MKP是金屬化聚丙烯膜電容器(Metalized Polypropylene Film Capacitor),廣泛應(yīng)用于高壓高頻脈沖電路中,電視機中S校正和行逆程波形和顯示器中,照明電路中電子整流吸收和SCR整流電路。用于安規(guī)方面。RC降壓時也有用到。成本高。
金屬化的意思是鋁電極不是鋁箔,而是蒸鍍上去的非常薄的金屬層。與普通CBB電容相比,MKP耐壓起點高,引出損耗小,內(nèi)部溫升小,負(fù)電容量溫度系數(shù),優(yōu)異的阻燃性能。2100433B
MKP X2是金屬化聚丙烯薄膜電容,也是安規(guī)電容,用于跨接交流L-N之間的電容??梢源嫒魏纹胀娙荩胀娙荽娌涣怂?,它耐壓高,損耗小等等
MKP金屬化聚丙烯、MKT金屬化聚脂、都是高頻電容器。高頻損耗都很小。溫度穩(wěn)定性也很好。記得好像MKP的溫度特性更好,高頻損耗也更小。記不準(zhǔn)確了。
【1】MKP電容:金屬化聚丙烯電容,引出損耗小,內(nèi)部溫升小,負(fù)電容量溫度系數(shù),優(yōu)異的阻燃性能。廣泛應(yīng)用于高壓高頻脈沖電路中,電視機中S校正和行逆程波形和顯示器中,照明電路中電子整流吸收和SCR整流電路...
MKP 和 MPP 技術(shù)之間的區(qū)別在于電力電容器在補償系統(tǒng)中的連接方式。
1)MKP( MKK , MKF) 電容器
這項技術(shù)是在聚丙烯薄膜上直接鍍金屬。其尺寸小于用 MPP 技術(shù)的電容器。因為對生產(chǎn)過程較低的要求,其制造和原料成本比 MPP 技術(shù)要相對地低很多。 MKP 是最普遍的電容器技術(shù),并且由于小型化設(shè)計和電介質(zhì)的能力,它具有更多的優(yōu)點。
2)MPP( MKV) 電容器
MPP 技術(shù)是用兩面鍍金屬的紙板作為電極,用聚丙烯薄膜作為介質(zhì)。這使得它的尺寸大于采用 MKP 技術(shù)的電容器。生產(chǎn)是非常高精密的,因為必須采用真空干燥技術(shù)從電容器繞組中除去全部殘余水分而且空腔內(nèi)必須填注絕緣油。這項技術(shù)的主要優(yōu)勢是它對高溫的耐受性能。
3)自愈
兩種類型的電容器都是自愈式的。在自愈的過程中電容器儲存的能量在故障穿孔點會產(chǎn)生一個小電弧。電弧會蒸發(fā)穿孔點臨近位置的細(xì)小金屬,這樣恢復(fù)介質(zhì)的充分隔離。電容器的有效面積在自愈過程中不會有任何實際程度的減少。每只電容都裝有一個過壓分?jǐn)嘌b置以保護(hù)電氣或熱過載。測試是符合 VDE 560 和 IEC 70 以及 70A 標(biāo)準(zhǔn)的。
金屬化聚丙膜抗干擾電容器用金屬化聚丙烯膜作為電介質(zhì)/電極繞制而成,導(dǎo)線采用鍍錫銅包鋼線,使用環(huán)氧樹脂密封在塑料殼內(nèi),外觀整體上看上去為一黃色的的長方體。
X2-MKP為無感結(jié)構(gòu),
MKP電容適用于旁路,耦合,離合,電源跨線降噪抑制干擾電路以及火花的抑制器回路中,有優(yōu)良的抗干擾能力,適用于電源開關(guān)中,能承受2.5KV的脈沖電壓
特性:
無感型結(jié)構(gòu),自愈性好,壽命長,阻燃性塑料封裝,高耐濕性特性,容易焊接
引用標(biāo)準(zhǔn)
GB/T14472-1998(IEC 60384-14)
氣候類別
40/100/21
額定電壓
280VAC
電容量范圍
0.0047~4.7μf
電容量偏差
±5%(J),±10%(K),±20%(M)
耐電壓
4.3URDC(5s)
損耗角正切
≤1.2%(CR≤1μF)≤0.3%(CR>1μF)(20oC,10kHz)
絕緣電阻
≥15000MΩ(CR≤0.33μF)
≥15000s(CR>0.33μF)
(20oC,1min)2100433B
X2-MKP為無感結(jié)構(gòu),用金屬化聚丙烯膜作為電介質(zhì)/電極繞制而成,導(dǎo)線采用鍍錫銅包鋼線,使用環(huán)氧樹脂密封在塑料殼內(nèi),外觀整體上看上去為一黃色的的長方體。
應(yīng)用:
MKP電容適用于旁路,耦合,離合,電源跨線降噪抑制干擾電路以及火花的抑制器回路中,有優(yōu)良的抗干擾能力,適用于電源開關(guān)中,能承受2.5KV的脈沖電壓
特性:
無感型結(jié)構(gòu),自愈性好,壽命長,阻燃性塑料封裝,高耐濕性特性,容易焊接
引用標(biāo)準(zhǔn)
GB/T14472-1998(IEC 60384-14)
氣候類別
40/100/21
額定電壓
280VAC
電容量范圍
0.0047~4.7μf
電容量偏差
±5%(J),±10%(K),±20%(M)
耐電壓
4.3URDC(5s)
損耗角正切
≤1.2%(CR≤1μF)≤0.3%(CR>1μF)(20oC,10kHz)
絕緣電阻
≥15000MΩ(CR≤0.33μF)
≥15000s(CR>0.33μF)
(20oC,1min)