中文名 | 發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法 | 外文名 | Transient thermal test method for light emitting diode modules |
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標(biāo)準(zhǔn)號(hào) | GB/T 38621-2020 | 中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào) | L63 |
發(fā)布日期 | 2020-04-28 | 主管部門(mén) | 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部(電子) |
實(shí)施日期 | 2020-11-01 | 狀????態(tài) | 現(xiàn)行 |
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)號(hào) | 31.120 | 性????質(zhì) | 推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn) |
歸口單位 | 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部(電子) | 執(zhí)行單位 | 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部(電子) |
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法》(GB/T 38621-2020)規(guī)定了由單個(gè)、多個(gè)發(fā)光二極管(LED)芯片或器件組成的LED模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法原理、一般要求、測(cè)試步驟、結(jié)果分析及計(jì)算、測(cè)試報(bào)告。該標(biāo)準(zhǔn)適用于單個(gè)、多個(gè)LED芯片或器件封裝而成的模塊,以及LED芯片或器件和其他微電子器件構(gòu)成的模塊熱特性測(cè)量。其他多芯片或器件封裝而成的模塊熱特性測(cè)量也可參考。
SJ/T 11394-2009 半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法 |
參考資料:
半導(dǎo)體照明技術(shù)發(fā)展迅速,功率型白光LED已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入照明領(lǐng)域,但是產(chǎn)品的光色一致性、可靠性等還不十分令人滿(mǎn)意。對(duì)于同一LED器件,兩個(gè)廠家之間的測(cè)量結(jié)果可能存在很大的誤差。因此, LED照明產(chǎn)品檢測(cè)技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)方面還不能完全適應(yīng)LED照明發(fā)展的要求。半導(dǎo)體照明與傳統(tǒng)照明的最大區(qū)別就是LED 的發(fā)光特性對(duì)溫度非常敏感。結(jié)溫是直接影響LED 的工作特性的參數(shù),LED 結(jié)溫的高低直接關(guān)系到LED 出光效率、發(fā)射波長(zhǎng)、器件壽命和可靠性。隨著功率型LED 的迅速發(fā)展,電流密度的增加,LED 熱性能的影響越來(lái)越明顯,因此,如何精確測(cè)量功率型LED 模組熱學(xué)特性,提高LED 散熱能力受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。另外,隨著技術(shù)的不斷提高,已經(jīng)開(kāi)始向多芯片集成化LED 模組方向發(fā)展,模組的橫向和縱向之間的熱場(chǎng)分布特性的研究對(duì)于提高LED 光源模組的散熱能力以及光、電性能也至關(guān)重要。在穩(wěn)態(tài)條件下測(cè)試出來(lái)的,依賴(lài)于溫度在結(jié)到基座之間的熱流路徑上的溫度的空間差異,其計(jì)算結(jié)果稱(chēng)為“穩(wěn)態(tài)熱阻 ”。但是,由于基座表面與熱沉接觸,這種測(cè)量方式難以用熱電偶精確測(cè)量基座溫度。因此,不同的測(cè)量裝置會(huì)影響穩(wěn)態(tài)熱阻值的測(cè)量。鑒于此,制定了國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法》(GB/T 38621-2020)。
標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃
