VIA Nano性能評(píng)測(cè)
Intel雙核Atom對(duì)決VIANano性能實(shí)測(cè)
Intel近期發(fā)布了雙核心Atom處理器,主要針對(duì)Nettop廉價(jià)迷你上網(wǎng)PC。雖然只是簡(jiǎn)單 的將兩顆單核心Die封裝在一顆芯片中,但雙核帶來(lái)的性能提升是毋庸置疑的,它的出現(xiàn)有望讓Atom丟掉性能不佳的壞名聲,真正讓廉價(jià)Nettop機(jī)型擁有主流性能。
另一方面,威盛今年5月發(fā)布的Nano玲瓏低功耗平臺(tái)被寄予了厚望。然而幾個(gè)月過(guò)去了,Atom上網(wǎng)本已經(jīng)熱銷全球,Nano平臺(tái)機(jī)型在市場(chǎng)上卻難覓蹤影。想要知道Atom和Nano之間究竟性能孰優(yōu)孰劣更是難有機(jī)會(huì)。日前,Xbit網(wǎng)站終于拿到各款Nettop平臺(tái)進(jìn)行了對(duì)比性能測(cè)試,測(cè)試平臺(tái)包括單雙核Atom,VIANano,以及作為對(duì)比的傳統(tǒng)低端桌面處理器,即最新款的Core微架構(gòu)單雙核賽揚(yáng)平臺(tái)。
測(cè)試平臺(tái)
-包括三款整合CPU主板和一塊普通LGA775主板:
-華碩P5GC-MX/1333(對(duì)應(yīng)LGA775處理器賽揚(yáng)420和賽揚(yáng)E1200,945GC芯片組)
-IntelD945GCLF2(對(duì)應(yīng)雙核Atom330,945GC芯片組)
-IntelD945GCLF(對(duì)應(yīng)單核Atom230,945GC芯片組)
-VIAEPIASN(對(duì)應(yīng)VIANanoL2100,VIACN896芯片組)
內(nèi)存:單條2GBDDR2-667(5-4-4-15)
硬盤:西部數(shù)據(jù)萬(wàn)轉(zhuǎn)SATARaptorWD1500AHFD
操作系統(tǒng):WindowsVistaSP1x86
參測(cè)5款CPU規(guī)格對(duì)比:
三款Mini-ITXNettop平臺(tái)圖賞
三款Mini-ITXNettop平臺(tái)
性能測(cè)試
PCMarkVantage總成績(jī)
PCMarkVantage的總成績(jī)結(jié)果基本符合大家的期待,也可以說(shuō)較為合 理:雙核賽揚(yáng)>雙核Atom>單核賽揚(yáng)>Nano>單核Atom。
內(nèi)存性能
5款處理器的內(nèi)存性能排名和總成績(jī)一致,雙核Atom是唯一一款內(nèi)存性能超過(guò)Conroe-L核心賽揚(yáng)420的低功耗處理器。
視頻解碼性能
該測(cè)試主要針對(duì)高清視頻播放,PCMarkVantage在這里可以體現(xiàn)出多線程運(yùn)算的優(yōu)勢(shì)。因此支持超線程技術(shù)的單核心Atom230在這里提升了自己的排名,只有一個(gè)線程的VIANanoL2100只能排在末位。
游戲性能
游戲性能是這些低功耗Nettop平臺(tái)的最大弱項(xiàng),因?yàn)榇隧?xiàng)測(cè)試的成績(jī)不僅僅包含處理器性能,還涉及顯示核心的運(yùn)算能力。NanoL2100在這里略微領(lǐng)先賽揚(yáng)420。
音頻編碼
此項(xiàng)測(cè)試的成績(jī)非常典型,即使雙核版的低功耗Atom處理器也無(wú)法超越 單核心賽揚(yáng)。VIANano表現(xiàn)出色,超過(guò)Atom23016%,只落后Atom3304%。
網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用性能
Atom和Nano處理器定義為Nettop、Netbook處理器,可以看出它們就是 為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用設(shè)計(jì)的。但傳統(tǒng)的低端PC處理器表現(xiàn)仍然超過(guò)了最新的雙核Atom,Nano則緊跟Atom330。
