隨機摻雜波動(RDF)是由于注入雜質濃度的變化而導致的工藝變化的一種形式。在MOSFET晶體管中,溝道區(qū)域中的RDF可以改變晶體管的屬性,特別是閾值電壓。在較新的工藝技術中,RDF具有較大的影響,因為摻雜劑的總數(shù)量較少。

正在進行研究以抑制在相同制造工藝中的器件之間的閾值電壓變化的摻雜物波動 。2100433B

臨界電壓造價信息

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雜物 1# TWJ200 0.4 查看價格 查看價格

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雜物 品種:雜物架;產(chǎn)品體積:0.02;型號:K-3697T-NA;系列:廚用雜物架; 查看價格 查看價格

科勒

13% 北京忠宏環(huán)宇科技發(fā)展有限公司
雜物 品種:雜物架;產(chǎn)品描述:廚用雜物架;產(chǎn)品體積:0.02;型號:K-3697T-NA; 查看價格 查看價格

科勒

13% 華藝經(jīng)典(北京)廚衛(wèi)科技發(fā)展有限公司
雜物 產(chǎn)品編號:333;品種:雜物架;規(guī)格(mm):1000×508×850;顏色:R116N色 查看價格 查看價格

赫斯特堡

13% 赫斯特堡上海專賣店
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13% 武漢金泰居家居有限公司
雜物 規(guī)格(mm):1000×508×850;顏色:R116N色;產(chǎn)品編號:333 查看價格 查看價格

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13% 武漢金泰居家居有限公司
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赫斯特堡

13% 沈陽巴洛帝家居有限公司
雜物電 品種:窗口式雜物電梯;層門尺寸(mm):1000×1200;最高層站:2/2;機功率(kW):1.5;轎廂尺寸(mm):1000×1000;額定載重量(kg):200;額定速度(m/s):1 查看價格 查看價格

利科

13% 湖北派古科技有限公司
材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
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臺·月 深圳市2010年7月信息價
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臺·月 深圳市2010年5月信息價
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臺·月 深圳市2010年4月信息價
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臺·月 深圳市2010年6月信息價
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臺班 汕頭市2012年4季度信息價
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臺班 汕頭市2012年2季度信息價
木工刨床 刨削寬度單面600 查看價格 查看價格

臺班 汕頭市2012年2季度信息價
木工刨床 刨削寬度三面400 查看價格 查看價格

臺班 汕頭市2012年2季度信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
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電壓變送器 電壓變送器|1支 1 查看價格 廣東春雷環(huán)境工程有限公司 廣西  玉林市 2017-12-05
電壓并列裝置 電壓并列裝置|1套 1 查看價格 中建普聯(lián)    2014-08-01
電壓轉換 LW8-10YH3/3|1個 2 查看價格 四川威特電力設備有限公司 四川   2018-01-25
電壓轉換 LW8-10YH3/3|1個 1 查看價格 重慶華美電氣有限公司 四川   2018-01-09
電壓 QSM1QS90、 225型(3極)|7167個 1 查看價格 澳洲奇勝電器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-12-16
電壓 QSM1QS90、800型(4極)|2815個 1 查看價格 澳洲奇勝電器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-12-02
電壓 QSM1QS90 、100型(3極)|2224個 1 查看價格 澳洲奇勝電器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-10-24
電壓 QSM1QS90 、225型(4極)|915個 1 查看價格 澳洲奇勝電器(北京)有限公司 北京  北京市 2015-08-19

與氧化物厚度影響閾值電壓的情況一樣,溫度對CMOS器件的閾值電壓有影響。在身體效應部分的部分方程展開

哪里

是接觸潛力的一半,
是波爾茲曼常數(shù),
是溫度,
是基本電荷,
是一個摻雜參數(shù)和
是襯底的固有摻雜參數(shù)。

我們看到表面電位與溫度有直接的關系。從上面看,閾值電壓不具有直接的關系,但不是獨立的影響。平均而言,取決于摻雜水平,該變化在-4mV / K和-2mV / K之間。對于30°C的變化,這會導致與通常用于90 nm技術節(jié)點的500 mV設計參數(shù)的顯著變化 。

