的小型高亮度反射型3色發(fā)光貼片LED＂MSL0301RGBW＂、＂MSL0401RGBW＂。3色發(fā)光型LED是在同一個(gè)封裝中內(nèi)置光的三原色RGB發(fā)光元件，可實(shí)現(xiàn)包括白色在內(nèi)的全彩發(fā)光。

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