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更新時(shí)間：2024.12.29
大拋光模磁流變超光滑平面拋光技術(shù)研究

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近年來(lái),隨著信息電子技術(shù)、光電技術(shù)及半導(dǎo)體照明技術(shù)的迅速發(fā)展,超光滑平面元器件需求越來(lái)越大,這些表面要求達(dá)到亞納米級(jí)表面粗糙度、微米級(jí)面形精度且無(wú)表面和亞表面損傷,傳統(tǒng)超精密拋光技術(shù)由于耗時(shí)、成本高、易產(chǎn)生表面損傷,難以滿足大批量生產(chǎn)的要求。磁流變加工被認(rèn)為是一種極具前景的獲取低損傷鏡面的技術(shù)手段,然而,傳統(tǒng)磁流變加工方法拋光點(diǎn)面積小,加工效率低。為解決上述問(wèn)題,本文在比較分析國(guó)內(nèi)外超光滑表面加工技術(shù)的基礎(chǔ)上,提出了一種大拋光模磁流變超光滑平面拋光技

光電效應(yīng)3

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光電效應(yīng)和普朗克常量的測(cè)定 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?了解光電效應(yīng)的基本規(guī)律；學(xué)會(huì)用光電效應(yīng)法測(cè)普朗克常量；測(cè)定并畫(huà)出光電 管的光電特性曲線。 二、實(shí)驗(yàn)儀器 水銀燈、濾光片、遮光片、光電管、光電效應(yīng)參數(shù)測(cè)試儀。 三、實(shí)驗(yàn)原理 光電效應(yīng)： 當(dāng)光照射在物體上時(shí)，光子的能量一部分以熱的形式被物體吸收，另一部分則 轉(zhuǎn)換為物體中一些電子的能量，使部分電子逃逸出物體表面。這種現(xiàn)象稱(chēng)為光電效 應(yīng)。愛(ài)因斯坦曾憑借其對(duì)光電效應(yīng)的研究獲得諾貝爾獎(jiǎng)。在光電效應(yīng)現(xiàn)象中，光展 示其粒子性，同時(shí)也提出了光的量子性。 光電效應(yīng)裝置： S為真空光電管。內(nèi)有電極板， A、K極板分別為陽(yáng)極和陰極。 G為檢流計(jì)（或 靈敏電流表）。無(wú)光照時(shí)，光電管內(nèi)部斷路， G中沒(méi)有電流通過(guò)。 U為電壓表，測(cè) 量光電管端電壓。由于光電管相當(dāng)于阻值很大的“電阻”，與其相比之下檢流計(jì)的 內(nèi)阻基本忽略。故檢流計(jì)采用“內(nèi)接法”。 用一波長(zhǎng)較短（光子能量較大）的單色

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