中文名 | 電容效應(yīng) | 外文名 | capacitance effect |
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別????名 | 容升效應(yīng) | 特????點 | 電容上的電壓高于電源電動勢 |
產(chǎn)生條件 | L、C串聯(lián)電路 |
為了限制電容效應(yīng)引起的工頻電壓升高,在超高壓電網(wǎng)中,廣泛采用并聯(lián)電抗器來補償線路的電容電流,以削弱其電容效應(yīng) 。2100433B
超高壓輸電線路距離較長,輸電線路的電容不能忽略,此時就必須考慮線路的電容效應(yīng)。
長距離輸電線路空載或輕載時由于線路容抗大于線路感抗,在電源電動勢的作用下,線路中通過的電容電流在感抗上的壓降將使容抗上的電壓高于電源電動勢,即空載線路上的電壓高于電源電壓,致使沿線電壓分布不均,末端電壓最高。這就是空載或輕載線路的電容效應(yīng),又稱費蘭梯效應(yīng)(Ferranti effect)。超高壓輸電系統(tǒng)空載線路的電容效應(yīng)是引起工頻過電壓的主要原因,這種過電壓雖然對系統(tǒng)正常絕緣的電氣設(shè)備一般沒有危害 ,但在超高壓遠距離輸電確定絕緣水平時卻起著重要作用 。
超高壓遠距離輸電線路,要考慮它的分布參數(shù)特征。對于三相對稱、穩(wěn)態(tài)、均勻的線路,可以取單相線路進行計算,計算時取正序參數(shù)。單相線路示意圖如圖1所示。
圖1中:Z1、y1分別為單位長度線路的阻抗和導(dǎo)納,
線路末端電壓U2和電流I2為已知值時的線路穩(wěn)態(tài)方程為:
式中:
對于空載無損線路:
則線路末端電壓與首端電壓關(guān)系為
距線路末端x處的電壓為
由式(4)可見:均勻空載線路沿線電壓呈余弦升高,末端電壓最高。它主要起源于由輸電線路對地電容引起的無功過剩,線路越長,無功過剩越多,從而沿線電壓升高越明顯。在我國超高壓系統(tǒng)中,要求線路側(cè)工頻過電壓不大于最高運行相電壓的1.4倍,母線側(cè)不大于1.3倍。因此,應(yīng)當(dāng)采取措施抑制工頻電壓升高 。
1)超高壓輸電線路在空載或輕載時會出現(xiàn)工頻電壓升高,如不采取措施,對設(shè)備絕緣及其運行條件產(chǎn)生重大影響,影響保護電器的工作條件和效果。
2)采用分段并聯(lián)電抗器的無功補償措施可有效抑制工頻電壓升高,沿線設(shè)置的并聯(lián)電抗器數(shù)越多,效果越好。并聯(lián)電抗器的數(shù)量和補償度的確定應(yīng)考慮技術(shù)和經(jīng)濟的因素。
3)僅一處并聯(lián)電抗器時,在末端最佳;線路末端壓將給變電站無功補償、電壓控制帶來困難 。
在電感、電容串聯(lián)的L-C回路中,如果容抗大于感抗,即回路固有振蕩角頻率
在通常使用的家用電器中,電容器主要有三個作用:1 在需要直流電源的電路中,對交流電源整流后用電容器濾波,得到平滑的直流電。如不用這個電容器,交流電源經(jīng)整流后的脈動直流電流不能經(jīng)濾波成為平滑的...
用在單相電機的電容一般有兩種:一種是我們較常見的啟動電容,顧名思義,由于單相電機形成的磁場不是旋轉(zhuǎn)的,在啟動時就有了電機轉(zhuǎn)向的不確定性或難以啟動。通過電容的移相作用,使電機形成旋轉(zhuǎn)的磁場,從而電機順利...
行電容的容量可按下式計算:C=1950*In/(Un*COSФ) (μF)式中In、Un、cos十分別是原三相電機銘牌上的額定電流、額定電壓和功率因數(shù)值,若銘牌上無功率因數(shù),cosy可取0...
