半導(dǎo)體激光二極管(LD)是一種用來構(gòu)建光通信系統(tǒng)的與光纖配套使用的激光器,它能直接作為光通信用光源,也可以作為激光器、放大器的泵浦源,在激光工程研究領(lǐng)域有著十分重要的地位。它具有半導(dǎo)體器件的特點:體積小、結(jié)構(gòu)簡單、效率高、能直接調(diào)制,但輸出功率、單色性和方向性不如其他激光器。
中文名稱 | 半導(dǎo)體激光二極管 | 時間 | 20世紀(jì)80年代中期 |
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半導(dǎo)體激光二極管的常見參數(shù)
(1)波長:即激光管工作波長,目前可作方向張開的角度,一般在15~40左右。
(5)水平發(fā)散角Θ∥:激光的發(fā)光帶在與PN結(jié)平行方向所張開的角度,一般在6~10左右。
(6)監(jiān)控電流Im:即激光管在額定輸出功率時,在PIN管上流過的電流。
半導(dǎo)體激光二極管的檢測
(1)阻值測量法:拆下激光二極管,用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時,正向電阻值為20~40kΩ之間,反向電阻值為∞(無窮大)。若測得正向電阻值已超過50kΩ,則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ,則說明該二極管已嚴(yán)重老化,不能再使用了。
(2)電流測量法:用萬用表測量激光二極管驅(qū)動電路中負(fù)載電阻兩端的電壓降,再根據(jù)歐姆定律估算出流過該管的電流值,當(dāng)電流超過100mA時,若調(diào)節(jié)激光功率電位器,而電流無明顯的變化,則可判斷激光二極管嚴(yán)重老化。若電流劇增而失控,則說明激光二極管的光學(xué)諧振腔已損壞。
半導(dǎo)體激光二極管的原理
為了了解激光型光電的工作原理,首先對半導(dǎo)體激光二極管的工作原理及其特點作一簡單的介紹。
半導(dǎo)體激光二極管的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,垂直于PN結(jié)面的一對平行平面構(gòu)成法布里--珀羅諧振腔,它們可以是半導(dǎo)體晶體的解理面,也可以是經(jīng)過拋光的平面。其余兩側(cè)面則相對粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。
半導(dǎo)體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復(fù)合。當(dāng)半導(dǎo)體的PN結(jié)加有正向電壓時,會削弱PN結(jié)勢壘,迫使電子從N區(qū)經(jīng)PN結(jié)注入P區(qū),空穴從P區(qū)經(jīng)過PN結(jié)注入N區(qū),這些注入PN結(jié)附近的非平衡電子和空穴將會發(fā)生復(fù)合,從而發(fā)射出波長為Λ的光子,其公式如下:
Λ = Hc/Eg (1)
式中:H-普朗克常數(shù);C-光速; Eg-半導(dǎo)體的禁帶寬度。
上述由于電子與空穴的自發(fā)復(fù)合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當(dāng)自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導(dǎo)體時,一旦經(jīng)過已發(fā)射的電子-空穴對附近,就能激勵二者復(fù)合,產(chǎn)生新光子,這種光子誘使已激發(fā)的載流子復(fù)合而發(fā)出新光子現(xiàn)象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大,則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布,即粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。當(dāng)有源層內(nèi)的載流子在大量反轉(zhuǎn)情況下,少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腔兩端面往復(fù)反射而產(chǎn)生感應(yīng)輻射,造成選頻諧振正反饋,或者說對某一頻率具有增益。當(dāng)增益大于吸收損耗時,就可從PN結(jié)發(fā)出具有良好譜線的相干光--激光,這就是激光二極管的簡單原理。
