SiC紫外探測器

半導體SiC的禁帶寬度為3.25eV，具有高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)點，特別是該器件的反向漏電流低。SiC紫外探測器只對波長400nm一下的輻射選擇性接收，其紫外輻射的接收與硅探測器相比，要大兩個數(shù)量級，并且不需要表面加工處理，可保持長期的穩(wěn)定性。另外，靈敏度和暗電流在使用溫度條件下幾乎不受溫度變化的影響，可在700K的高溫下使用 。

隨著體單晶及其同質外延SiC材料性能的不斷提高，可在不同的沉積條件下用直流濺射法在玻璃底襯的SiC襯底上沉積ITO：TIO和Ni膜，并可由此制成SiC金屬-半導體-金屬紫外輻射探測器。

一、光電真空探測器，如光電倍增管、像增強器和EBCCD等；

二、光電導探測器，如GaN基和AlGaN基電光導探測器等；

三、光伏探測器，如Si，SiC,GaN P-N結和肖特基勢壘光伏探測器以及CCD。

紫外線探測器對紫外輻射具有高響應。其中，日盲紫外探測器的光譜響應區(qū)集中在中紫外（波長小于290nm）,而對紫外區(qū)以外的可見光及紅外輻射響應較低；光盲紫外探測器長波響應限在紫外與可見光交界處。

紫外探測器材料是對紫外光敏感的材料。主要采用氮化鎵系列、金剛石等寬禁帶半導體材料。

ICE越過賈科比尼一津納彗星時，穿越了四個互不相同的區(qū)域。國際紫外探測器穿過第四個區(qū)域——該彗星的離子尾，離彗核約16，000公里（10，000英里)。國際紫外探測器觀測到，該區(qū)域是來自該彗星的一個較冷的電離氣體區(qū)，它為一個磁場所圍繞。科學家們相信，隨著太陽風中的磁場在彗星周圍集積起來，便會形成一條磁尾，它包圍著該彗星的離子尾。