高精度電子真空鍍膜系統(tǒng)

蒸鍍Ti、Al、Ni等金屬薄膜以及SiO2、Ta2O5等氧化物薄膜。 2100433B

可同時(shí)刻3片4寸樣品；精度可達(dá)0.1nm；可加熱鍍膜。

真空鍍膜設(shè)備內(nèi)容簡介

《真空鍍膜設(shè)備》詳細(xì)介紹了真空鍍膜設(shè)備的設(shè)計(jì)方法與鍍膜設(shè)備各機(jī)構(gòu)元件的設(shè)計(jì)計(jì)算、設(shè)計(jì)參數(shù)的選擇，其中重點(diǎn)、系統(tǒng)地介紹了磁控濺射靶的設(shè)計(jì)計(jì)算和濺射鍍膜的膜厚均勻性設(shè)計(jì)。全書共分13章，主要講解真空鍍膜室結(jié)構(gòu)、鍍膜室工件架、真空鍍膜機(jī)的加熱與測溫裝置、真空鍍膜機(jī)的抽氣系統(tǒng)、真空室電和運(yùn)動(dòng)的導(dǎo)入結(jié)構(gòu)、濺射鍍膜設(shè)備的充布?xì)庀到y(tǒng)、蒸發(fā)源、磁控濺射靶、濺射鍍膜的膜厚均勻性等方面的設(shè)計(jì)與計(jì)算。

《真空鍍膜設(shè)備》有很強(qiáng)的實(shí)用性，適合真空鍍膜設(shè)備的設(shè)計(jì)制造、真空鍍膜設(shè)備的應(yīng)用等與真空鍍膜技術(shù)有關(guān)的行業(yè)從事設(shè)計(jì)、設(shè)備操作與維護(hù)的技術(shù)人員使用，還可用作高等院校相關(guān)專業(yè)師生的教材及參考書。

真空鍍膜設(shè)備圖書目錄

1 真空鍍膜設(shè)備設(shè)計(jì)概述

2 真空鍍膜室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)計(jì)算

2.1 基本設(shè)計(jì)原則

2.1 2鍍膜室的材料選擇與焊接要求

2.2.1 材料選擇

2.2.2 焊接要求

2.3 鍍膜室壁厚的計(jì)算

2.3.1 鍍膜室的計(jì)算壁厚

2.3.2 鍍膜室的實(shí)際壁厚與壁厚附加量

2.3.3 鍍膜室的最小壁厚

2.4 圓筒形鍍膜室殼體的設(shè)計(jì)計(jì)算

2.4.1 圓筒形鍍膜室基本設(shè)計(jì)參數(shù)

2.4.2 圓筒形鍍膜室的強(qiáng)度(壁厚)計(jì)算

2.4.3 外壓圓筒加強(qiáng)圈的設(shè)計(jì)

2.4.4 簡體加工允許偏差

2.4.5 鍍膜室封頭的壁厚計(jì)算

2.5 圓錐形殼體的設(shè)計(jì)

2.6 盒形殼體設(shè)計(jì)

2.7 壓力試驗(yàn)

2.8 真空鍍膜室門設(shè)計(jì)

2.9 真空鍍膜室的冷卻

3 鍍膜室升降機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)

3.1 立式鍍膜機(jī)真空室的升降機(jī)構(gòu)

3.1.1 機(jī)械升降機(jī)構(gòu)

3.1.2 液壓升降機(jī)構(gòu)

3.1.3 氣動(dòng)液壓相結(jié)合的升降機(jī)構(gòu)

3.2 真空室的復(fù)位

4 鍍膜室工件架的設(shè)計(jì)

4.1 常用工件架

4.1.1 球面行星傳動(dòng)工件架

4.1.2 摩擦傳動(dòng)工件架

4.1.3 齒輪傳動(dòng)工件架

4.1.4 撥桿傳動(dòng)工件架

4.2 工件架的轉(zhuǎn)速

5 真空鍍膜機(jī)的加熱與測溫裝置

5.1 加熱方式及其裝置

5.2 測溫方式與裝置

5.3 真空室內(nèi)引線設(shè)計(jì)

6 真空鍍膜機(jī)的擋板機(jī)構(gòu)

7 真空鍍膜機(jī)的抽氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)

7.1 鍍膜設(shè)備用真空系統(tǒng)

7.1.1 普通鍍膜設(shè)備用典型高真空系統(tǒng)

7.1.2 超高真空系統(tǒng)

7.2 真空鍍膜機(jī)抽氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

7.2.1 真空鍍膜設(shè)備對(duì)抽氣系統(tǒng)的要求

7.2.2 鍍膜機(jī)抽氣系統(tǒng)的放氣量計(jì)算

7.2.3 真空泵的選擇

8 真空室內(nèi)電和運(yùn)動(dòng)的導(dǎo)人導(dǎo)出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

8.1 電導(dǎo)人導(dǎo)出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

8.1.1 電導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要求

8.1.2 電導(dǎo)入導(dǎo)出部件的結(jié)構(gòu)形式

8.2 運(yùn)動(dòng)導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

8.2.1 常規(guī)轉(zhuǎn)軸動(dòng)密封導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)

8.2.2 磁流體動(dòng)密封運(yùn)動(dòng)導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)

8.2.3 金屬波紋管密封柔性運(yùn)動(dòng)導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)

8.2.4 磁力驅(qū)動(dòng)動(dòng)密封運(yùn)動(dòng)導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)

9 充布?xì)庀到y(tǒng)設(shè)計(jì)

9.1 充布?xì)庀到y(tǒng)設(shè)計(jì)原則

9.2 充布?xì)庀到y(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

9.2.1 充布?xì)庀到y(tǒng)類型及結(jié)構(gòu)

