中文名 | 半金屬 | 外文名 | metalloid |
---|---|---|---|
所屬學(xué)科 | 化學(xué) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 半導(dǎo)體材料 |
基于它們的物理和化學(xué)特性,幾乎所有元素周期表上的金屬都可被分類為金屬或非金屬;但也有一些特性介于金屬與非金屬之間,稱為半金屬。準(zhǔn)金屬也叫半金屬。通常指硼、硅、鍺、硒、碲、釙、砷和銻。它們?cè)谠刂芷诒碇刑幱诮饘傧蚍墙饘龠^(guò)渡的位置,物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)介于金屬和非金屬之間。單質(zhì)一般性脆,呈金屬光澤。電負(fù)性在1.8~2.4之間,大于金屬,小于非金屬,準(zhǔn)金屬多是半導(dǎo)體,具有導(dǎo)電性。它們跟非金屬作用時(shí)常作為電子給予體,而跟金屬作用時(shí)常作為電子接受體
準(zhǔn)金屬這個(gè)名詞起源于中世紀(jì)的歐洲,用來(lái)稱呼鉍,因?yàn)樗鄙僬=饘俚难诱剐?,只算得上“?zhǔn)”金屬。目前則指導(dǎo)電電子濃度遠(yuǎn)低于正常金屬的一類金屬。正常金屬的載流子濃度都在1022 cm-3以上。而半金屬的載流子濃度在1022~1017 cm-3之間。典型的數(shù)據(jù)如下:
砷 As Arsenic (2.12±0.01)×1020 cm-3
銻 Sb Antimony (5.54±0.05)×1019 cm-3
鉍 Bi Bismuth 2.88×1017 cm-3
石墨 2.72×1018 cm-3
半金屬在元素周期表中處于金屬向非金屬過(guò)渡的位置,物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)介于金屬和非金屬之間。半金屬性脆,呈金屬光澤,電負(fù)性在1.8~2.4之間,大于金屬,小于非金屬。半金屬與非金屬作用時(shí)常作為電子給予體,而與金屬作用時(shí)常作為電子接受體。其氧化物與水作用生成弱酸性或弱堿性的溶液。半金屬大多是半導(dǎo)體,具有導(dǎo)電性,電阻率介于金屬(10-5歐姆·厘米以下)和非金屬(1010歐姆·厘米以上)之間,導(dǎo)電性對(duì)溫度的依從關(guān)系通常與金屬相反,如果加熱半金屬,其電導(dǎo)率隨溫度的升高而上升。半金屬大都具有多種不同物理、化學(xué)性質(zhì)的同素異形體,廣泛用作半導(dǎo)體材料。
金屬波紋補(bǔ)償器,是的
鈦合金屬于有色金屬。不屬于黑色金屬。沒(méi)有惰性金屬,只有惰性氣體。
代表規(guī)格尺寸:100mm寬*50mm高*0.8mm厚度,現(xiàn)在市場(chǎng)價(jià)格15元,沒(méi)用過(guò)鋁合金的,用的是PVC的,半圓線槽通常也叫地槽,因?yàn)槎嘤糜诠潭ㄔ诘孛嫔戏捞叩?。用膠或者釘子固定。規(guī)格有4號(hào),5號(hào),6號(hào)...
半金屬能帶的特點(diǎn),是它的導(dǎo)帶與價(jià)帶之間有一小部分重疊。不需要熱激發(fā),價(jià)帶頂部的電子會(huì)流入能量較低的導(dǎo)帶底部。因此在絕對(duì)零度時(shí),導(dǎo)帶中就已有一定的電子濃度,價(jià)帶中也有相等的空穴濃度。這是半金屬與半導(dǎo)體的根本區(qū)別。但因重疊較小,它和典型的金屬也有所區(qū)別。
除上述元素外,化合物也可以是半金屬,如 Mg2Pb。另有一些化合物,如HgTe、HgSe等禁帶寬度等于零,有時(shí)稱作零禁帶半導(dǎo)體,實(shí)質(zhì)上也是半金屬。
半金屬材料有多種分類方法。根據(jù)材料結(jié)構(gòu)的不同, 半金屬可分為尖晶石結(jié)構(gòu)型半金屬材料,如:Fe3O4 , CuV2S4 等;鈣鈦礦結(jié)構(gòu)型半金屬材料,如: La2/ 3Sr1/ 3MnO3 , La0. 7Sr0. 3MnO3 等; 金紅石結(jié)構(gòu)型半金屬材料, 如: CrO2 , CoS2 等; Half- Heusler和Heusler 結(jié)構(gòu)半金屬材料, 如: NiMnSb , PtMnSb和Mn2VAl 等。根據(jù)材料磁性的不同可分為鐵磁性半金屬, 如: CrO2 ;亞鐵磁性半金屬,如: Fe3O4 等;反鐵磁性半金屬, 如: V7MnFe8Sb7 In 和LaVMnO6等。根據(jù)半金屬性的來(lái)源又可分為共價(jià)鍵帶隙半金屬, 如: NiMnSb , GaAs和CrO2 ; 電荷傳輸能帶帶隙半金屬, 如: 龐磁阻材料和雙鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料; d- d 相互作用能帶帶隙半金屬, 如: Fe3O4、FexCo1-xS2和Mn2VAl。自旋能帶帶隙是半金屬的本質(zhì)要素, 根據(jù)半金屬性的本質(zhì)來(lái)源劃分半金屬的種類更為重要和科學(xué)。2100433B