在給定的技術節(jié)點中,例如90-nmCMOS工藝,閾值電壓取決于氧化物的選擇和氧化物厚度。使用上面的身體公式,

成正比
,和
,這是氧化物厚度的參數(shù)。

因此,氧化物厚度越薄,閾值電壓越低。雖然這似乎有所改善,但這并非沒有代價;因為氧化層厚度越薄,通過器件的亞閾值泄漏電流就越高。因此,90nm柵極氧化層厚度的設計規(guī)格被設定為1nm以控制漏電流。這種隧道,稱為福勒 - 諾德海姆隧道。

其中

是常數(shù)和
是柵氧化層上的電場。

在將設計特征縮小至90納米之前,用于產(chǎn)生氧化物厚度的雙氧化物方法是解決此問題的常見方法。采用90納米工藝技術,在某些情況下采用了三氧化鎵方法。一種標準薄氧化物用于大多數(shù)晶體管,另一個為I / O驅動器細胞,而第三個存儲器和通晶體管單元。這些差異純粹是基于CMOS技術閾值電壓的氧化層厚度特性 。

臨界電壓隨機摻雜物波動的依賴性常見問題

所述體效應是由量在所述閾值電壓的變化近似等于在變更

,由于人體影響閾值電壓(沒有連接到源極時),因此可以將其視為第二個門,有時也稱為“后門”。身體效應有時被稱為“后門效應”。

對于增強模式,使用以下等式根據(jù)Shichman-Hodges模型(對于非常老的技術來說是精確的)來計算對閾值電壓的nMOS MOSFET體效應。

其中

是襯底偏壓存在時的閾值電壓,
是源到體的襯底偏置,
是表面的潛力,和
是零襯底偏壓的閾值電壓,
是身體效果參數(shù),
是氧化物厚度,
是氧化物介電常數(shù),
是硅的介電常數(shù),
是一個興奮劑濃度,
是基本電荷 。

在n溝道增強型器件中,導電溝道在晶體管內不是自然存在的,并且需要正的柵極到源極電壓來產(chǎn)生這種電壓。正電壓吸引體內的自由浮動電子朝向柵極,形成導電溝道。但首先必須在柵極附近吸引足夠的電子以對抗添加到FET體中的摻雜離子;這形成沒有被稱為耗盡區(qū)的移動載體的區(qū)域,并且發(fā)生這種情況的電壓是FET的閾值電壓。進一步的柵極 - 源極電壓增加將吸引更多的電子朝向能夠形成從源極到漏極的導電溝道的柵極;這個過程被稱為倒置。

相反,n溝道耗盡型器件在晶體管內自然存在導電溝道。因此,術語“閾值電壓”不容易應用于使這樣的器件“接通”,而是用來代表溝道足夠寬以允許電子容易流動的電壓電平。這種易流動的閾值也適用于p溝道耗盡型器件,其中從柵極到體/源極的正電壓通過迫使帶正電的孔離開柵極絕緣體/半導體界面而產(chǎn)生耗盡層,留下暴露出不能攜帶的帶負電的受體離子的無載體區(qū)域。

在寬平面晶體管中,閾值電壓基本上與漏極 - 源極電壓無關,因此是一個明確定義的特性,但是由于漏極引起的勢壘降低,在現(xiàn)代納米尺寸的MOSFET中不太清楚。

在這些圖中,源極(左側)和漏極(右側)被標記為n 以指示重摻雜(藍色)n區(qū)域。耗盡層摻雜物被標記為NA以指示(粉紅色)耗盡層中的離子帶負電且?guī)缀鯖]有空穴。在(紅色)體積中,孔的數(shù)量p = NA,使得大部分電荷為中性。

