ICP干法金屬刻蝕系統(tǒng)

干法刻蝕工藝總結(jié) 離子束刻蝕機（ IBE-150A） 背景 : 利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子， 氬離子經(jīng)過陽極電場的加速對樣品表面 進行物理轟擊， 以達到刻蝕的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之類惰性氣體充入離子源放 電室并使其電離形成等離子體， 然后由柵極將離子呈束狀引出并加速， 具有一定 能量的離子束進入工作室， 射向固體表面撞擊固體表面原子， 使材料原子發(fā)生濺 射，達到刻蝕目的，屬純物理過程。 技術(shù)指標(biāo)： 裝片：一片六英寸襯底、或 1片四英寸，向下兼容。 抽氣速度： 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 極限真空度： 2×10-4Pa 離子能量： 300eV-400eV ICP 刻蝕機（ OXFORD ICP 180） 背景 : 通入反應(yīng)氣體使用電感耦合等離子體輝光放電將其分解， 產(chǎn)生的具有強化學(xué)活性 的等離子體在電場的加速作用下移動到樣品表面， 對樣品表面既進行化學(xué)

第二章干法刻蝕的介紹 2. 1刻蝕、干法刻蝕和濕法腐蝕 2. 1 .1關(guān)于刻蝕 刻蝕，是指用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。 刻蝕的基 本目的，是在涂膠 (或有掩膜 )的硅片上正確的復(fù)制出掩膜圖形 [1]。 刻蝕，通常是在光刻工藝之后進行。 我們通常通過刻蝕， 在光刻工藝之后，將想要的圖 形留在硅片上。從這一角度而言，刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉(zhuǎn)移工藝步驟。 在通常的刻蝕過程中，有圖形的光刻膠層〔或掩膜層 )將不受到腐蝕源顯著的侵蝕或刻蝕， 可作為掩蔽膜， 保護硅片上的部分特殊區(qū)域， 而未被光刻膠保護的區(qū)域， 則被選擇性的刻蝕 掉。 2.1.2 干法刻蝕與濕法刻蝕 在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。 干法刻蝕， 是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體， 通過經(jīng)光刻而開出的掩蔽層窗口， 與暴露于 等離子體中的硅片行物理和化學(xué)反應(yīng)，刻蝕掉硅片上暴露的