辦公應(yīng)用性能
Atom330和NanoL2100均在Office程序測(cè)試中超過(guò)了賽揚(yáng)420。這一結(jié)果 表明,Nettop機(jī)型或許能夠在商用辦公機(jī)市場(chǎng)占得自己的一席之地。
VIA Nano每瓦性能
強(qiáng)勁的動(dòng)態(tài)電源管理,包括支持新型"C6"電源狀態(tài),PowerSaver?科技,全新的電路設(shè)計(jì)和機(jī)制來(lái)管理芯片核心溫度,降低功耗提升了熱量管理水平。
通過(guò)處理器中的以上創(chuàng)新科技,威盛凌瓏(VIANano?)處理器在擁有超標(biāo)量結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)顯著的性能提升的同時(shí),功耗卻能維持和之前的威盛C7系列處理器一樣的范圍。
威盛1.0GHz的凌瓏(VIANano?)ULV處理器的首樣產(chǎn)品最大設(shè)計(jì)功耗(TDP)只有5瓦(空閑運(yùn)行功耗只有100毫瓦),而1.8GHz的威盛凌瓏(VIANano?)處理器的功耗也只有25瓦(空閑運(yùn)行功耗500毫瓦)。
2007上測(cè)試的性能總分
1.6GHzCeleron-M的TDP(最大熱功耗)=31瓦;1.6GHz威盛Nano的TDP=17瓦
操作系統(tǒng)=WindowsVista企業(yè)版
可升級(jí)威盛C7®處理器:威盛凌瓏(VIANano?)處理器與威盛C7®處理器家族產(chǎn)品針腳兼容,使OEM廠商和主板廠商能平順的進(jìn)行新架構(gòu)的產(chǎn)品交替,能讓他們僅需透過(guò)單一主板或系統(tǒng)設(shè)計(jì),能擴(kuò)展延伸到不同的市場(chǎng)領(lǐng)域中。
綠色科技:此外還完全符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和WEEE規(guī)則,產(chǎn)品無(wú)鹵素、無(wú)鉛,對(duì)保護(hù)環(huán)境和可持續(xù)計(jì)算科技大有裨益。
VIA Nano架構(gòu)性能
新一代64位架構(gòu)
采用超標(biāo)量亂序執(zhí)行的微體系結(jié)構(gòu)威盛凌瓏(VIANano?)處理器支持完整64位指令集,具備宏融合 (Macro-Fusion),微融合(micro-fusion)功能,和精密復(fù)雜的分支預(yù)測(cè)。進(jìn)一步降 低了處理器功耗,提升了其效能。
高性能計(jì)算和媒體處理
威盛凌瓏(VIANano?)處理器支持高速、低功耗威盛V4前端總線,最低為800MHz,支持新的SSE指令、2個(gè)64KBL1高速緩存和1MB獨(dú)立L2高速緩存,具有16路信道連接性能,實(shí)現(xiàn)了多媒體性能的一大飛躍。
特別值得一提的是,威盛凌瓏(VIANano?)處理器在高性能浮點(diǎn)運(yùn)算方面有了非常顯著的提升,使用了全新的浮點(diǎn)加法運(yùn)算法則,大大降低了x86處理器中的浮點(diǎn)延遲時(shí)間(thelowestfloating- pointaddlatency),同樣,浮點(diǎn)乘法器也擁有了最低的浮點(diǎn)延遲時(shí)間。
換句話說(shuō),這意味著威盛凌瓏(VIANano?)處理器提供了出色的流暢播放藍(lán)光盤和其它高清視頻格式的性能,它能解碼的媒體流速度可以達(dá)到40Mbps,具備低滯緩3D圖形解碼功能,打造完美的電腦游戲體驗(yàn)。
下圖表明了威盛凌瓏(VIANano?)處理器在計(jì)算方面優(yōu)于廣受歡迎的C7處理器之處:
你好 是很好的品牌 你也可以到實(shí)體店去了解下
性價(jià)比極高的一款鏡頭,自己做過(guò)數(shù)次實(shí)拍測(cè)試,70端成像極其銳利,比廣角端好,其實(shí)28端成像已經(jīng)很不錯(cuò)了,而且3.5-5.6光圈下成像均衡,該鏡頭的光學(xué)防抖效果出色,并且有防塵防雨滴功能。至于說(shuō)到工程塑...