如果柵極電壓低于閾值電壓,則晶體管截止,理想情況下晶體管的漏極到源極沒有電流。實際上,即使柵極偏置電流低于閾值(亞閾值漏電流),也存在電流,盡管電流很小并且隨著柵極偏置指數(shù)地變化。

如果柵極電壓高于閾值電壓,則由于在氧化物 - 硅界面處的溝道中存在許多電子,所以晶體管導通,形成低電阻溝道,其中電荷可以從漏極流向源極。對于顯著高于閾值的電壓,這種情況被稱為強反轉。當VD> 0時,通道逐漸變細,因為由于電阻通道中的電流而引起的電壓降降低了在接近漏極時支撐通道的氧化物場。

當涉及結型場效應晶體管(JFET)時,閾值電壓通常被稱為“夾斷電壓”。這有點混亂,因為“夾斷”施加到絕緣柵場效應晶體管(IGFET)是指信道夾持,導致在高源-漏偏置電流飽和行為,即使當前是從來沒有過。與“夾斷”不同,術語“閾值電壓”是明確的,在任何場效應晶體管中都是指相同的概念。

臨界電壓隨機摻雜物波動的依賴性文獻

纖維束增強復合材料的雙層次隨機擴大臨界核模型 纖維束增強復合材料的雙層次隨機擴大臨界核模型

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頁數(shù): 8頁

評分: 4.4

針對纖維束增強復合材料,提出了雙層次隨機擴大臨界核模型。以復合材料制造工藝為基礎建立了纖維間距和纖維束中纖維根數(shù)的計算模型,將復合材料中的纖維分為2個層次:纖維束和纖維束群,并提出父核和子核的概念對臨界核的構成進行了區(qū)分,用Beyerlein公式計算纖維束群中纖維束相繼失效引起的纖維束的平均應力集中因子,用Sivasambu公式來計算纖維束中纖維相繼斷裂造成的纖維的應力集中因子。然后,以纖維斷裂蔓延的主要模式為基礎,將逐漸增大的無效長度引入纖維束內部,根據(jù)統(tǒng)計學理論推導相應的復合材料破壞概率計算公式。編制了相關程序,通過該程序分別預測了S玻纖、E玻纖、玄武巖纖維無捻單向纖維布增強復合材料試件的拉伸強度。對3種復合材料板進行了拉伸強度及基體的拉伸和剪切實驗,并對比了預測結果與實驗結果。研究結果顯示,直接將實驗對象的材料、幾何參數(shù)代入就能得到與實驗結果吻合的預測結果。

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雜物電梯 雜物電梯

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頁數(shù): 26頁

評分: 4.7

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在臨界熱流密度試驗過程中,臨界判斷一般采用加熱元件壁溫判斷,其判據(jù)有兩條:一是加熱元件壁溫躍升速率達到或超過某一定值;二是加熱元件壁溫達到或超過最高溫度限值。臨界熱流密度試驗數(shù)據(jù)分析要求給出95%的置信度上,至少95%的概率不發(fā)生臨界沸騰的臨界熱流密度比。

對均勻加熱試驗段,一般采用局部平均參數(shù)法處理臨界熱流密度試驗數(shù)據(jù);對非均勻加熱試驗段,一般采用子通道分析法處理臨界熱流密度試驗數(shù)據(jù)。在核動力裝置安全評審中,臨界熱流密度是重要的限制性熱工水力參數(shù),它的大小直接影響核動力裝置的安全性和經(jīng)濟性。通過優(yōu)化燃料組件結構,提高臨界熱流密度,使反應堆系統(tǒng)產(chǎn)生最大的熱功率,從而在保證核動力裝置工程設計安全可靠的基礎上,提高經(jīng)濟性。 2100433B

臨界質量(Critical mass)是指維持核子連鎖反應所需的裂變材料質量。不同的可裂變材料,受核子的性質(如裂變橫切面)、物理性質、物料型狀、純度、是否被中子反射物料包圍、是否有中子吸收物料等等因素影響,而會有不同的臨界質量。