20世紀(jì)80年代中期以來,半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展以及與激光技術(shù)的結(jié)合,催生了半導(dǎo)體激光二極管,這類兼具半導(dǎo)體和激光器特性的激光源,具有更高的峰值功率和較低的能耗,且它的發(fā)射脈寬也較窄,本身不需要溫度和光學(xué)補償,比傳統(tǒng)的發(fā)射光源具有明顯的優(yōu)勢,并成為中紫外波段AlGaN發(fā)展的重點方向。因為該波段紫外輻射的激發(fā)效率最高,其輸出效率也比較高。
為了使紫外線輻射源更為實用化,半導(dǎo)體紫外二極管發(fā)展的一個方向是大幅縮小現(xiàn)有紫外激光器及其電源的體積和功耗,另一個方向是開發(fā)發(fā)射波長為280nm、功耗小于10mW的發(fā)光二極管以及發(fā)射波長為340nm、功耗小于25mW的激光二極管。
半導(dǎo)體激光二極管以其體積小,重量輕,價格低,壽命長,耗電少及頻率可快速調(diào)諧等優(yōu)點,已經(jīng)在國民經(jīng)濟和一系列高科技領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。然而,此種激光器的工作波長與其工作溫度、注入電流之間有著強烈的依賴關(guān)系,例如,對近紅外線半導(dǎo)體激光二極管,工作溫度引起的變化約為013nm/K,注入電流引起的變化約為0103nm/mA。同時,工作溫度和注入電流的變化還會導(dǎo)致半導(dǎo)體激光二極管輸出功率的不穩(wěn)定。
對于某些高科技領(lǐng)域應(yīng)用,例如近些年發(fā)展起來的相干光纖通訊,對作為發(fā)送光源和外差檢測的本振光源所用的半導(dǎo)體激光器的頻率穩(wěn)定性有很高的要求,同時,還要求其輸出頻率可調(diào)。又如,在極受重視的激光探潛和大量的激光光譜和原子分子物理研究中,都要求半導(dǎo)體激光器的頻率非常穩(wěn)定。因此,對半導(dǎo)體激光二極管的注入電流和工作溫度的精密控制,并在此基礎(chǔ)上對激光器的輸出頻率進行鎖定穩(wěn)頻的技術(shù)研究就成為非常必要的。
你好,據(jù)我所知道的半導(dǎo)體激光二極管是一種用來構(gòu)建光通信系統(tǒng)的與光纖配套使用的激光器,它能直接作為光通信用光源,還可以作為激光器、放大器的泵浦源,在激光工程研究領(lǐng)域有著十分重要的地位。它具有半導(dǎo)體器件的...
通過PN結(jié)電注入泵浦的方式實現(xiàn)受激發(fā)射的半導(dǎo)體器件。它具有半導(dǎo)體器件的特點:體積小、結(jié)構(gòu)簡單、效率高、能直接調(diào)制,但輸出功率、單色性和方向性不如其他激光器。 實現(xiàn)受激發(fā)射的三個要素是:激光材料、粒子...
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半導(dǎo)體發(fā)光二極管講義24頁
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半導(dǎo)體發(fā)光二極管(PPT課件)
由半導(dǎo)體單晶片到制成最終成品如半導(dǎo)體激光二極管、半導(dǎo)體光電二極管、半導(dǎo)體傳感器等半導(dǎo)體器件的工廠。
近紅外半導(dǎo)體激光和發(fā)光二極管的發(fā)射波長為0.8~1.0μm。近紅外半導(dǎo)體激光二極管主要用于光纖通信和作為固體激光器的泵浦源(替代閃光燈泵浦源)。在1.3μm和1.55μm近紅外半導(dǎo)體激光二極管商品化之后,其發(fā)展勢頭受到很大影響,甚至出現(xiàn)了停止發(fā)展的跡象。隨著短距離局域網(wǎng)和二極管泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展,又出現(xiàn)了新的發(fā)展。當(dāng)前研究開發(fā)主要集中在單頻工作、模式穩(wěn)定以及提高輸出功率等方面。近紅外發(fā)光二極管主要有超發(fā)光二極管和諧振腔發(fā)光二極管。超發(fā)光二極管是光纖陀螺儀的最佳自選光源,與一般的發(fā)光二極管相比,可提供較高的輸出功率和相對窄的發(fā)射譜。當(dāng)前,在50mA工作電流下,單管超輻射輸出功率的研究水平最高達到50MW,最窄譜寬為15nm。諧振腔發(fā)光二極管是一種有前途的發(fā)光二極管,其實驗和理論效率比傳統(tǒng)發(fā)光二極管高5~10倍。
1.3μm和1.55μm近紅外半導(dǎo)體激光和發(fā)光二極管是現(xiàn)行通信系統(tǒng)、高速光纖通信系統(tǒng)的重要光器件,已成為廣為研究開發(fā)的光源。日本NEC已開發(fā)出在單晶片上制造不同發(fā)射波長的近紅外激光二極管,采用它可大大降低多波長長途通信設(shè)備的價格。這幾年來,國外又相繼開發(fā)出半導(dǎo)體孤子激光器、量子阱線或點激光器和垂直腔表面發(fā)射激光器等新型半導(dǎo)體激光二極管。
