《電力系統(tǒng)可控串聯(lián)電容補(bǔ)償》是在大量科研工作的基礎(chǔ)上,結(jié)合實(shí)際工程經(jīng)驗(yàn)編寫而成。它系統(tǒng)介紹了可控串補(bǔ)技術(shù)(thyristor controlled series compensation)的原理、計(jì)算分析模型和方法、控制策略、關(guān)鍵技術(shù)及工程應(yīng)用。全書共分8章,主要內(nèi)容包括:可控串補(bǔ)系統(tǒng)的潮流和穩(wěn)定計(jì)算,小干擾穩(wěn)定分析,過電壓保護(hù)控制與絕緣配合計(jì)算,次同步諧振分析的模型和方法,可控串補(bǔ)系統(tǒng)穩(wěn)定控制策略,可控串補(bǔ)測量、控制和保護(hù)系統(tǒng),可控串補(bǔ)主要設(shè)備功能要求、關(guān)鍵技術(shù)及其系統(tǒng)設(shè)計(jì)。《電力系統(tǒng)可控串聯(lián)電容補(bǔ)償》的一大特點(diǎn)是內(nèi)容豐富全面,注重理論在工程中的應(yīng)用,不僅對可控串補(bǔ)的基本理論和系統(tǒng)分析有較深入的討論,也對可控串補(bǔ)的裝置設(shè)計(jì)和工程應(yīng)用進(jìn)行了較詳細(xì)的闡述。 《電力系統(tǒng)可控串聯(lián)電容補(bǔ)償》可供從事電力系統(tǒng)規(guī)劃設(shè)計(jì)、運(yùn)行和科學(xué)研究人員參考,并可作為高等院校電力系統(tǒng)高年級學(xué)生和研究生的教材。
作 者: 周孝信 著
出 版 社: 科學(xué)出版社
ISBN: 9787030228758
出版時(shí)間: 2009-01-01
版 次: 1
頁 數(shù): 342
裝 幀: 精裝
開 本: 16開
所屬分類: 圖書>科技>一般工業(yè)技術(shù)
電力系統(tǒng)繼電保護(hù)原理的內(nèi)容簡介
本書為普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材。本書著重闡明電力系統(tǒng)繼電保護(hù)的基本原理、分析方法和應(yīng)用技術(shù)。第一章緒論。第二章闡述作為繼電保護(hù)硬件系統(tǒng)的幾種主要繼電器的作用原理、分析方法和整定原則。第三~...
可以直接套用,但是主材需要找差,也就是你說的那個(gè)文化磚,不論是比定額中的價(jià)格高還是底都要找差價(jià)的。 投標(biāo)的時(shí)候
串聯(lián)電容器是一種無功補(bǔ)償設(shè)備。通常串聯(lián)在330kV及以上的超高壓線路中,其主要作用是從補(bǔ)償電抗的角度來改善系統(tǒng)電壓,以減少電能損耗,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
格式:pdf
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頁數(shù): 62頁
評分: 4.6
磁閥式可控電抗器及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用 作者: 王長善 學(xué)位授予單位: 山東大學(xué) 參考文獻(xiàn)(54條) 1.徐基泰 電抗器品種及其發(fā)展 [期刊論文]-變壓器 2000(1) 2.陳柏超 新型可控飽和電抗器理論及應(yīng)用 1999 3.劉滌塵 .陳柏超 .田翠華 .郭俊華 新型可控電抗器在電網(wǎng)中的應(yīng)用與選型分析 [期刊論文]-電網(wǎng)技術(shù) 1999(2) 4.周臘吾 .徐勇 .朱青 .朱英浩 新型可控電抗器的工作原理與選型分析 [期刊論文]-變壓器 2003(8) 5.陳維賢 .陳禾 .劉艷村 .田翠華 .魯鐵成 高速響應(yīng)新型可控電抗器 [期刊論文]-武漢水利電力大學(xué)學(xué)報(bào) 1999(2) 6.奚梅成 數(shù)值分析方法 1995 7.徐士良 .孫甲松 科學(xué)計(jì)算通用程序集 19
可控硅分類
可控硅有多種分類方法。
(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
(六)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。
(七)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見的是移相觸發(fā),即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來改變輸出百分比。
串聯(lián)電容補(bǔ)償調(diào)壓:
串聯(lián)電容補(bǔ)償可用于配電網(wǎng)中進(jìn)行局部調(diào)壓。在距離較長的重載線路,因其調(diào)壓作用是通過線路滯相電流流過串聯(lián)電容而產(chǎn)生的電壓升高來實(shí)現(xiàn)的。故線路負(fù)載愈重,功率因數(shù)愈低,串聯(lián)電容補(bǔ)償調(diào)壓的作用愈顯著。這種調(diào)壓作用隨線路負(fù)載的變化而變化,具有自行調(diào)節(jié)的功能。