剛好可以產(chǎn)生連鎖反應的組合,稱為已達臨界點。比這樣更多質量的組合,核反應的速率會以指數(shù)增長,稱為超臨界。如果組合能夠在沒有延遲放出中子之下進行連鎖反應,這種臨界被稱為即發(fā)臨界,是超臨界的一種。即發(fā)臨界組合會產(chǎn)生核爆炸。如果組合比臨界點小,裂變會隨時間減少,稱之為次臨界。

恩里科·費米最先發(fā)現(xiàn)超臨界組合,不一定同時是超過即發(fā)臨界。他的發(fā)現(xiàn)開展了受控制的連鎖反應的研究,后來發(fā)展的核子反應堆及核能都是出于這一發(fā)現(xiàn)。

前言

第一章超臨界及超超臨界機組的技術性能

第一節(jié)超臨界及超超臨界機組的發(fā)展概況

第二節(jié)超臨界和超超臨界機組的容量及參數(shù)

第三節(jié)超臨界機組的熱效率及煤耗

第四節(jié)超臨界機組與亞臨界機組的主要區(qū)別

第五節(jié)超臨界鍋爐的性能要求

第六節(jié)超臨界直流鍋爐的主要特點

第七節(jié)新一代超臨界鍋爐的技術特點

第八節(jié)部分超臨界鍋爐燃用的典型煤質

第二章超臨界及超超臨界鍋爐的型式及系統(tǒng)

第一節(jié)X電廠600MW超臨界鍋爐

第二節(jié)B電廠600MW超臨界鍋爐

第三節(jié)Q電廠600MW超臨界鍋爐

第四節(jié)C電廠600MW超超臨界鍋爐

第五節(jié)典型的1000MW超超臨界鍋爐

第六節(jié)塔型超臨界和超超臨界鍋爐

第七節(jié)上海石洞口 第二電廠600MW超臨界鍋爐

第八節(jié)800MW超臨界鍋爐

第三章超臨界鍋爐水冷壁的傳熱及水動力特性

第一節(jié)超臨界壓力下水和水蒸氣的熱物理特性

第二節(jié)超臨界壓力下水冷壁管的傳熱特性

第三節(jié)水冷壁型式與質量流速優(yōu)化設計

第四節(jié)螺旋管圈水冷壁的特點及水動力特性

第五節(jié)光管垂直管屏水冷壁的特點及水動力特性

第六節(jié)內螺紋管垂直管屏水冷壁的變壓運行特性

第七節(jié)30MPa以上壓力水冷壁的水動力及傳熱特性

第八節(jié)超臨界鍋爐水冷壁工質溫度控制

第九節(jié)超臨界鍋爐水冷壁傳熱惡化的判據(jù)

第十節(jié)1000MW超超臨界鍋爐的水冷壁系統(tǒng)

第四章超臨界鍋爐的啟動系統(tǒng)及啟動特性

第一節(jié)超臨界直流鍋爐啟動系統(tǒng)的主要任務

第二節(jié)帶循環(huán)泵的啟動系統(tǒng)

第三節(jié)帶循環(huán)泵和擴容器的啟動系統(tǒng)

第四節(jié)簡化型啟動系統(tǒng)

第五節(jié)帶快速啟動旁路的啟動系統(tǒng)

第六節(jié)帶三級旁路的啟動系統(tǒng)

第七節(jié)帶大氣式擴容器的啟動系統(tǒng)

第八節(jié)超臨界機組的啟動特性

第九節(jié)超臨界機組的旁路系統(tǒng)與啟動方式

第五章超臨界機組的金屬材料

第一節(jié)超臨界機組金屬材料的類型和性能

第二節(jié)超臨界機組鍋爐的金屬材料

第三節(jié)超臨界機組汽輪機的金屬材料

第六章超臨界鍋爐的中間點溫度控制和汽溫調節(jié)