請(qǐng)問(wèn)相機(jī)理光gr評(píng)測(cè)的性能怎么樣?
這次理光GR最明顯的提升就是使用了更專業(yè)的APS-C畫幅傳感器,對(duì)于拍攝效果的提升非常明顯,此外還在之前理光GRD系列相機(jī)的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增強(qiáng)了相機(jī)的操作性,相機(jī)的使用體驗(yàn)還有拍攝效果得到很好的融合
處理器名稱型號(hào)主頻威盛V4前端總線封裝處理器制程閑置功耗
威盛凌瓏(VIA Nano?) 處理器系列
處理器名稱 | 型號(hào) | 主頻 | 威盛 V4 前端總線 | 封裝 | 處理器制程 | 閑置功耗 |
VIA Nano? | L2100 | 1.8GHz | 800MHz | NanoBGA2 | 65nm | 500mW |
VIA Nano? | L2200 | 1.6GHz | 800MHz | NanoBGA2 | 65nm | 200mW |
VIA Nano? | U2250 | 1.3+GHz | 800MHz | NanoBGA2 | 65nm | 200mW |
VIA Nano? | U2225 | 1.3GHz | 800MHz | NanoBGA2 | 65nm | 200mW |
VIA Nano? | U2500 | 1.2GHz | 800MHz | NanoBGA2 | 65nm | 100mW |
VIA Nano? | U1700 | 1.0+GHz | 800MHz | NanoBGA2 | 65nm | 200mW |
VIA Nano? | U2300 | 1.0GHz | 533MHz | NanoBGA2 | 65nm | 100mW |
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頁(yè)數(shù): 8頁(yè)
評(píng)分: 4.7
Nano-SiO2對(duì)水泥基飾面砂漿性能的影響 朱繪美 , 王培銘 , 張國(guó)防 (同濟(jì)大學(xué)先進(jìn)土木工程材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海 200092) 摘要: 本文主要研究了 nano-SiO 2對(duì)水泥基飾面砂漿力學(xué)性能、毛細(xì)孔吸水率、耐泛堿和耐沾污性 能的影響。研究表明: nano-SiO 2能顯著改善水泥基飾面砂漿的性能; nano-SiO 2摻量為 0.5~1.5% 時(shí),砂漿毛細(xì)孔吸水率降幅超過(guò) 40%;nano-SiO 2摻量大于 1%時(shí),砂漿粘結(jié)強(qiáng)度明顯提高; nano-SiO 2 摻量為 2.0% 時(shí),砂漿抗壓、抗折強(qiáng)度,耐泛堿性和耐沾污性均有顯著提高。從飾面砂漿的總體性能 考慮, nano-SiO 2的最佳摻量為膠凝材料總量的 1.0~2.0%。 關(guān)鍵詞: 水泥基飾面砂漿; nano-SiO 2;強(qiáng)度;毛細(xì)孔吸水率;耐泛堿;耐沾污 1 前 言 飾面砂漿是由膠凝材料、骨料、填料和添加劑
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頁(yè)數(shù): 5頁(yè)
評(píng)分: 4.5
采用絲束電極多電極電化學(xué)法研究鋼鐵在不同濃度的NaCl溶液中的電位變化,并分析NaNO2的加入對(duì)體系電位的影響和NaNO2對(duì)鋼鐵的防護(hù)作用。研究結(jié)果表明:鋼鐵在NaCl溶液中的電位分布在一定的電位區(qū)間,各絲電極的電位存在差異,各區(qū)域金屬的腐蝕不均勻;隨著溶液中NaCl含量從1%增大至5%,絲束電極的電極電位平均值從-0.43V變?yōu)?0.54V,電極電位負(fù)移,金屬腐蝕傾向增大;由于NaNO2和鋼鐵電極表面的腐蝕產(chǎn)物Fe2+的相互作用并生成保護(hù)性的薄膜,在NaCl溶液中加入NaNO2將使體系電極電位明顯正移;加入NaNO2后各絲電極電位的分布是隨機(jī)的、不均勻的,且電位分布區(qū)間增大,表明所形成的保護(hù)性薄膜不均勻。