激光技術(shù)是一項前沿科學(xué)技術(shù)發(fā)展不可缺少的支柱。作為光電子主導(dǎo)產(chǎn)品的激光器的發(fā)展,經(jīng)歷了原理上的四次變革,體積日益變小,功率不斷增大,可靠性和功率得到了很大的提高。半導(dǎo)體二級管激光器和固體激光器技術(shù)和發(fā)展十分迅速,其中最為突出的進展是固態(tài)化?,F(xiàn)今,固體激光器的平均輸出功率已從百瓦級提高到了千瓦級。半導(dǎo)體激光器的功率也有很大提高,其結(jié)構(gòu)和其他性能也正在經(jīng)歷重大變化。與此同時,還開發(fā)出了實用價值高的新波長和寬帶可調(diào)諧激光器,包括對人眼無傷害的1.54μm和2μm的激光器、藍光激光器和X光激光器。
光纖是隨著光通信的發(fā)展而不斷發(fā)展的,各種結(jié)構(gòu)和類型的光纖支持著光通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。當(dāng)前,單根光纖傳輸?shù)男畔⒘恳堰_到萬億位。光纖作為光通信信息傳輸?shù)慕橘|(zhì),它的色散和損耗將直接影響到通信系統(tǒng)的傳輸容量和中繼距離,而常規(guī)的單模光纖已不能滿足新一代通信技術(shù)的要求,因此光纖技術(shù)又有了新的發(fā)展。迄今,光纖已經(jīng)經(jīng)歷了由短波長(0.85μm)到長波長(1.3~1.55μm),由多模到單模光纖以及特種光纖的發(fā)展過程,并開發(fā)出了色散移位光纖、非零色散光纖和色散補償光纖。
平板顯示(FPD)技術(shù)包括液晶顯示(LCD)、等離子體顯示(PDP)、電致發(fā)光顯示(EL)、真空熒光顯示(VFD)和發(fā)光二極管顯示(LED)等,除在民用領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用外,已在虛擬顯示、高清晰度顯示、語言和圖形識別等軍用領(lǐng)域應(yīng)用。這幾年來,液晶顯示以及其他平板顯示器件和技術(shù)正在大力地改進,如為解決等離子體顯示發(fā)光效率、亮度、壽命、光串?dāng)_和對比度等問題,正在進行諸如大面積精細(xì)圖形制作和保護層等工藝方面的改進,并取得了較快進展。從整體來說,平板顯示技術(shù)將繼續(xù)向著彩色化、高分辨率、高亮度、高可靠、高成品率和廉價方向發(fā)展。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展,各種類型的光電探測器,如電荷耦合器件、光位置敏感器件、光敏陣列探測器等應(yīng)運而生,取得了重大進展。進入90年代,光電探測器的發(fā)展方向除了開發(fā)高速響應(yīng)光電 探測器外,其重點是開發(fā)焦平面陣列為代表的光電成像器件。紅外焦平面陣列制作技術(shù)的日臻完善,使紅外探測技術(shù)進入了第二代。當(dāng)前,降低成本是紅外探測器在民用領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵。21世紀(jì),紅外焦平面陣列開發(fā)方向,一是在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提高分辨率,二是開發(fā)多功能和智能化焦平面陣列。
隨著光通信、光信息處理、光計算等技術(shù)的發(fā)展,加之材料科學(xué)和制造技術(shù)的進展,使得在單一結(jié)構(gòu)或單片襯底上集成光學(xué)、光電和電子元器件成為可能,形成具有單一功能或多功能的光電子集成回路(OEIC)和集成光路(IOC)。當(dāng)前,商品化的集成光路產(chǎn)品有調(diào)制器、開關(guān)和分路器以及采用集成光路相干通信系統(tǒng)、光纖陀螺、激光光纖多普勒干涉儀等系統(tǒng),以及用于光纖傳輸試驗的單片集成光電子集成回路。預(yù)計到2020年,光電子集成回路和集成光路的發(fā)展速度將相當(dāng)于20世紀(jì)70年代的微電子技術(shù),多功能集成光學(xué)器件和光電子集成器件將系列化,集成光學(xué)信號處理速度將達到1GHz。
我國光電子行業(yè)在科研上起步較早,也有一批水平較高的應(yīng)用成果,其中光纖通信的發(fā)展尤快。在國防上的應(yīng)用也開展較早,如靶場用的激光、紅外、電視等光測設(shè)備,以及紅外導(dǎo)引裝置、紅外熱像儀、激光測距儀、微光夜視儀等。但民用市場開發(fā)較晚,真正能形成較大生產(chǎn)規(guī)模的產(chǎn)品不多。 我國在"八五"計劃期間對一些光電器件企業(yè)進行了技術(shù)改造,已在"九五"計劃中產(chǎn)生了效益。例如,12英寸彩色液晶顯示屏已經(jīng)在1996年投產(chǎn)。國家重大成套通信設(shè)備2.5Gbps同步數(shù)字系列(SDH)光通信系統(tǒng),于1997年研制開發(fā)成功,現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于國家通信骨干網(wǎng)的建設(shè)。