2015年8月18日,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法》(20151774-T-339)下達(dá),項(xiàng)目周期24個(gè)月,由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部(電子)提出并歸口執(zhí)行,主管部門(mén)為中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部(電子)。
發(fā)布實(shí)施
2020年4月28日,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法》(GB/T 38621-2020)由中華人民共和國(guó)國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局、中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)發(fā)布。
2020年11月1日,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法》(GB/T 38621-2020)實(shí)施。
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法》(GB/T 38621-2020)依據(jù)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則—第1部分:標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫(xiě)》(GB/T 1.1-2009)規(guī)則起草。
主要起草單位:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院。
主要起草人:趙麗霞、馬占紅、李晉閩、劉秀娟、符佳佳、孫雪嬌、趙英。
呵呵呵呵。。。。。。如果找科普最好去百度“百科”或者百度“文庫(kù)”中去找,那里更全面。
發(fā)光二極管正向壓降大小有差別,并聯(lián)起來(lái)將使有的賊亮,有的賊暗。應(yīng)該是2~3個(gè)發(fā)光二極管串聯(lián),再串聯(lián)一個(gè)1k~3k電阻。如此做成兩組,再一起接9V電源就行。
普通發(fā)光二極管和高亮發(fā)光二極管的區(qū)別
事實(shí)上,發(fā)光二極管前的電阻是起限流作用的,如果沒(méi)用,誰(shuí)還會(huì)傻乎乎的多接個(gè)電阻呢!其次,普通發(fā)光二極管工作電流在20mA左右,而高亮度的工作電流在5mA左右,如果直接換上的話(huà),會(huì)因?yàn)楣ぷ麟娏鬟^(guò)大而燒毀
前言 |
Ⅰ |
1范圍 |
1 |
2規(guī)范性引用文件 |
1 |
3術(shù)語(yǔ)和定義 |
1 |
4原理 |
2 |
5一般要求 |
2 |
6測(cè)試步驟 |
3 |
7結(jié)果分析及計(jì)算 |
4 |
8測(cè)試報(bào)告 |
5 |
附錄A(資料性附錄)相關(guān)測(cè)試結(jié)果分析示例 |
6 |
附錄B(規(guī)范性附錄)相對(duì)熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法 |
8 |
參考文獻(xiàn) |
10 |
參考資料:
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測(cè)試方法》(GB/T 38621-2020)的制定,是針對(duì)功率型LED,在不同的熱沉制冷條件下,測(cè)量芯片的熱場(chǎng)分布特性,結(jié)溫的瞬態(tài)測(cè)量,不需要考慮基座溫度,為芯片制備和器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等提供技術(shù)支撐。
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大?。?span id="ycjhi87" class="single-tag-height">215KB
頁(yè)數(shù): 未知
評(píng)分: 4.7
使用常規(guī)實(shí)驗(yàn)儀器搭建了LED特性測(cè)試系統(tǒng),測(cè)試了LED的伏安特性、光強(qiáng)分布特性、光譜特性、光功率與電流關(guān)系特性和發(fā)光效率與電流關(guān)系特性,得到了LED的閾值電壓、正常電壓、發(fā)光波長(zhǎng)、半值角與指向性、峰值波長(zhǎng)和光通量等參量.
格式:pdf
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頁(yè)數(shù): 7頁(yè)
評(píng)分: 4.8
