城市交通網絡優(yōu)化與管理的若干基礎問題研究項目摘要

本項目研究以揭示我國城市交通網絡中交通流的時空分布及運行特點、優(yōu)化利用交通資源和緩解與預防城市交通擁堵為目的，通過系統(tǒng)科學、經濟學、行為科學、交通科學和管理科學之間的深層交叉研究，從網絡交通流、路網結構和交通管理三個層面研究適合我國城市混合交通流特性的數(shù)學模型，設計高效的求解算法，驗證交通流的各種組織優(yōu)化與管理策略，并結合實際問題，提出切實可行的、有效的城市交通組織優(yōu)化與管理策略，為緩解和預防城市

薄膜晶體管（TFT）是主動驅動平板顯示的核心元件，微晶硅TFT性能優(yōu)于非晶硅，制作工藝比多晶硅簡單，是實現(xiàn)AM-OLED的方案之一。 我們的研究由單個TFT器件，到TFT器件的集成，最終實現(xiàn)7英寸的TFT-OLED 顯示屏。主要結果如下。 一．微晶硅TFT 器件的研究 1.有源層的研究；（a）研究了生長條件如氫稀釋濃度、襯底溫度、功率密度和反應氣體壓強對微晶硅晶化率的影響。（b）采用PECVD雙倍頻（27.12MHz）直接生長微晶硅薄膜：采用雙倍頻技術提升微晶硅薄膜的沉積速率，改善薄膜的晶化率，直接生長出高質量的微晶硅薄膜。 2.絕緣層的研究:(a)通過優(yōu)化工藝參數(shù)從而調節(jié)表面的粗糙度及薄膜的折射率。將SiNx的折射率控制在1.85-1.90之間，有利于生長高質量的微晶硅薄膜.(b)SiNx絕緣層采用沉積速率“先快后慢”兩步沉積工藝，改善絕緣層/有源層之間的界面態(tài)， 3.界面的改善:(a) SiNx絕緣層表面采用plasma處理，改善了器件的關態(tài)電流，提高開關比，降低了閾值電壓。（b）雙有源層結構：采用a-Si/uc-Si復合結構薄膜代替uc-Si薄膜作為有源層，改善了關態(tài)電流，由6x10-10 A 降到 6x10-12 A. 4．基于無重摻雜的新型源漏電極的微晶硅TFT研究：為了避免傳統(tǒng)重摻雜電極使用磷烷硼烷等有毒氣體，研制安全的歐姆電極.(a)采用鋁合金作為源漏電極我們采用鋁合金作用源漏電極。(b)制備 Al/LiF源漏電極。在Al電極與μc-Si之間插入LiF薄層，制成Al/LiF源漏電極，其電子注入勢壘由Al電極的0.512eV降到0.12eV。優(yōu)化后TFT性能：遷移率0.5cm2/V.s， 閾值電壓0.59V，開關比大于106 。 二．TFT 基板的制作：（a）像素采用2T1C 結構設計?；宄叽纾?英寸。分辨率：VGA 640×RGB（H）×480（V）。驅動電壓：6-13V。像素大?。?22um×74um。（b）工藝：6 MASK 工藝：制作柵極；形成硅島；制作源漏電極及溝道；接觸孔；制作像素電極 (ITO)；制作平坦化層。 三．TFT-OLED顯示屏的制作。 在TFT基板上制備OLED 得到7inch AMOLED彩色顯示屏。分辨率：640X480；亮度：165 cd/m2；NTSC：65.5%。項目圓滿完成.

薄膜晶體管（TFT）是主動驅動平板顯示的核心元件，微晶硅TFT由于性能優(yōu)于非晶硅，其制作工藝又與非晶硅基本相同，比多晶硅便宜，因此是當前最具競爭力的AM-OLED 的控制元件。我們將開展以下研究（1）微晶硅薄膜的新的制備和晶化研究。它具雙層結構，先生長一層很薄微晶硅子晶層然后是非晶硅層；再用液相加熱晶化的方法進行晶化的以期得到高質量，適合于量產的工藝。（2）歐姆接觸層的研究：以插入超薄的絕緣層來代替?zhèn)鹘y(tǒng)n a-Si:H來實現(xiàn)歐姆接觸；并探索其他制歐姆接觸層的可能性。（3）絕緣層的研究：研究Si3N4和SiO2 絕緣層制備條件與深能級的濃度和深度，表面粗糙度的關系。（4）界面層的研究。（5）新型TFT器件結構的研究，如頂柵結構的微晶硅TFT器件的研制等。（6）微晶硅TFT與OLED的集成的研究。尋找最佳的參數(shù)及最合適的器件結構如底柵或頂柵TFT，微腔頂發(fā)射或微腔底發(fā)射OLED等。

《國家審計若干問題研究》由中國時代經濟出版社出版。