第一節(jié)超臨界鍋爐的中間點溫度控制

第二節(jié)超臨界鍋爐的汽溫特性

第三節(jié)超臨界鍋爐的汽溫調節(jié)

第四節(jié)500和800MW超臨界機組的運行特性

第五節(jié)上海石洞口 第二電廠600MW超臨界鍋爐的運行特性

第六節(jié)超臨界機組的變壓運行

第七章煤粉燃燒新技術及超臨界鍋爐爐型結構分析

第一節(jié)低負荷運行無油穩(wěn)燃技術

第二節(jié)燃燒過程NO2控制新技術

第三節(jié)超臨界鍋爐燃燒器及配風技術

第四節(jié)超臨界和超超臨界鍋爐的爐型結構分析

第八章亞臨界參數(shù)鍋爐的類型及性能

第一節(jié)亞臨界參數(shù)鍋爐的主要類型

第二節(jié)亞臨界參數(shù)鍋爐的汽包裝置

第三節(jié)自然循環(huán)鍋爐的技術性能

第四節(jié)控制循環(huán)鍋爐的技術性能

第五節(jié)復合循環(huán)鍋爐的技術性能

第九章亞臨界參數(shù)鍋爐的運行特性

第一節(jié)給水壓力與溫度變化的靜態(tài)特性

第二節(jié)過熱蒸汽壓力與溫度變化的靜態(tài)特性

第三節(jié)再熱蒸汽壓力與溫度變化的靜態(tài)特性

第四節(jié)蒸汽流量、燃料量及過量空氣系數(shù)

第五節(jié)亞臨界機組的啟動特性

第十章亞臨界鍋爐受熱面布置及傳熱特性

第一節(jié)亞臨界鍋爐受熱面布置的特點

第二節(jié)汽溫調節(jié)方式與受熱面?zhèn)鳠崽匦?

第三節(jié)亞臨界鍋爐過熱器和再熱器系統(tǒng)

第十一章W型火焰鍋爐的燃燒技術和綜合性能

第一節(jié)W型火焰鍋爐的整體布置

第二節(jié)W型火焰鍋爐的技術特點

第三節(jié)W型火焰鍋爐的燃燒技術

第四節(jié)W型火焰鍋爐的汽溫特性

第五節(jié)變負荷過程的動態(tài)特性

第六節(jié)配置W火焰鍋爐的660MW機組的啟動特性

第十二章亞臨界鍋爐的水動力及傳熱特性

第一節(jié)亞臨界鍋爐水動力特性概述

第二節(jié)亞臨界自然循環(huán)鍋爐的水動力及傳熱特性

第三節(jié)控制循環(huán)鍋爐的水動力特性

第四節(jié)循環(huán)特性參數(shù)之間的關系

第十三章調峰機組的變壓運行

第一節(jié)調峰機組變壓運行的特點

第二節(jié)調峰鍋爐運行中的主要問題

第三節(jié)調峰鍋爐的變壓運行特性

第四節(jié)幾種典型鍋爐的調峰性能

第十四章大容量鍋爐熱力計算的改進方法

第一節(jié)現(xiàn)行方法的特點與問題

第二節(jié)前蘇聯(lián)的爐膛換熱計算校準方法

第三節(jié)分隔屏過熱器傳熱計算的改進方法

第四節(jié)屏式過熱器傳熱計算的改進方法

第五節(jié)大容量鍋爐爐膛溫度分布計算的改進方法

第六節(jié)煤的灰污特性與受熱面?zhèn)鳠嵯禂?shù)

第十五章大容量鍋爐的火焰探測技術

第一節(jié)火焰探測技術的發(fā)展及類型

第二節(jié)紅外動態(tài)火焰探測原理及系統(tǒng)組成

第三節(jié)紅外光譜火焰動態(tài)響應特性

第四節(jié)可見光火焰探測系統(tǒng)組成及運行原理

參考文獻2100433B

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