發(fā)光二極管 (LED)失效分析 時(shí)間 : 2009-12-27 15:17 來(lái)源 : unknown 作者 : 11 點(diǎn)擊 : 1 次 發(fā)光二極管 (LED)失效分析 2009年 06月 27日星期六 12: 17LED(Light-Emitting-Diode 中文意思為發(fā)光二極管 )是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化 為可見(jiàn)光的半導(dǎo)體, 它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈三基色粉發(fā)光的原理, 而 采用電場(chǎng)發(fā)光。據(jù) 發(fā)光二極管 (LED)失效分析 2009年 06月 27日星期六 12: 17LED(Light-Emitting-Diode 中文意思為發(fā)光二極管 )是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化 為可見(jiàn)光的半導(dǎo)體, 它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈三基色粉發(fā)光的原理, 而 采用電場(chǎng)發(fā)光。據(jù)分析。 LED 的特點(diǎn)非常明顯。 壽命長(zhǎng)、光效高、無(wú)輻射與低功耗。 LED的光譜幾乎全部集中于可見(jiàn)光 頻段。 其發(fā)光
瞬態(tài)平面熱源法測(cè)定材料熱物性的原理是基于無(wú)限大介質(zhì)中階躍加熱的圓盤(pán)形熱源產(chǎn)生的瞬態(tài)溫度響應(yīng)。利用熱阻性材料做成一個(gè)平面的探頭,同時(shí)作為熱源和溫度傳感器。鎳的熱阻系數(shù)--溫度和電阻的關(guān)系呈線(xiàn)性關(guān)系,即通過(guò)了解電阻的變化可以知道熱量的損失,從而反映樣品的導(dǎo)熱性能。Hotdisk探頭采用導(dǎo)電金屬鎳經(jīng)刻蝕處理后形成的連續(xù)雙螺旋結(jié)構(gòu)的薄片,外層為雙層的聚酰亞胺(Kapton)保護(hù)層,厚度只有0.025mm,它令探頭具有一定的機(jī)械強(qiáng)度并保持與樣品之間的電絕緣性。在測(cè)試過(guò)程中,探頭被放置于中間進(jìn)行測(cè)試。電流通過(guò)鎳時(shí),產(chǎn)生一定的溫度上升,產(chǎn)生的熱量同時(shí)向探頭兩側(cè)的樣品進(jìn)行擴(kuò)散,熱擴(kuò)散的速度依賴(lài)于材料的熱傳導(dǎo)特性。通過(guò)記錄溫度與探頭的響應(yīng)時(shí)間,由數(shù)學(xué)模型可以直接得到導(dǎo)熱系數(shù)和熱擴(kuò)散率,兩者的比值得到體積比熱。
初始測(cè)試時(shí),在Kapton涂層上會(huì)產(chǎn)生很小的溫度下降,經(jīng)過(guò)很短的,由于輸出功率是恒定的,溫度的下降將保持恒定。探頭的電阻變化可用下式表示。
R(t)=Ro[1+α△Ti+α△T(τ)] (1)
其中
Ro:探頭在瞬間記錄前的電阻;
α:電阻溫度系數(shù)(TCR);
△Ti:薄膜保護(hù)層中的溫差(由于保護(hù)層非常薄,在很短時(shí)間內(nèi)可以把△Ti看作是定值);
△T(τ):與試樣處于理想完全接觸時(shí)探頭平均溫升。
而△T(τ)可以表示為:
△T(τ)=QD(τ)/(λroπ^3/2) (2)
其中:
Q:恒定輸出功率;
ro:探頭半徑;
λ:被測(cè)樣品導(dǎo)熱系數(shù),即我們要求的值;
D(τ):無(wú)因此時(shí)間函數(shù)。
假設(shè)R*=Ro(1+α△Ti), K=αRoQ/(λroπ^3/2),將(2)式代入(1)式得:
R(t)=R* + K D(τ) (3)
將測(cè)得的電阻值R(t)對(duì)D(τ) 作圖得到一條直線(xiàn),截距是C。通過(guò)反復(fù)變換特征時(shí)間θ擬合,使R(t)對(duì)D(τ)的 得直線(xiàn)相關(guān)性達(dá)到最大,此時(shí)導(dǎo)熱系數(shù)便可以由直線(xiàn)的斜率K計(jì)算得出。
在研究材料時(shí)能夠同時(shí)測(cè)量熱導(dǎo)率、熱擴(kuò)散率以及單位體積的熱容。這種方法采用一個(gè)瞬間熱平面探頭,在大多數(shù)應(yīng)用中被稱(chēng)之為Hot Disk熱常數(shù)分析儀。瞬態(tài)平面熱源技術(shù)在國(guó)內(nèi)正在被越來(lái)越多地研究人員應(yīng)用于各種不同類(lèi)型材料的熱物性的測(cè)試。
瞬態(tài)響應(yīng),指系統(tǒng)在某一典型信號(hào)輸入作用下,其系統(tǒng)輸出量從初始狀態(tài)到穩(wěn)定狀態(tài)的變化過(guò)程。瞬態(tài)響應(yīng)也稱(chēng)動(dòng)態(tài)響應(yīng)或過(guò)渡過(guò)程或暫態(tài)響應(yīng)。瞬態(tài)響應(yīng)好的器材應(yīng)當(dāng)是信號(hào)一來(lái)就立即響應(yīng),信號(hào)一停就戛然而止,決不拖泥帶水。