格式:pdf
大?。?span id="gzzkdgt" class="single-tag-height">3.2MB
頁(yè)數(shù): 2頁(yè)
評(píng)分: 4.7
中國(guó)圖書年鑒_金屬學(xué)與金屬工藝T000058金屬材料半固態(tài)加工理論與技術(shù)
1983年,荷蘭Nijimegen大學(xué)的Groot 教授對(duì)half-Heusle合金NiMnSb進(jìn)行能帶計(jì)算后發(fā)現(xiàn)其具有一種特殊的新型能帶結(jié)構(gòu),如圖1:NiMnSb的多數(shù)白旋方向圖所示:電子在一個(gè)自旋方向上呈現(xiàn)金屬性,也就是在費(fèi)米能級(jí)處有電子態(tài)的存在;而在另一個(gè)自旋方向上呈現(xiàn)半導(dǎo)體性,也就是在費(fèi)米能級(jí)處存在禁帶。他們將具有這種特殊能帶結(jié)構(gòu)的材料稱為半金屬(half-metal)材料。這里所指的半金屬并不是傳統(tǒng)意義上的半金屬(semi-metal,如As、Sb、Bi等),傳統(tǒng)的半金屬是導(dǎo)電電子濃度遠(yuǎn)低于正常金屬的一類物質(zhì)的統(tǒng)稱,因其導(dǎo)電能力介于金屬與絕緣體之間而稱為半金屬。其能帶特點(diǎn)是導(dǎo)帶與價(jià)帶之間部分重疊,價(jià)帶電子在無(wú)需熱激發(fā)的情況下便會(huì)流入能量較低的導(dǎo)帶底部。而半金屬材料是電子結(jié)構(gòu)同時(shí)具有金屬性與半導(dǎo)體性的特征,這種微觀上金屬性與半導(dǎo)體性的共存被稱為半金屬性。
半金屬材料具有特殊的能帶結(jié)構(gòu),因此其具有一些特殊的性質(zhì):
1、它在費(fèi)米能級(jí)處的電子極化率高達(dá)100% ;
2、它的總磁矩為波爾磁矩的整數(shù)倍;
3、一些半金屬鐵磁體還具有較高的居里溫度。
這些特點(diǎn)使半金屬材料非常適合在自旋電子器件中應(yīng)用,尤其適合作為自旋注入源材料。
(1)北京大學(xué)量子材料科學(xué)中心博士生蔣慶東在導(dǎo)師謝心澄教授指導(dǎo)下,與中心孫慶豐教授、劉海文助理研究員,以及蘇州大學(xué)江華教授合作,在外爾半金屬研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,文章以Topological Imbert-Fedorov Shift in Weyl Semimetals為題在線發(fā)表于《物理評(píng)論快報(bào)》(Physics Review Letters115,156602)。
外爾半金屬由于其理論和實(shí)驗(yàn)方面的重大進(jìn)展受到凝聚態(tài)和材料領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。最近,科學(xué)家在TaAs族化合物中證實(shí)了外爾費(fèi)米子的存在。外爾費(fèi)米子靜質(zhì)量為零且具有特定的手性,從而可能具有奇特的物理特性。 蔣慶東等人注意到:盡管統(tǒng)計(jì)規(guī)律不同,外爾費(fèi)米子和光子有許多相似特性(例如: 都具有無(wú)質(zhì)量、手性等特點(diǎn))。因此,外爾半金屬體系中將存在特定的類光學(xué)效應(yīng)。他們的工作主要研究外爾半金屬中的 Goos-H"a" ?nchen 位移和Imbert-Fedorov位移。
光學(xué)中Goos-H"a" ?nchen位移和Imbert-Fedoro位移是指光在界面反射過(guò)程中可能會(huì)存在的縱向偏移和橫向偏移。蔣慶東等人的研究表明,外爾費(fèi)米子在界面反射過(guò)程中也存在縱向偏移和橫向偏移(圖6)。他們進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)橫向位移(Imbert-Fedorov 位移)不僅具有手性依賴(谷依賴)的特點(diǎn),而且起源于體系的拓?fù)湫再|(zhì),即外爾半金屬獨(dú)特的貝里曲率?;贗mbert-Fedorov 位移具有手性依賴的特點(diǎn),多次界面反射后不同手性的外爾費(fèi)米子能被空間分離(圖7)。這一性質(zhì)可被利用于:(1)有效表征某個(gè)體系是否為外爾半金屬;(2)制備谷電子學(xué)器件;(3)通過(guò)測(cè)定Imbert-Fedorov位移得到體系的貝里曲率。正如審稿人評(píng)論說(shuō):這項(xiàng)理論研究工作解決了該領(lǐng)域兩個(gè)較為重要的課題: 如何有效表征外爾半金屬和如何測(cè)量貝里曲率。