這也是繼2001年發(fā)布Mini-ITX(17cm x 17cm)版型(Form Factor)之后,威盛于推出的更小的版型設(shè)計(jì)--Nano-ITX,大小和手掌接近,長(zhǎng)寬都是12cm。
作為全球第一款Nano-ITX主板,威盛EPIA-N發(fā)布當(dāng)年6月,還獲得了臺(tái)灣Computex電腦展的最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。
VIA EPIA N系列, 采用無(wú)風(fēng)扇設(shè)計(jì)的VIA Eden-N處理器,時(shí)脈達(dá)1GHz,并搭配全新的VIA CN400數(shù)字媒體芯片組,將X86架構(gòu)擴(kuò)展至全新的精巧型連接設(shè)備市場(chǎng),應(yīng)用于數(shù)字娛樂(lè)、通訊和嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品之中。之后若干年,艾訊、瑞傳、昭營(yíng)等IPC廠商也陸續(xù)推出過(guò)自己的Nano-ITX主板,但都型號(hào)很少。
nano sim產(chǎn)品介紹
Nano-SIM卡是一種手機(jī)微型SIM卡,比Micro-SIM卡更小,只有第一代SIM卡60%的 面積,其具體尺寸為12mm x 9mm,厚度也減少了15%。
nano-SIM目標(biāo)是替代目前安裝在iPhone手機(jī)上的micro-SIM,其更小的尺寸將會(huì)為增加的內(nèi)存和更大的電池釋放空間,有助于手機(jī)廠商生產(chǎn)更輕薄nano sim(4張)的產(chǎn)品。
Apollo PM133芯片組
Apollo PM133是VIA推出支持Intel處理器的整合芯片組。PM133 的北橋是VIA VT8605,除了內(nèi)置的Savage4顯示核心,還像i815E一樣提供了獨(dú)立的AGP 4×插槽。PM133基本上相當(dāng)于694×和Savage4顯卡的組合,因此它在圖形性能方面甚至比i815E更出色。在搭配686B南橋芯片后,PM133也支持ATA/100的硬盤接口模式。
KLE133和KM133/A芯片組
KLE133和KM133/A整合芯片組是VIA推出支持AMD處理器的整合芯片組。KLE133 的北橋是VT8361,支持Athlon和Duron的全系列CPU,并且支持133MHz外頻。該芯片組集成的是Trident Blade 3D顯示核心,不過(guò)KLE133并沒(méi)有提供額外的AGP插槽供用戶升級(jí)。因此,它的應(yīng)用范圍較窄,只適合那些對(duì)顯示系統(tǒng)要求較低的用戶,不過(guò)采用 KLE133芯片組的主板十分便宜。而KM133/A芯片組分為KM133和KM133A兩種,前者不能支持133MHz外頻,而KM133A則可以支持。
P4M266芯片組
P4M266芯片組是一種整合圖形核心的P4芯片組,該芯片組仍由南北橋芯片搭配組成,北橋芯片為 P4M266,南橋芯片為VT8233。P4M266采用了V-MAP(VIA Modular Architecture Platform)架構(gòu),除了擁有P4X266芯片組的功能特性以外,它還整合了S3的ProSavage8的圖形內(nèi)核,因而具備了128位的2D/3D 顯示性能,擁有相當(dāng)于AGP 8×的內(nèi)部帶寬。