鑒于上述情況,中國光電子技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略總的指導(dǎo)思想是:有限目標(biāo)、突出重點、科技領(lǐng)先、形成規(guī)模、開拓市場,在"八五"、"九五"計劃基礎(chǔ)上,使有基礎(chǔ)的企業(yè)和研究所分別形成規(guī)模生產(chǎn)和研究開發(fā)中心,使我國光電子元器件初步形成基本配套的產(chǎn)業(yè),滿足市場的需要。
1光纖通信與光電子器件
1.1光纖通信系統(tǒng)簡介
1.2光發(fā)射機
1.3光調(diào)制器
1.4光纖(纜)
1.5光放大器
1.6光接收機
1.7光無源器件
2發(fā)光二極管和發(fā)光二極管組件
2.1發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)和基本工作原理
2.2發(fā)光二極管特性及測試方法
2.3高速發(fā)光二極管
2.4超輻射發(fā)光二極管
2.5LED組件
3半導(dǎo)體激光二極管和激光器組件
3.1半導(dǎo)體激光二極管的應(yīng)用和分類
3.2法布里-珀羅型激光二極管
3.3分布反饋激光二極管和分布Bragg反射器激光二極管
3.4量子階激光器
3.5垂直腔面發(fā)射激光器
3.6激光器組件
3.7激光二極管和激光器組件的常用參數(shù)及其測試方法
4光電探測器和光接收組件
4.1PN結(jié)光電二極管
4.2肖特基光電二極管
4.3集成光學(xué)光電探測器
4.4光接收組件
4.5常用參數(shù)及其測試方法
5光發(fā)射接收模塊
5.1光發(fā)射接收模塊的含義
5.2光發(fā)射模塊
5.3光接收模塊
5.4光收發(fā)一體模塊
5.5集成光學(xué)收發(fā)模塊
6光纖激光器和光放大器
6.1光纖激光器的基本工作原理和優(yōu)點
6.2各種光纖激光器
6.3光放大器的種類和比較
6.4摻鉺光纖放大器
6.5鐠摻雜光纖放大器
6.6銩摻雜光纖放大器
6.7拉曼光纖放大器
6.8半導(dǎo)體光放大器
6.9光纖放大器的特性參數(shù)和使用注意事項
7光調(diào)制器
7.1調(diào)制器在纖維光學(xué)鏈路中的作用
7.2光調(diào)制器的基本原理
7.3LiNbO3光調(diào)制器
7.4半導(dǎo)體光調(diào)制器
7.5聚合物波導(dǎo)光調(diào)制器
7.6光調(diào)制器主要參數(shù)和使用光調(diào)制器需要了解的問題
8光開關(guān)
8.1機械式光開關(guān)
8.2液晶光開關(guān)
8.3電光效應(yīng)光開關(guān)
8.4熱光效應(yīng)光開關(guān)
8.5半導(dǎo)體光放大器光開關(guān)
9DWDM用光發(fā)射和接收器件
9.1DWDM系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與工作原理
9.2DWDM對光收/發(fā)器件的要求
9.3固定波長激光器
9.4波長可調(diào)激光器
9.5MQW電吸收調(diào)制器集成DFBLD
9.6Supercontinuum光源
9.7DWDM用光探測器
10用戶接入系統(tǒng)光收發(fā)器件與模塊
10.1用戶接入網(wǎng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與工作原理
10.2用戶接入網(wǎng)的主要光電子器件
10.3光接入系統(tǒng)用組件(模塊)
11光電子器件封裝技術(shù)
11.1光發(fā)射和接收器件封裝
11.2光收發(fā)一體模塊的封裝結(jié)構(gòu)
11.3高速光電子器件封裝
11.4光電器件微型化封裝
11.5無源對準(zhǔn)技術(shù)
11.6石英平面光路器件的封裝技術(shù)
11.7光表面安裝技術(shù)
11.8光電子多芯片組件封裝技術(shù)
12操作光電子器件時的注意事項和預(yù)防措施
12.1操作激光二極管時的注意事項和預(yù)防措施
12.2操作光電二極管時的注意事項和預(yù)防措施
12.3操作光電器件時的共性注意事項及預(yù)防措施
13光電子器件的質(zhì)量/可靠性保證規(guī)程
13.1光纖環(huán)路應(yīng)用和可靠性保證概述
13.2激光二極管和激光器組件的質(zhì)量/可靠性保證規(guī)程
13.3發(fā)光二極管及其組件的質(zhì)量/可靠性保證規(guī)程
13.4光探測器及其組件的質(zhì)量/可靠性保證規(guī)程
附錄光電子器件/組件實例
參考文獻