材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法制定過程

材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法編制進(jìn)程

• 標(biāo)準(zhǔn)計劃

2019年7月12日，國家標(biāo)準(zhǔn)計劃《材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法》（20192203-T-469）下達(dá)，項目周期24個月，由TC374（全國質(zhì)量監(jiān)管重點(diǎn)產(chǎn)品檢驗方法標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口上報及執(zhí)行，主管部門為中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會。

• 起草階段

標(biāo)準(zhǔn)起草組于2019年10月18日在深圳召開標(biāo)準(zhǔn)啟動會議，形成了標(biāo)準(zhǔn)制定方案，正式啟動了標(biāo)準(zhǔn)制定和編寫工作。2019年10-2020年2月，標(biāo)準(zhǔn)起草組按照標(biāo)準(zhǔn)啟動會制定的方案進(jìn)行信息收集和調(diào)研、標(biāo)準(zhǔn)方法參數(shù)的實驗優(yōu)化及技術(shù)論證等標(biāo)準(zhǔn)制定工作，在此基礎(chǔ)上編寫了國家標(biāo)準(zhǔn)和編制說明的征求意見稿。

• 發(fā)布實施

2021年5月21日，國家標(biāo)準(zhǔn)《材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法》（GB/T 40139-2021）由中華人民共和國國家市場監(jiān)督管理總局和中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會發(fā)布。

2021年9月1日，國家標(biāo)準(zhǔn)《材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法》（GB/T 40139-2021）實施。

材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法制定依據(jù)

國家標(biāo)準(zhǔn)《材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法》（GB/T 40139-2021）依據(jù)中國國家標(biāo)準(zhǔn)《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則—第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》（GB/T 1.1-2020）規(guī)則起草。

材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法起草工作

主要起草單位：深圳市計量質(zhì)量檢測研究院、中檢華納（北京）質(zhì)量技術(shù)中心有限公司、成都產(chǎn)品質(zhì)量檢驗研究院有限責(zé)任公司、華納通標(biāo)（北京）認(rèn)證有限公司、中檢聯(lián)盟（北京）質(zhì)檢技術(shù)研究院有限公司。

主要起草人：黎永樂、楊俊、鄭燕燕、陳樹娣、張其美、鐘文健、蔡潼玲、王杰、葉秀玲、楊春堯、區(qū)振源、劉瑜、謝曉娟、吳婉君、吳燕蕙、李淅、胡玉玲、李祖敏、孟杰、李波、蔡小先、鄭存哲。

參考資料：

國家標(biāo)準(zhǔn)《材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法》（GB/T 40139-2021）規(guī)定了基于高光譜成像技術(shù)測量材料表面積的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于食品接觸材料、首飾及其他材料表面積的測量。該標(biāo)準(zhǔn)不適用于孔直徑小于1mm的多孔材料，以及含有直徑小于1mm條狀紋理的材料。

作為國家推薦性標(biāo)準(zhǔn)，建議在廣大檢測機(jī)構(gòu)中推廣此標(biāo)準(zhǔn)。企業(yè)采用該標(biāo)準(zhǔn)的檢測方法對產(chǎn)品進(jìn)行相關(guān)的供應(yīng)鏈質(zhì)量管理和風(fēng)險管理，提高產(chǎn)品質(zhì)量，護(hù)航“中國制造”。該標(biāo)準(zhǔn)推廣時建議相關(guān)行業(yè)主管部門和全國質(zhì)量監(jiān)管重點(diǎn)產(chǎn)品檢驗方法標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會進(jìn)行聯(lián)合推廣，可采用免費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)宣貫培訓(xùn)、微信公眾號等形式讓標(biāo)準(zhǔn)得到有效的貫徹實施，發(fā)揮標(biāo)準(zhǔn)的實際作用。

國家標(biāo)準(zhǔn)《材料表面積的測量—高光譜成像三維面積測量法》（GB/T 40139-2021）的制定，可以幫助相關(guān)企業(yè)獲取準(zhǔn)確的表面積數(shù)據(jù)，繼而使食品接觸材料中總遷移量、特定遷移量的檢測以及首飾中鎳釋放的檢測更準(zhǔn)確，從而能有效提升企業(yè)產(chǎn)品的社會認(rèn)知度，創(chuàng)造良好的經(jīng)濟(jì)效益。 2100433B

利用 ICP 技術(shù)刻蝕硅形成深槽制作三維結(jié)構(gòu)，則其表面積相對于二維平面結(jié)構(gòu)將會有較大的增加。B 表示同底面積上三維立體結(jié)構(gòu)所增大表面積的倍數(shù)，S2D、S3D 分別代表二維(平面)結(jié)構(gòu)和三維結(jié)構(gòu)表面積，L 為梳齒總長度，W為總寬度，H 為梳齒高度，W1 為單個梳齒寬度，W2為兩個梳齒之間的距離，則單個梳齒長度為 W－2W1–W₂.