9.2.2 布?xì)夤苈方Y(jié)構(gòu)形式

9.2.3 充布?xì)夤苈贩治鲇?jì)算

9.3 充氣控制方式設(shè)計(jì)

9.3.1 封閉式氣壓穩(wěn)定充氣控制

9.3.2 質(zhì)量流量控制器充氣控制

9.4 真空室內(nèi)充大氣時(shí)間計(jì)算

10 電磁屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

10.1 真空鍍膜設(shè)備屏蔽概述

10.2 電磁輻射屏蔽設(shè)計(jì)

11 蒸發(fā)源的設(shè)計(jì)計(jì)算

11.1 電阻加熱式蒸發(fā)源的熱計(jì)算

11.2 e型槍蒸發(fā)源的設(shè)計(jì)計(jì)算

11.2.1 燈絲參數(shù)計(jì)算

11.2.2 磁偏轉(zhuǎn)線圈及燈絲位置的確定

11.2.3 膜材蒸發(fā)時(shí)所需熱量

11.2.4 e型槍蒸發(fā)源的水冷卻

11.2.5 e型槍蒸發(fā)源的電源

11.2.6 多槍蒸發(fā)源的設(shè)計(jì)安裝

11.3 感應(yīng)加熱式蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

11.3.1 坩堝設(shè)計(jì)

11.3.2 電源及其頻率的選擇

11.4 蒸發(fā)源的蒸發(fā)特性及膜厚分布

11.4.1 點(diǎn)蒸發(fā)源的膜厚分布

11.4.2 小平面蒸發(fā)源膜厚分布

11.4.3 環(huán)形蒸發(fā)源

11.4.4 矩形平面蒸發(fā)源

11.4.5 蒸發(fā)源與基片的相對(duì)位置

12 磁控濺射靶的設(shè)計(jì)

12.1 靶磁場的設(shè)計(jì)原則

12.1.1 磁場強(qiáng)度的選擇

12.1.2 磁場均勻性：

12.1.3 矩形靶彎道磁場設(shè)計(jì)

12.1.4 磁場設(shè)計(jì)改進(jìn)方法

12.2 磁控靶的磁場設(shè)計(jì)計(jì)算

12.2.1 三維直角坐標(biāo)系中的靶磁場

12.2.2 矩形平面磁控濺射靶的磁場

12.2.3 圓形平面磁控濺射靶的磁場計(jì)算

12.2.4 同軸圓柱磁環(huán)濺射靶的磁場計(jì)算

12.2.5 同軸圓柱條形磁體濺射靶的磁場計(jì)算

12.2.6 S槍濺射靶的磁場計(jì)算

12.3 平面磁控靶結(jié)構(gòu)改進(jìn)

12.3.1 運(yùn)動(dòng)磁場的靶結(jié)構(gòu)

12.3.2 雙環(huán)組合磁極靶結(jié)構(gòu)

12.3.3 組合磁場靶結(jié)構(gòu)

12.3.4 磁場分流靶結(jié)構(gòu)

12.3.5 其他磁體形式的靶結(jié)構(gòu)

12.4 永磁體及導(dǎo)磁片設(shè)計(jì)

12.4.1 永磁體材料

12.4.2 導(dǎo)磁墊片

12.5 陽極與屏蔽罩的設(shè)計(jì)

12.5.1 陽極設(shè)計(jì)

12.5.2 屏蔽罩設(shè)計(jì)

12.6 濺射靶水冷系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與計(jì)算

12.6.1 冷卻水流速率的計(jì)算

12.6.2 冷卻水管內(nèi)徑的計(jì)算

12.6.3 冷卻水管長度

12.7 靶材的設(shè)計(jì)選擇

12.7.1 靶材的種類

12.7.2 靶材的選用原則

12.7.3 對(duì)靶材的技術(shù)要求

12.7.4 靶材與陰極背板的連接

12.7.5 常用靶材

12.8 磁控濺射靶設(shè)計(jì)方法

12.8.1 靶設(shè)計(jì)分析方法

12.8.2 磁控靶設(shè)計(jì)程序

13 濺射鍍膜的膜厚均勻性設(shè)計(jì)

13.1 濺射鍍膜不均勻性的原因及影響因素

……

功能應(yīng)用

基于阿基米德定理及其獨(dú)有技術(shù)生產(chǎn)的新型高精度電子固體密度計(jì)，內(nèi)建比重直讀軟件，準(zhǔn)確、快速、直讀測量各種物態(tài)、各種范圍的樣品的比重值。

主要特點(diǎn)

■ 采用水中置換(懸架)法

■ 可測量比重、體積、孔隙率、膨脹率、含油率

■ 完全直讀不需要再運(yùn)算，節(jié)省人工運(yùn)算工時(shí)

■ 獨(dú)有的容器和軟件，可容易地測量任何形狀的樣品，包括固體，液體，浮體，顆粒，粉末，薄膜，吸水體，發(fā)泡體，粘稠體等

主要特點(diǎn)：

大型比重測量臺(tái)設(shè)計(jì)；

可連續(xù)讀取吸水體之比重變化率；

可連續(xù)讀取吸水體之體積變化率；

具有比重密度上下限比較功能設(shè)定；

可改變溫度補(bǔ)償及任意改變媒介溶液；

適合測量密度>1及<1的測量物；

內(nèi)含RS-232C計(jì)算機(jī)接口及軟件程序；

可立即和計(jì)算機(jī)聯(lián)機(jī)繪出品質(zhì)管制圖；

可讀出兩種混合物之含量百分比且擁有三組記 憶。