(2)北京理工大學(xué)物理學(xué)院量子功能材料設(shè)計(jì)與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室姚裕貴教授研究組(余智明博士后、姚裕貴教授)和新加坡科技設(shè)計(jì)大學(xué)的楊聲遠(yuǎn)教授合作研究了第二類外爾半金屬在磁場(chǎng)下的新奇物性。相關(guān)研究成果發(fā)表在近期的《物理評(píng)論快報(bào)》上[Phys. Rev. Lett.117, 077202 (2016)]。該工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委和科技部的資助。
在實(shí)驗(yàn)室中模擬和研究基本粒子(如狄拉克費(fèi)米子、外爾費(fèi)米子)的行為是當(dāng)前凝聚態(tài)物理中最為令人振奮的研究領(lǐng)域之一。更為吸引人的是,由于電子在凝聚態(tài)物理領(lǐng)域中和基本粒子在高能物理領(lǐng)域中所遵循的物理規(guī)范可有所不同,所以凝聚態(tài)物理中還能呈現(xiàn)出高能物理中所不存在的有效費(fèi)米子,如最近提出的第二類外爾(狄拉克)費(fèi)米子等諸多新型費(fèi)米子。一般而言,動(dòng)量空間中外爾費(fèi)米子的色散是可以沿某一動(dòng)量方向傾斜的。當(dāng)傾斜足夠強(qiáng)的時(shí)候,外爾錐將會(huì)翻倒而使得體系的費(fèi)米面從一個(gè)點(diǎn)變?yōu)橐粭l線或一個(gè)面。此種情況下的外爾費(fèi)米子被稱為第二類外爾費(fèi)米子,以區(qū)分于傳統(tǒng)的第一類外爾費(fèi)米子。盡管外爾費(fèi)米子的手性并不受能帶傾斜的影響,但在凝聚態(tài)物理中諸多物理行為都與體系費(fèi)米面的幾何形貌息息相關(guān),所以第二類外爾費(fèi)米子具有迥異于傳統(tǒng)外爾費(fèi)米子和其它材料的新奇物性。
磁場(chǎng)下,電子的運(yùn)動(dòng)將會(huì)量子化而形成朗道能級(jí),如體系是三維的,則朗道能級(jí)在沿著磁場(chǎng)方向是有色散的。研究發(fā)現(xiàn),在第二類外爾半金屬中,能量?jī)A斜會(huì)使得體系的朗道能級(jí)間距變小,特別是當(dāng)磁場(chǎng)指向偏移能量?jī)A斜方向?yàn)槟硞€(gè)臨界角度時(shí),朗道能級(jí)的間距為零,也即導(dǎo)致所謂的朗道能級(jí)坍塌現(xiàn)象(collapse of Landau levels)基于半經(jīng)典的物理圖像,他們還指出了此坍塌現(xiàn)象對(duì)應(yīng)于電子在磁場(chǎng)中的回旋運(yùn)動(dòng)軌道由閉合變?yōu)殚_(kāi)放,表明此時(shí)有效外爾模型已不足以描述電子的行為。在朗道能級(jí)坍塌之前,第二類外爾點(diǎn)的朗道能級(jí)的磁光電導(dǎo)亦表現(xiàn)出與傳統(tǒng)外爾材料的迥異行為:如具有各向異性的磁光電導(dǎo),低頻下一直存在帶間躍遷,且隨頻率增加,光學(xué)吸收譜具有獨(dú)特的形狀等。這些發(fā)現(xiàn)皆有助于指導(dǎo)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)第二類外爾費(fèi)米子材料和確定體系參數(shù)。
圖8:(a)朗道能級(jí)壓縮因子隨能量?jī)A斜與磁場(chǎng)夾角的變化行為。(上):傳統(tǒng)外爾點(diǎn),(下):第二類外爾點(diǎn),其中紅線表示出現(xiàn)朗道能級(jí)坍塌的臨界角。(b)磁場(chǎng)下電子的半經(jīng)典軌道隨磁場(chǎng)方向變化的演化行為。軌道由封閉變?yōu)殚_(kāi)放對(duì)應(yīng)于體系從具有良好定義的朗道能級(jí)到朗道能級(jí)的坍塌(外爾模型下的描述)。
圖9:(a)第二類外爾點(diǎn)和(c)傳統(tǒng)外爾點(diǎn)在能量?jī)A斜方向與磁場(chǎng)平行的情況下的朗道能級(jí)。(b)和(d)與(a)和(c)類似,但此時(shí)能量?jī)A斜方向與磁場(chǎng)反平行。(e)外爾點(diǎn)的縱向磁光電導(dǎo),其中紅線對(duì)應(yīng)于(a)中的第二類外爾點(diǎn),藍(lán)線對(duì)應(yīng)于(c)中的傳統(tǒng)外爾點(diǎn)。(f)與(e)類似,但分別對(duì)應(yīng)的是(b)和(d)中外爾點(diǎn)的行為。 2100433B