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一、電容的主要參數(shù): 1、 電壓 1) 額定電壓:兩端可以持續(xù)施加的電壓,一般為直流電壓,通常用 VDC。而專用于 交流電的則為交流有效值電壓,通常為 VAC。 電容器的交直流額定電壓換算關(guān)系 直流額定電壓 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流額定電壓 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2) 浪涌電壓:電解電容特有的電壓參數(shù),是短時間可以承受的過電壓,為額定電壓的 1.15 倍。 3) 瞬時過電壓:是鋁電解電容特有電壓參數(shù),為可以瞬時承受的過電壓,這個浪涌電 壓約為額定電壓的 1.3 倍,是鋁電解電容的擊穿電壓。 4) 介電強度:電容額定電壓低于電容中介質(zhì)的擊穿電壓。一般為額定電壓的 1.5~2.5 倍。如:鋁電解電容的擊穿電壓約為額定電壓的 1.3 倍;其它介質(zhì)則通常為 1.75~2 倍以上。 5) 試驗電壓:薄膜電容
PN結(jié)的電容效應(yīng)限制了二極管三極管的最高工作效率,PN結(jié)的電容效應(yīng)將導(dǎo)致反向時交流信號可以部分通過PN結(jié),頻率越高則通過越多。
二極管,三極管反向的時候,PN結(jié)兩邊的N區(qū)和P區(qū)仍然是導(dǎo)電的,這樣兩個導(dǎo)電區(qū)就成了電容的兩個電極。從而構(gòu)成PN結(jié)的電容效應(yīng)。
為了減小這個電容,會減小PN結(jié)面積或增加PN結(jié)厚度,并且一般用勢壘電容,擴散電容來等效。
采用平衡法或中和法可以適當(dāng)?shù)販p弱密勒電容的影響。中和方法即是在晶體管的輸出端與輸入端之間連接一個所謂中和電容,并且讓該中和電容上的電壓與密勒電容上的電壓相位相反,使得通過中和電容的電流恰恰與通過密勒電容的電流方向相反,以達到相互抵消的目的;當(dāng)然,為了有效地抑制密勒效應(yīng),即應(yīng)該要求中和電容與密勒電容正好完全匹配(實際上,由于作為密勒電容的晶體管輸出電容往往與電壓有關(guān),所以很難完全實現(xiàn)匹配,因此需要進行多種改進)。
電容是一種能儲存電荷(充電)和釋放電荷(放電)的元件
PN結(jié)電容包括勢壘電容和擴散電容.
PN結(jié)交界處存在勢壘區(qū).結(jié)兩端電壓變化引起積累在此區(qū)域的電荷數(shù)量的改變,從而顯現(xiàn)電容效應(yīng).
當(dāng)所加的正向電壓升高時,PN結(jié)變窄,空間電荷區(qū)變窄,結(jié)中空間電荷量減少,相當(dāng)于電容放電.同理,當(dāng)正向電壓減小時,PN結(jié)變寬,空間電荷區(qū)變寬,結(jié)中空間電荷量增加,相當(dāng)于電容充電.加反向電壓升高時,一方面會使耗盡區(qū)變寬,也相當(dāng)于對電容的充電.加反向電壓減少時,就是P區(qū)的空穴、N區(qū)的電子向耗盡區(qū)流,使耗盡區(qū)變窄,相當(dāng)于放電.。
PN結(jié)電容算法與平板電容相似,只是寬度會隨電壓變化。
在PN結(jié)反向偏置時,少子數(shù)量很少,電容效應(yīng)很少,也就可以不考慮了。在正向偏置時,P區(qū)中的電子,N區(qū)中的空穴,會伴著遠離勢壘區(qū),數(shù)量逐漸減少。即離結(jié)近處,少子數(shù)量多,離結(jié)遠處,少子的數(shù)量少,有一定的濃度梯度。
正向電壓增加時,N區(qū)將有更多的電子擴散到P區(qū),也就是P區(qū)中的少子----電子濃度、濃度梯度增加。同理正向電壓增加時,N區(qū)中的少子---空穴的濃度、濃度梯度也要增加。相反,正向電壓降低時,少子濃度就要減少。從而表現(xiàn)了電容的特性。